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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种复合绝缘膜的制作方法-CN202211114315.X在审
发明人：余黎明;刘巍;金灿;刘应军 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：解决了现有技术中存在的PECVD沉积的SiO2一般都具有较大的压应力，这使得在后工序的划裂片工艺中，会因薄膜应力过大，导致部分SiO22钝化层中间沉积一层SiNx来降低膜系整体的应力，使新膜系在有张应力的SiNx后表现出来的应力更小。采用该方法制作的膜系作为刻蚀掩膜，在图形上精度更高，在刻蚀的过程中压应力更小，不仅可以提供高刻蚀精度，还能够起到很好的保护作用，能够吸收在刻蚀过程中高速离子团的轰击产生的能量，刻蚀后不生成裂纹，同时可以增加金丝键合的可靠性，提高了膜系的良率。
一种复合绝缘制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、相关器件-CN202310730964.0在审
发明人：盛伟 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法、相关器件，所述半导体结构，包括：基底，包括衬底和位于所述衬底表面的硬掩膜层；位于所述基底朝向所述硬掩膜层一侧的多个应力调节槽，其中，所述应力调节槽延伸至所述衬底内部；填充至所述应力调节槽中的应力调节部，其中，所述应力调节部的内应力大于所述衬底的内应力。
半导体结构及其形成方法相关器件

[发明专利]半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法-CN201210033132.5有效
发明人：中村哲一;尾崎史朗;武田正行;渡部庆二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。
半导体器件电源装置放大器以及制造方法

[发明专利]可降低振动膜应力的硅晶凝缩式麦克风结构-CN200410100283.3无效
发明人：郑权贤;薛树远;龚诗钦;何鸿钧;魏文杰 -专利权人：美律实业股份有限公司
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明为一种可降低振动膜应力的硅晶凝缩式麦克风结构，是以一种悬浮结构支撑振动膜，释放硅晶凝缩式麦克风的振动膜应力，以缩小振动膜面积，以因应小尺寸与薄型化的需求，同时增加对声音的灵敏度。
降低振动应力凝缩麦克风结构

[发明专利]过滤结构以及过滤结构的制备方法-CN201910209312.6在审
发明人：高麟;汪涛;李翔 -专利权人：成都易态科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B01D63/10 文献下载
摘要：所述过滤结构包括由带状的多孔过滤材料卷绕而成的膜筒，所述多孔过滤材料卷绕后形成的接缝不与所述膜筒的中心轴平行。过滤结构在承受内、外压时，其最大主应力垂直于其中心轴且作用于每个圆截面；传统的直缝过滤结构(即接缝与过滤结构中心轴平行)，接缝处会直接承受最大的主应力，对焊缝强度要求较高。当接缝不与所述膜筒的中心轴平行时，接缝处主要承受的应力为主应力的分力，即径向应力和轴向应力，两种应力值明显小于直缝过滤结构的主应力，因此，在相同工作压力和同一管径下，本发明的过滤结构厚度可以显著降低，且孔隙度可以显著提升
过滤结构中心轴接缝膜筒多孔过滤材料平行接缝处卷绕直缝制备有效过滤面积径向应力强度要求轴向应力焊缝传统的孔隙度圆截面分力管径外压垂直

[发明专利]一种仿真精度对标测试方法、装置、设备及存储介质-CN202310526645.8在审
发明人：王琳琳;张士臣;闵忠国;孙永刚 -专利权人：东软睿驰汽车技术（沈阳）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种仿真精度对标测试方法，涉及计算机仿真技术领域，所述方法包括：对待测结构体进行仿真建模，得到仿真结构体；在仿真结构体表面构建预设厚度的膜单元；获取膜单元中预设区域的仿真平均面内主应力；获取待测结构体中与膜单元中预设区域对应的区域的实测面内主应力；将仿真平均面内主应力与实测面内主应力进行对标，以实现仿真精度对标测试。利用在仿真结构体表面构建薄膜的方法，能够得到特定区域的仿真应力，再通过试验及计算得到待测结构体的实测面内主应力，将仿真应力与实测面内主应力进行对比，从而能够进行仿真精度的测试，得到较为准确的仿真精度测试结果
一种仿真精度测试方法装置设备存储介质

[实用新型]过滤结构-CN201920351401.X有效
发明人：高麟;汪涛;李翔 -专利权人：成都易态科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B01D63/10 文献下载
摘要：所述过滤结构包括由带状的多孔过滤材料卷绕而成的膜筒，所述多孔过滤材料卷绕后形成的接缝不与所述膜筒的中心轴平行。过滤结构在承受内、外压时，其最大主应力垂直于其中心轴且作用于每个圆截面；传统的直缝过滤结构(即接缝与过滤结构中心轴平行)，接缝处会直接承受最大的主应力，对焊缝强度要求较高。当接缝不与所述膜筒的中心轴平行时，接缝处主要承受的应力为主应力的分力，即径向应力和轴向应力，两种应力值明显小于直缝过滤结构的主应力，因此，在相同工作压力和同一管径下，本实用新型的过滤结构厚度可以显著降低
过滤结构中心轴接缝膜筒多孔过滤材料平行本实用新型接缝处卷绕直缝有效过滤面积径向应力强度要求轴向应力焊缝传统的孔隙度圆截面分力管径外压垂直

