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[发明专利]一种光路准直调试系统和光路准直调试方法-CN202110385348.7有效
发明人：虞天成;徐佳维;王俊;潘华东;俞浩;闵大勇;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种光路准直调试系统和光路准直调试方法，光路准直调试系统包括：光源；反射式布拉格光栅，所述反射式布拉格光栅的衍射角度可调；位于所述光源和所述反射式布拉格光栅之间的准直透镜，所述准直透镜沿光路上的位置可调；位于所述反射式布拉格光栅一侧的探测单元；所述反射式布拉格光栅适于接收被所述准直透镜准直之后的光并衍射至探测单元。所述光路准直调试系统评判光束的准直性的准确性提高。
一种光路准直调试系统方法

[发明专利]一种高可靠性半导体封装结构及其制备方法-CN202310553996.8有效
发明人：周立;王俊;曾宪斌;李顺峰;靳嫣然;魏志祥;万远红;李泉灵;潘华东;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠性半导体封装结构及其制备方法，高可靠性半导体封装结构包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片；连接所述热沉和所述半导体激光器芯片的焊接结构，所述焊接结构包括主焊接层和若干合金块，所述主焊接层包围合金块，各合金块周围的主焊接层连接在一起，所述主焊接层的硬度小于所述合金块的硬度。所述高可靠性半导体封装结构兼顾缓解封装应力、可靠性高和寿命长。
一种可靠性半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块-CN202310619798.7有效
发明人：程洋;赵武;王俊;王渝沛;章宇航;郭银涛;夏明月;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
一种半导体发光结构及其制备方法封装模块

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法-CN202310588558.5有效
发明人：程洋;赵武;王俊;王渝沛;章宇航;谭少阳;廖新胜;俞浩 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，制备方法包括：刻蚀初始上波导层、初始有源层和初始下波导层直至暴露出第二初始刻蚀停止层，使初始上波导层形成上波导层，使初始有源层形成有源层，使初始下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的侧壁表面富析第一元素；刻蚀第二初始刻蚀停止层直至暴露出第一刻蚀停止层，使第二初始刻蚀停止层形成第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层的侧壁表面富析第二元素，第一刻蚀停止层的材料中包含第一元素且不包含第二元素；在形成绝缘外延层的第一升温步骤中通入第一保护气体，第一保护气体的材料中包含第一元素且不包含第二元素；之后形成上限制层。有效的降低了漏电。
一种半导体发光结构及其制备方法

[发明专利]一种匀化光斑输出系统-CN202310444621.8有效
发明人：俞浩;徐一鸣;王俊;潘华东;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明提供一种匀化光斑输出系统，包括：半导体发光结构，所述半导体发光结构适于输出第一光；特征光纤，所述特征光纤包括纤芯，所述纤芯在垂直于纤芯的长度方向的横截面的外轮廓包括第一直线和与第一直线连接的第二线单元；所述特征光纤用于将半导体发光结构输出的第一光激发为纤芯内部的第二光，所述第二光的模式数目大于第一光的模式数目；近场成像透镜，所述近场成像透镜适于将特征光纤背离半导体发光结构一侧端面的光斑成像在所述近场成像透镜背离所述特征光纤的一侧。所述匀化光斑输出系统对光束的均化效果好且匀化光斑输出系统的尺寸小。
一种光斑输出系统

[发明专利]一种波长锁定系统和波长锁定方法-CN202310288442.X在审
发明人：俞浩;林朋远;王俊;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01S5/0687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种波长锁定系统和波长锁定方法，包括：半导体激光芯片；设置在半导体激光芯片的出光侧的透射式闪耀光栅；半导体激光芯片适于给透射式闪耀光栅提供入射光；设置在半导体激光芯片和透射式闪耀光栅之间的准直单元；透射式闪耀光栅设置在特征位置，入射光的入射角等于透射式闪耀光栅的光栅闪耀角，入射光适于照射在光栅结构的表面形成第m级反射式衍射光和第0级透射式衍射光，第m级反射式衍射光适于与入射光平行，第0级透射式衍射光适于穿过透射式闪耀光栅并从第二面出射形成出射光，出射光适于和入射光平行，m为大于或等于1的整数。降低色散效应、简化波长锁定的光路、提高锁定波长在宽温度范围和高输出功率的情况下的稳定性。
一种波长锁定系统方法

[发明专利]用于光学镜的自动组装装置-CN202111087931.6有效
发明人：李青龙;潘华东;胡凯;李德元;刘刚;王俊;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光学镜的自动组装装置，包括壳体上料组件，用于放置未组装光学镜的壳体；镜子上料组件，用于放置光学镜；点胶组件，用于对壳体上料组件上放置的壳体进行点胶；取镜子组件，用于将光学镜放置在点胶好的壳体内；UV固化组件，用于将放置好光学镜的壳体进行UV固定，本发明具有有效节约了人力资源的同时，提高了生产效率的效果。
用于光学自动组装装置

