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[发明专利]半导体装置及用以制造半导体装置的方法-CN201310037498.4有效
发明人：江圳陵 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体装置及用以制造半导体装置的方法。其中半导体装置具有阻隔半导体层，用以将植入物渗透入阻隔半导体层下方的半导体层的量降至最低。阻隔半导体层可以具有较细或较小尺寸的晶粒及/或较低浓度的掺杂物，以将植入物渗透入阻隔半导体层下方的半导体层的量降至最低。
半导体装置用以制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910169146.8有效
发明人：黄焕宗;杨士洪;益冈有里;后藤贤一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，上述半导体基板定义从上述源极区至上述漏极区的一第一尺寸；一栅极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述漏极区之间。上述栅极堆叠结构包括一第一金属物，设置于上述高介电常数介电层上，上述第一金属物具有一第一功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第二尺寸；一第二金属物，其具有不同于上述第一功函数的一第二功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第三尺寸，上述第三尺寸小于上述第二尺寸。本发明提供的半导体装置及其制造方法能够增加调整短通道效应和起始电压的自由度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体激光器-CN202210083666.2在审
发明人：王振诺;仲莉;马骁宇;刘素平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光器管芯的下表面的尺寸和散热结构的下表面的尺寸相同；有源区的下表面的尺寸和散热结构的上表面的尺寸相同，有源区与散热结构的上表面对齐。将散热结构的横截面设置为梯形，起到促进半导体激光器工作时中心区域散热及抑制两侧散热的作用，进而增加半导体激光器管芯内部温度分布均匀性，抑制热透镜效应影响，提高光束质量，提升半导体激光器光电性能、可靠性和寿命
一种半导体激光器

[发明专利]半导体元件及其晶片级芯片尺寸封装-CN200710142760.6无效
发明人：野本健太郎;井川郁哉;齐藤博;佐藤隆志;大桥敏雄;大仓喜洋 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体元件及其晶片级芯片尺寸封装。该半导体元件包括半导体基底，该半导体基底具有用于制造电子电路的预定表面，其中与所述半导体基底的所述预定表面相对的表面被划分为多个用于指定识别标识的区域。
半导体元件及其晶片芯片尺寸封装

[发明专利]半导体器件的制备方法及三维存储器-CN202111312357.X在审
发明人：刘琪;任宇轩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制备方法及三维存储器。半导体器件的制备方法包括：在半导体衬底上形成覆盖半导体衬底的部分区域的阻隔层；从形成有阻隔层的一侧对半导体衬底进行离子掺杂以形成轻掺杂区；以及去除阻隔层，并在半导体衬底的形成有轻掺杂区的一侧上形成栅极层本申请提供的半导体器件的制备方法通过阻隔层阻挡掺杂粒子进入沟道区，由于阻隔层的物理尺寸的调节范围比栅极层的物理尺寸的调节范围更大，使得阻隔层可承受的掺杂能量的范围更大，进而改善半导体器件的HCI，提高半导体器件的良率和稳定性
半导体器件制备方法三维存储器

[发明专利]半导体器件-CN200610164038.8无效
发明人：榊原慎吾;齐藤博;铃木利尚 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体器件被如此设计，从而半导体传感器芯片被固定到具有矩形形状的基板的上表面上，半导体传感器芯片具有用于基于其位移而探测压力变化的膜片，基板用盖构件覆盖从而在基板和盖构件之间形成包围半导体传感器芯片的空腔空间这里，基板用模制树脂密封，从而芯片连接引线和封装引线部分地暴露在模制树脂之外；芯片连接引线电连接到半导体传感器芯片且沿半导体传感器芯片的一边成直线设置；且封装引线经由半导体传感器芯片与芯片连接引线相对设置于是，可以缩小半导体器件的尺寸而不显著改变半导体传感器芯片的尺寸。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410084901.X无效
发明人：渡濑和美;中村彰男;藤作实;楢冈浩喜;中野高宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-10-10 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种在与半导体衬底尺寸相同的晶片级(wafer level)CSP半导体器件领域中，能够利用表示半导体器件的方向及产品信息的标记，来识别被切成单个的半导体器件的方向及产品信息的半导体器件及其制造方法，其中，该标记能够在与半导体器件尺寸、形状及端子数目无关，且在不增加制造工序数目的情况下形成。与金属布线21的形成工序同时形成的第1标记19的一部分，从被切割成单个的半导体器件26的相互平行的两个侧面、或者一个侧面呈矩形状露出，从而能够识别小型半导体器件中的半导体器件的方向及产品信息。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]覆晶式半导体发光元件及其制造方法-CN201410167575.2在审
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种覆晶式半导体发光元件，包括从上到下依次排列的基板、N型半导体层、发光活性层、P型半导体层及分别形成在P型半导体层及N型半导体层上的P电极、N电极，基板远离发光活性层的一侧表面为上表面，所述上表面上设置有间隔的、尺寸为微米级的主体部，所述主体部的外表面上设置有尺寸为纳米级的凸起。一种覆晶式半导体发光元件的制作方法。
覆晶式半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]光刻工艺的显影方法-CN201010268601.2无效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：以第一速率旋转半导体晶片，同时向所述半导体晶片的圆心喷射显影液，使显影液浸润所述半导体晶片表面；以第二速率旋转浸润后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面喷射显影液；以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片，使显影液与半导体晶片表面的光刻胶层进行显影反应；采用去离子水清洗半导体晶片表面；其中，所述第一速率大于所述第二速率。通过应用所述方法，可以降低半导体晶片的光刻胶层的表面张力，增强表面的亲水性和界面亲和力，避免经显影后的半导体晶片上的不同区域形成的光刻图形尺寸不一致的缺陷，从而能够提高半导体晶片内的光刻图形尺寸均匀性，进而提高半导体器件电性的均匀性。
光刻工艺显影方法