[发明专利]半导体器件-CN200510078018.4无效
发明人：岛津博美;岩崎富生;太田裕之;石川宪輔;井上修;大岛隆文 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，可以抑制在以铜为主要构成材料的布线结构中因应力迁移而引起的空隙产生且可靠性高。在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410100289.0无效
发明人：松田隆幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：对形成沟槽后的基板进行热氧化后，在高输出且高温条件下通过CVD法形成厚度为30～80nm的膜应力强的第1绝缘膜。其次，对基板热处理后在沟槽的下缘部分附近产生缺陷区域。接着，填埋沟槽，堆积比第1绝缘膜的膜应力弱的绝缘膜，实施热处理后，通过研磨绝缘膜，形成填埋绝缘膜。在后续工序中由于使从绝缘膜接受的应力，能够集中在缺陷区域，因此能够防止在半导体元件的动作时电流流动的基板的上面附近产生缺陷区域。这样，可以降低随着沟槽型元件分离用绝缘膜的形成而产生的缺陷区域对半导体元件的影响。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种耐应力拉伸的柔性膜的制备方法-CN202010261611.7有效
发明人：徐文涛 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-04-04 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本发明为一种耐应力拉伸的柔性膜的制备方法。该方法包括如下步骤：将高分子材料溶解到溶剂中，制备为高精度打印墨水；利用高分辨率电流体喷印设备，在柔性基底上将墨水数码可控的打印为长而连续的PVK纳米线掩膜网络；在上述掩膜网络上蒸镀刚性材料，然后将纳米线掩膜移除，得到阵列分布的刚性材料的可拉伸柔性器件—即耐应力拉伸的柔性膜。本发明把一整片不耐应力拉伸的材料细化为无数个微小单体的组合，即可实现此材料的柔性耐应力拉伸化，方法简单易行，成本低，可大规模生产具有广泛的应用前景。
一种应力拉伸柔性制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610115987.7无效
发明人：鸟居克裕;松尾修志 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：最上级互连由铜膜制成，而缓冲层由铝膜制成。再分布互连由铜膜和镍膜的叠置膜制成。在这样一种半导体器件中，当执行低温与高温之间的温度循环时，应力集中发生在三重点上。缓冲层的存在缓和了三重点上的应力集中，因此可以抑制应力到三重点正下方的界面的传递。由此可以防止由于界面处的应力而引起的剥离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]MEMS器件及其形成方法-CN201710424141.X在审
发明人：李鑫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法，包括形成在衬底上的振动膜，所述振动膜包括凸出方向相反的第一突起和第二突起，所述第一突起朝向所述衬底凸出。即，多个突起中，分别向两个不同的方向延伸，从而可避免产生由于波纹而引起的相应方向的内应力，如此一来，不仅可在形成振动膜时有效释放振动膜中的内应力，同时还可避免额外产生内应力，改善所形成的振动膜的变形量以及提高
振动膜突起凸出衬底方向相反方向延伸有效释放灵敏度波纹变形量

[发明专利]一种SRAM工艺制备方法-CN201210135968.6无效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：Contact etch stop layer）技术的静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)单元结构及其制备方法，其中，在SRAM所包含的下拉晶体管上覆盖张应力膜（Tensile liner），在SRAM所包含的上拉晶体管上覆盖压应力膜（Compressive liner）。本发明基于赝CESL技术的静态随机存取存储器单元结构及其制备方法通过在下拉晶体管（NMOS器件）上覆盖张应力膜（Tensile liner）和在通道晶体管（NMOS器件）不覆盖任何应力膜，有效降低SRAM
一种 sram 工艺制备方法

[发明专利]压强测量装置-CN201480076564.1在审
发明人： P.扎克祖斯基;N.格勒兹 -专利权人：法雷奥电机控制系统公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G01L19/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种外部压强测量装置，其包括：压强传感器，该压强传感器包括支撑件(14)和陶瓷膜(16)，该陶瓷膜被安装在该支撑件上以在外部压强变化的作用下变形；以及，测量电路，该测量电路包括应力测量仪和电子构件，该应力测量仪被固定在所述陶瓷膜上以具有根据所述膜的位置而可变的电气性能，该电子构件电连接到所述应力测量仪并被配置为用于处理从所述应力测量仪接收到的信号，所述装置的特征在于，所述电子构件被固定在所述支撑件上
压强测量装置

[发明专利]应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法-CN200580003451.X无效
发明人：柯布姆·军;萨姆－叶·贝提·唐;马丁·杰伊·瑟默恩斯;礼萨·阿尔加瓦尼;埃勒·Y·加可 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：我们已经发现，可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括：工作在不同频率范围内的多个(一般是两个)功率输入源；沉积温度；处理室压强；和沉积源气体的组分。具体而言，我们已经发现，可以通过PECVD在单个沉积步骤中沉积膜来产生应力被调节在约－1.4GPa(压应力)到约+1.5GPa(张应力)范围内的单层薄(厚度为300埃到1000埃)氮化硅膜，沉积条件如下
应力调节单层氮化及其沉积方法

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