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[发明专利]一种半导体激光器的外延生长方法-CN202210038635.5有效
发明人： 马骁宇;张薇;刘素平;熊聪;林楠;仲莉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器的外延生长方法，包括：制备外延片，其中，外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；依次对上限制层和欧姆接触层进行部分刻蚀，露出上波导层的上表面；在露出上波导层的上表面上外延生长掺杂材料层，得到外延生长后的外延片；对外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，预处理用于形成非吸收窗口；对预处理后的外延片进行刻蚀，刻蚀掉掺杂材料层，再次露出上波导层的上表面；在再次露出上波导层的上表面上再次依次外延生长上限制层和欧姆接触层；其中，外延生长方法发生在同一反应腔室内。
一种半导体激光器外延生长方法

[发明专利]排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质-CN202110386230.6有效
发明人：戚宇轩;李伟;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开实施例提供了排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质。包括：获取初始阵列排布模型，初始阵列排布模型包括边缘阵列区域和内部阵列区域，边缘阵列区域包围内部阵列区域，边缘阵列区域呈目标形状，位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置可移动；调整初始阵列排布模型中的位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置，直至温度势能排斥模型达到稳定状态，温度势能排斥模型达到稳态状态为调整后的初始阵列排布模型中的各个VCSEL单元之间的温度斥力达到平衡的状态；在确定调整后的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下，将调整后的初始阵列排布模型确定为目标阵列排布模型。
排布优化方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器-CN201910540105.9有效
发明人：赵碧瑶;井红旗;刘翠翠;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/0237 文献下载
摘要：一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。
半导体激光器芯片封装方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202310498122.7在审
发明人：聂语葳;李伟;刘素平;马骁宇;吕家纲;潘智鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器，包括：二维亚波长光栅，所述二维亚波长光栅包括：光栅层，所述光栅层包括：多个柱状的光栅凸起，所述光栅凸起在第一方向和第二方向上具有不同的光栅宽度，所述第一方向和第二方向为光栅凸起的排列方向；光栅间隙，所述光栅间隙形成在所述光栅凸起周围表面；基底层，所述光栅层形成在所述基底层表面。二维亚波长光栅可以作为垂直腔面发射激光器的反射镜，从而减少顶层DBR对数，并为垂直腔面发射激光器提供偏振选择特性。
垂直发射激光器

[发明专利]一种汽油车制动真空助力系统及控制方法-CN202210567029.2有效
发明人：陈正江;陈健;刘聪聪;李立波;马骁宇 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B60T13/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽油车制动真空助力系统及控制方法，制动真空助力系统包括发动机进气歧管、零差单向阀、真空助力器及电子真空泵；发动机进气歧管通过第一真空管与真空助力器连接，真空助力器通过第二真空管与电子真空泵连接，在第一真空管内设置有零差单向阀；在零差单向阀与真空助力器之间依次设置有真空筒及有差单向阀。本技术方案结构简单，保留了现有方案两套独立的真空助力器抽取真空的路径，降低电子真空泵的工作时间，保障了制动真空助力系统的可靠性和耐久性。同时，在特定工况下，能够有效降低真空助力器内的空气流入发动机进气歧管的速率，降低发动机转速上漂的幅度。
一种汽油车制动真空助力系统控制方法

[发明专利]一种油箱的防浪结构-CN202111185960.6有效
发明人：刘聪聪;张中刚;张愉;吴昌庆;马骁宇;陈健;洪学臣 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B60K15/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种油箱的防浪结构，包括箱体，所述箱体内设有至少两根立柱，所述立柱的上下两端分别与箱体的内侧顶面和底面分别连接，所述立柱上设有滑动套，所述滑动套之间连接有防浪膜，所述防浪膜铺设在油液表面；所述滑动套的四周还套设有浮球环，所述浮球环固定在所述防浪膜上，且所述浮球环上设有多个浮球。本发明所公开的油箱的防浪结构能够有效降低燃油的波动，达到防浪的效果。当燃油晃动时，由于防浪膜的作用，可以有效减缓燃油的晃动；当燃油波动时，浮球会跟随燃油的表面上下波动，当浮球上下波动时，防浪膜会被拉伸，防浪膜本身具备一定的延伸性和弹性，通过弹性形变，抵抗油浪的产生。
一种油箱结构

[发明专利]采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法-CN202210134222.7有效
发明人：刘振武;仲莉;马骁宇;刘素平;熊聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。
采用衬底半导体激光器及其制备方法

