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[发明专利]半导体结构及其方法-CN200810109056.5无效
发明人： T·S·卡纳尔斯基;欧阳齐庆;尹海洲 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在至少一个PFET和至少一个NFET上形成应力传递电介质层。诸如氮化硅的拉应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个NFET上。可以是耐熔金属氮化物膜的压应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个PFET上。密封电介质膜沉积在压应力产生膜之上。应力从拉应力产生膜和压应力产生膜转移到下面的半导体结构中。从耐熔金属氮化物膜转移的压应力的大小可以在约5GPa到约20GPa。在退火期间，应力被记忆，并且在去除了应力产生膜后保持在半导体器件中。
半导体结构及其方法

[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法-CN201010266056.3有效
发明人：韩秋华;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供的一种CMOS器件应力膜的形成方法，包括：提供半导体结构，其包括CMOS器件；在所述CMOS器件的表面形成具有拉伸应力的第一应力膜；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的第一应力膜；在所述PMOS晶体管以及第一应力膜的表面依次形成具有拉伸应力的第二应力膜以及硬掩模层；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模，刻蚀去除位于PMOS晶体管所在区域的第二应力膜本发明改善了应力膜的均匀性，能够避免应力膜产生断裂或形成空洞的现象，并防止了硬掩模层被过消耗。
cmos 器件应力形成方法

[发明专利]一种调节AlN异质外延面内应力的方法-CN202311121195.0在审
发明人：张立胜;沈波;许福军;贺钟冶;杨学林 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N30/04 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种调节AlN异质外延面内应力的方法。本申请的调节异质外延面内应力的方法，包括以下步骤：1）在衬底背面沉积一层预制应力膜，得到背面带有预制应力膜的衬底；所述预制应力膜的材料与目标外延膜的材料相同；2）在无氧环境下，将背面带有预制应力膜的衬底进行退火处理；3）所述退火处理后，在背面带有预制应力膜的衬底的正面进行目标外延膜的沉积。本申请通过背部预制应力膜和退火处理的配合，能够抵消目标外延层受到的一部分甚至全部的面内应力，从而降低目标外延膜的翘曲度，减少或避免裂纹的产生。
一种调节 aln 外延内应力方法

[发明专利]在基板上形成减反射膜的方法、太阳能电池片及制备方法-CN201010616540.4有效
发明人：白志民 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了在基板上形成减反射膜的方法，太阳能电池片及其制备方法，所述在基板上形成减反射膜的方法包括以下步骤：1)在晶硅基板的正面上形成第一减反射膜；和2)在所述晶硅基板的背面上形成第二减反射膜，其中所述第一减反射膜与所述第二减反射膜均是对所述晶硅基板产生压应力的压应力膜或均是对所述晶硅基板产生张应力的张应力膜根据本发明实施例的减反射膜的制备方法，由于在晶硅基板的正面和背面分别形成第一减反射膜和第二减反射膜，且第一减反射膜与第二减反射膜对所述晶硅基板均产生压应力或均产生张应力，因此可以通过应力的相互抵消而有效改善应力状态
基板上形成减反射膜方法太阳能电池制备

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN02122668.7有效
发明人：山崎舜平;高山彻;秋叶麻衣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-06-20 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在塑料基底上提供多层薄膜用于防止氧气和湿气进入OLED中的有机发光层(以后叫做隔离膜)、应力小于隔离膜的薄膜(以后叫做应力松弛膜)、隔离膜之间的薄膜。由于多层隔离膜的分层结构，即使一层隔离膜发生了开裂，其它隔离膜仍然能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，应力小于隔离膜的应力松弛膜夹在隔离膜之间，从而减小整层密封膜的应力。结果很难因为应力而发生开裂。
发光装置及其制造方法