[发明专利]一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法-CN202211381927.5有效
发明人：程洋;赵武;王俊;郭银涛;夏明月;方砚涵;谭少阳;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k‑1测试结构的电阻获取第k‑1掺铁InP测试层的电阻；获取第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层中任意第k‑1掺铁InP测试层的电阻rk‑1与Fe源的流量之间的第一函数关系；获取第一函数关系中对应第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层的电阻的峰值区域作为第一特征电阻；获取第一特征电阻在第一函数关系中对应的Fe源的流量范围的平均值作为第一特征Fe源流量；生长第一掺铁InP外延层。能使掺铁InP外延层中Fe的浓度稳定性提高。
一种生长绝缘 inp 外延方法

[发明专利]一种激光电池及其制备方法-CN202211496537.2有效
发明人：张宇荧;苟于单;王俊;张玉国;赵武;张立晨;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种激光电池及其制备方法，激光电池包括：半导体衬底层；晶格变异缓冲结构；晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层；第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第n缓冲单元包括自下至上层叠的第n组分步进层和第n组分回调层；第一组分步进层至第N+1组分步进层、第一组分回调层至第N组分回调层中均包含相同的元素组；第一组分步进层至第N+1组分步进层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；第一组分回调层至第N组分回调层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；光吸收层。所述激光电池能发射出需要波长，且能实现成本较低、质量较好。
一种激光电池及其制备方法

[发明专利]一种激光加工检测装置-CN202110864190.1有效
发明人：彭义坤;吴真林;闵大勇;王俊;廖新胜;李波;胡燚文 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B23K26/02 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工检测装置，包括：检测耦合腔体；激光发生器，激光发生器适于给检测耦合腔体提供激光；激光加工输出部件和第一光纤，第一光纤分别与激光加工输出部件和检测耦合腔体连接，激光加工输出部件适于对工件进行激光加工并传输工件发出的热辐射红外光至第一光纤；位于检测耦合腔体侧部的红外温度检测器；位于检测耦合腔体中的第一反射镜，第一反射镜适于将激光发生器发射的激光反射至第一光纤中，第一反射镜还适于透过热辐射红外光。提高了检测精度。
一种激光加工检测装置

[发明专利]侧向光模式调节高功率半导体器件及其制备方法-CN202211238537.2有效
发明人：刘武灵;谭少阳;刘停停;王俊;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：一种侧向光模式调节高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调节高功率半导体器件包括：位于半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；位于所述电极注入区背离所述有源层一侧表面的导热补偿层；所述导热补偿层包括沿着出光方向排布的若干个子导热补偿层；沿着侧向光模式调节高功率半导体器件的慢轴方向自子导热补偿层的中心区域至子导热补偿层的边缘区域，子导热补偿层的宽度递减，所述子导热补偿层的宽度平行于出光方向。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
侧向模式调节功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法-CN202211240158.7有效
发明人：谭少阳;刘武灵;张立晨;王俊;郭路安;张宇荧;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：一种侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调控高功率半导体器件包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的热补偿层，热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧副开口组，副开口组与主开口贯通，副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；正面电极层，正面电极层包括电极注入区，电极注入区位于热补偿层背离半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
侧向模式调控功率半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种激光加热装置-CN202222395114.3有效
发明人：潘华东;裘利平;徐佳维;俞浩;靳嫣然;刘恒;王俊;廖新胜;吴真林;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种激光加热装置，包括：包括若干个间隔的发光柱的垂直腔面发射激光芯片；第一微透镜阵列结构；每个第一微透镜具有第一凸面和第一平面；第一凸面朝向垂直腔面发射激光芯片；第二微透镜阵列结构，每个第二微透镜具有第二凸面和第二平面；第二凸面相对于第二平面背离第二微透镜阵列结构且和第一凸面的位置一一对应设置，第二平面位于第一微透镜阵列结构的焦平面上；位于垂直腔面发射激光芯片和微透镜阵列单元之间的准直透镜；至少部分聚焦透镜的光轴与第二微透镜阵列结构的光轴倾斜，以使得不同的垂直腔面发射激光芯片发出的光经过聚焦透镜之后至少部分重叠。兼顾激光加热装置集成度高、结构简单、成本低、辐照度分布均匀、激光能量利用率高。
一种激光加热装置

[发明专利]一种波长锁定系统-CN202210381822.3有效
发明人：王俊;俞浩;胡欢;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供一种波长锁定系统。所述的波长锁定系统包括：空间合束模块，所述空间合束模块包括半导体发光器件；外腔镜；第一透射式面光栅，所述第一透射式面光栅位于所述空间合束模块和所述外腔镜之间的光路中；第二透射式面光栅，所述第二透射式面光栅位于所述外腔镜出光一侧的光路中，所述第二透射式面光栅适于对所述第一透射式面光栅至所述外腔镜之前的光束的色散进行补偿。本发明采用第二透射式面光栅对通过外腔镜的光束进行色散补偿，输出光束质量提高，输出亮度提高。
一种波长锁定系统

[发明专利]一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法-CN202210477824.2有效
发明人：谭少阳;王俊;张立晨;张宇荧;赵武;赵润;邓国亮;杨火木;周昊;张弘;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：；；其中：，；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
一种纵向载流子调制功率半导体发光芯片及其制备方法

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