[发明专利]列车折返控制系统及方法-CN202310079187.8在审
发明人：马瑛;潘玉奇;霍剑宇;马骁宇;崔昌皓;杨思文 -专利权人：通号城市轨道交通技术有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B61L15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种列车折返控制系统及方法，该列车折返控制系统包括：无线交换机；车载ATC设备，车载ATC设备与无线交换机通信连接，车载ATC设备用于获取列车的折返信息；ATC仿真平台，ATC仿真平台通过无线交换机与车载ATC设备通信连接，ATC仿真平台用于获取列车的状态数据，ATC仿真平台用于基于折返信息和状态数据生成折返指令，折返指令用于指示车载ATC设备与ATC仿真平台执行折返换端。本发明所述系统实现将虚拟ATC设备替代真实的ATC设备与另一端ATC进行首尾通信，减少车载设备的维护成本，并缩短了车载设备调试周期，提高了列车折返效率。
列车折返控制系统方法

[发明专利]一种具有电流阻挡层的激光器-CN202110487707.X有效
发明人： 马骁宇;常津源;刘素平;熊聪;仲莉;林楠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电流阻挡层的激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构包括：衬底，自衬底至上依次包括缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层和欧姆接触层；腐蚀截至层，设置于所述欧姆接触层上；电流阻挡层，设置于所述腐蚀截至层上。
一种具有电流阻挡激光器

[发明专利]光子晶体垂直腔面发射激光器-CN202110427471.0有效
发明人：潘智鹏;李伟;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开提出一种光子晶体垂直腔面发射激光器，包括：氧化限制层；P型DBR反射层，生长于所述氧化限制层上；所述P型DBR反射层刻蚀有发光区以及沿所述发光区的径向周期性布置的多层孔径渐变光子晶体空气孔结构；其中，所述多层孔径渐变光子晶体空气孔结构为带有中心点缺陷的二维光子晶体空气孔结构。本公开中的光子晶体垂直腔面发射激光器可以实现大功率的单模激射，而且在发光区径向引入了折射率的梯度分布，可以进一步减小远场发散角，提高光束质量。
光子晶体垂直发射激光器

[发明专利]一种去除外延片衬底的方法-CN202111046426.7有效
发明人：吕家纲;李伟;刘素平;马骁宇;仲莉;熊聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键合外延片进行腐蚀，直至暴露所述外延层，得到暴露外延层的键合外延片；以及对暴露外延层的键合外延片进行解键合，分离外延层和临时牺牲片。本发明能够将大功率半导体发光器件的衬底完全去除，降低器件热耗散，提高散热能力，从而增大器件输出功率和功率转换效率。
一种去除外延衬底方法

[发明专利]隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法-CN202210540965.4在审
发明人：熊聪;祁琼;林楠;常津源;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第二反偏的PN结构；在所述第二反偏的PN结构上生长第三发光区；以及在所述第三发光区上制作欧姆接触层，并在所述欧姆接触层和衬底表面制作电极，从而完成隧道级联多有源区半导体激光器的制备。本公开还提供一种隧道级联多有源区半导体激光器。
隧道级联有源半导体激光器及其制备方法

[发明专利]锥形半导体激光器及其制作方法-CN202110045443.2在审
发明人：曼玉选;仲莉;马骁宇;刘素平;井红旗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。
锥形半导体激光器及其制作方法

[发明专利]一种半导体激光器-CN202210083666.2在审
发明人：王振诺;仲莉;马骁宇;刘素平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光器管芯的下表面的尺寸和散热结构的下表面的尺寸相同；有源区的下表面的尺寸和散热结构的上表面的尺寸相同，有源区与散热结构的上表面对齐。将散热结构的横截面设置为梯形，起到促进半导体激光器工作时中心区域散热及抑制两侧散热的作用，进而增加半导体激光器管芯内部温度分布均匀性，抑制热透镜效应影响，提高光束质量，提升半导体激光器光电性能、可靠性和寿命。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法-CN202111680297.7在审
发明人：林楠;熊聪;马骁宇;刘素平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成，应变补偿多量子阱层外表面均布置为张应变量子垒层。下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。本发明半导体可饱和吸收镜具有较高的调制深度，应用于掺Yb光纤超快激光器可实现自动锁模，重复周期稳定。
一种半导体饱和吸收及其制备方法

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