[发明专利]一种具有低翘曲度的晶圆-CN202211600657.2在审
发明人：姜浩延;韩雪飞;林立男;张琳琳;曹文静;孙润吉;唐嫒尧;陶硕 -专利权人：北京晨晶电子有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有低翘曲度的晶圆，晶圆包括基底和设置于基底上的膜层结构，膜层结构能减小晶圆的翘曲度。膜层结构包括至少一层功能膜层和至少一层平衡膜层，平衡膜层对基底产生的应力与功能膜层对基底产生的应力方向相反，以减小所述晶圆所受的合应力，功能膜层是实现晶圆所需的功能膜层结构，通常功能膜层由于材料热膨胀系数与基底材料有差异会对晶圆产生应力，平衡膜层是通过平衡膜层材料与基底材料的热膨胀系数差别对晶圆产生与功能膜层相反方向的应力，通过平衡膜层与功能膜层对晶圆之间产生的应力的相互作用，使得膜层间应力相互抵消，使得整体晶圆所受合应力减小，从而降低整体晶圆的翘曲度
一种具有曲度

[发明专利]一种光学薄膜滤光片的制作方法-CN201711457347.9在审
发明人：姚舜;李春 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学薄膜滤光片的制作方法，包括：提供一基板；在基板的正面形成第一膜系；获取第一膜系的第一应力值，且依据第一应力值计算得出基板的第一面形变化量；在基板的背面形成第二膜系；获取第二膜系的第二应力值，且依据第二应力值计算得出基板的第二面形变化量；其中，第一膜系的应力以及第二膜系的应力分别为张应力，或第一膜系的应力以及第二膜系的应力分别为压应力，第一面形变化量与第二面形变化量叠加后满足目标需求。该制作方法可以有效控制所制备的光学薄膜滤光片中薄膜的应力。
膜系基板面形变化光学薄膜滤光片制作光学薄膜目标需求有效控制压应力张应力滤光制备薄膜叠加背面

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法-CN200710042138.8有效
发明人：吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种CMOS器件应力层的形成方法，在NMOS和PMOS晶体管表面形成张应力层；在张应力层表面涂布正光刻胶；利用一掩膜版图案化所述正光刻胶，形成暴露PMOS晶体管表面的张应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀PMOS晶体管表面的张应力层并移除所述光刻胶掩膜图形；在张应力层和PMOS晶体管表面再沉积压应力层；在压应力层表面涂布负光刻胶；利用所述掩膜版图案化所述负光刻胶，形成暴露NMOS晶体管表面的压应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀NMOS晶体管表面的压应力层并移除光刻胶掩膜图形。本发明用同一块掩膜版便可形成张应力和压应力层的光刻胶掩膜图形，不但降低了制造成本，而且提高了张应力层和压应力层的衔接精度。
互补金属氧化物半导体器件应力形成方法

[发明专利]一种氧化膜临界开裂应力的测量方法及装置-CN97100974.0无效
发明人：李铁藩;李美栓;周龙江;沈嘉年 -专利权人：中国科学院金属腐蚀与防护研究所
申请日： 1997-03-17 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G01L1/04 文献下载
摘要：一种氧化膜临界开裂应力的测量技术，其特征在于：在采用单面氧化弯曲方法测量氧化膜应力的同时，用声发射技术对氧化膜玻裂进行监测，监测到的第一个声发射信号即表征氧化膜的初始破裂，所对应的同一时刻的氧化膜应力即为氧化膜临界开裂应力本发明可以准确直接地给出氧化膜的临界开裂应力。
一种氧化临界开裂应力测量方法装置

[发明专利]浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法-CN200710040982.7有效
发明人：刘明源;郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；确定隔离层参数；确定与所述参数对应的隔离层分布，所述隔离层包含至少一层压应力膜层和至少一层拉应力膜层，所述压应力膜层和拉应力膜层间隔相接；以所述隔离层分布沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层可形成具有满足产品应力改善要求的隔离层的浅沟槽隔离区；本发明还提供了一种浅沟槽隔离区结构，所述浅沟槽隔离区具有满足产品应力改善要求的隔离层；本发明还提供了一种膜层形成方法，可形成满足产品应力改善要求的膜层
沟槽隔离形成方法结构