[发明专利]半导体装置-CN200510003631.X无效
发明人：德永真也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：在上层半导体芯片的尺寸大于下层半导体芯片的尺寸的情况下，可以在不损伤半导体芯片的情况下对其进行封装。在一半导体装置中，第二半导体芯片(103)层压在第一半导体芯片(102)上并置入一封装中，在该半导体装置中，在构成第二半导体芯片(103)的外缘的四个边中至少有一边要设置得比构成第一半导体芯片(102)的外缘的四边大，从而提供从第一半导体芯片(102)的外缘伸出的一突出部分，并且，在其上层压第一半导体芯片(102)和第二半导体芯片(103)的电路衬底(101)的表面上提供一凸起支撑部件(110)。
半导体装置

[发明专利]图像传感器-CN201910610889.8在审
发明人： D·里多;A·克罗彻瑞 -专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸，第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔，并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸，第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔
像素半导体层波长谐振横向腔多光谱图像图像传感器光敏区域横向限定绝缘壁传感器波长外围申请

[发明专利]监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法-CN201510484604.2有效
发明人： F·劳贝 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法，包括：提供在参考半导体晶片的检查表面上具有特定数量和尺寸和密度的缺陷的参考半导体晶片；通过利用所述表面检查系统来实施参考半导体晶片的参考检查和参考半导体晶片的至少一个控制检查，测量所述检查表面上的缺陷的位置和尺寸；识别出因为其位置而被认为是所述参考检查和控制检查的共同缺陷的缺陷；对于每个共同缺陷，确定从基于所述参考检查和控制检查的其尺寸对比所获得的尺寸差值；以及基于所确定的尺寸差值来评估所述表面检查系统的工作状况
表面检查系统参考半导体晶片工作状况检查半导体晶片表面检查表面监控检测测量评估

[发明专利]半导体封装件转移方法、半导体封装件转移模块及半导体封装件锯切和分拣装置-CN202111579949.8在审
发明人：李济秀;裴汉洙;李龙玹;李硕镇 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了半导体封装件转移方法、半导体封装件转移模块及半导体封装件锯切和分拣装置。半导体封装件由拾取器拾取和转移，并且向拾取器供应空气以将半导体封装件放置在托盘上。根据半导体封装件的数量和每个半导体封装件的尺寸或重量来调整空气的压力。
半导体封装转移方法模块件锯切分拣装置

[发明专利]用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法-CN201910813994.1在审
发明人：陈冠蓉;陈奕志;谢升霖;林景彬;黄智睦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法。一种半导体结构，包括：有源半导体鳍，具有第一高度；虚设半导体鳍，与有源半导体鳍相邻，并且具有小于所述第一高度的第二高度；隔离结构，位于有源半导体鳍和虚设半导体鳍之间；以及电介质帽盖，位于虚设半导体鳍上方电介质帽盖与有源半导体鳍分离。
用于改进临界尺寸控制结构方法

[发明专利]具有碲化镉本征层的光伏电池-CN201110118328.X有效
发明人： B·A·科雷瓦尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该PV电池进一步包括n型半导体层(18)和第二导电层(22)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。
具有碲化镉电池