[发明专利]张应力 LPCVD SiO₂膜的制造方法-CN201110448748.4有效
发明人：尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种张应力LPCVD SiO2膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0。依照本发明的LPCVD张应力SiO2膜制备工艺，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力匹配，而且明显增强SiO2的抗XeF2腐蚀能力，最终使采用Al和SiO2双材料的、应力匹配的悬臂梁制作成功实现
应力 lpcvd sio sub 制造方法

[发明专利]一种MEMS换能器-CN202210390737.3在审
发明人：王东平 -专利权人：苏州感芯微系统技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS换能器，包括由下向上依次层叠的基体、绝缘层、第二膜层、牺牲层、第一膜层；所述基体、绝缘层、牺牲层中部分别设置通孔；所述第一膜层和第二膜层的其中一层为压应力膜，另一层为张应力膜，压应力膜压力释放后向外弯曲，与张应力膜之间形成空腔结构，压应力膜中心位置设置泄气孔，张应力膜中部设置释放孔。本发明通过将其中较软的膜层采用压应力的薄膜代替原来的张应力薄膜，释放掉两层薄膜之间的牺牲层后，在压应力的作用下，较软的薄膜自然凸起，较软的薄膜与较硬的薄膜自然形成较大的距离。
一种 mems 换能器

[发明专利]二氧化硅膜应力监测方法以及半导体器件制造方法-CN201210208916.7无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅膜应力监测方法以及半导体器件制造方法。制备二氧化硅膜，并且测量所述二氧化硅膜的应力值，并记录从测量开始的时间点到制备完成时的时间点之间的制备时间间隔。在二氧化硅膜制备完成之后的多个离散时间点对所述二氧化硅膜的应力值进行多次测量，并记录所述多次测量的每一次测量的时间点和应力值。根据所述时间点和应力值进行作图，得到时间点和应力值相对应的绘制点。对绘制点进行曲线拟合，得到应力值与时间的关系式。根据关系式对二氧化硅膜应力进行换算以得到二氧化硅膜应力的曲线拟合值，采用二氧化硅膜的相对应力对薄膜进行监测，其中，二氧化硅膜的相对应力为实测二氧化硅膜应力值与曲线拟合值之差。
二氧化硅应力监测方法以及半导体器件制造

[发明专利]一种柔性显示屏、电子设备、及制备柔性显示屏的方法-CN202010315255.2有效
发明人：谭江洪 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种柔性显示屏、电子设备及制备柔性显示屏的方法，柔性显示屏包括：基材层；应力缓冲膜层，层叠设置于基材层，应力缓冲膜层配置成用于释放柔性显示屏弯折时产生的应力；及发光组件，层叠设置于基材层的靠近应力缓冲膜层的一侧本申请实施例通过增设应力缓冲膜层这种膜层结构，以使柔性显示屏在弯折时可通过该应力缓冲膜层释放弯折产生的应力，降低柔性显示屏的其他膜层的破损情况，提升柔性显示屏的使用寿命。由于应力缓冲膜层的厚度尺寸可以做的比较小，因此增设应力缓冲膜层后依然可以实现由该柔性显示屏组成的电子设备的轻薄化。
一种柔性显示屏电子设备制备方法

[发明专利]半导体器件与CMOS集成电路器件-CN200410082010.0有效
发明人：后藤贤一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在半导体衬底上形成的应力积聚绝缘膜，以覆盖栅电极和侧壁绝缘膜，该应力积聚绝缘膜在其中积聚应力，其中该应力积聚绝缘膜包括：覆盖栅电极和侧壁绝缘膜的沟道部分；以及在沟道部分之外延伸的外部分，该应力积聚绝缘膜在沟道部分中与在外部分中相比具有增大的厚度。
半导体器件 cmos 集成电路器件