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[发明专利]一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法-CN200810035500.3无效
发明人：陆卫;杨希峰;陈平平;李天信;甄红楼;张波;李宁;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
一种利用荧光光谱测量半导体量子尺寸分布方法

[发明专利]施行最后临界尺寸控制的方法及装置-CN01814585.X有效
发明人： G·古德温 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体晶片(105)制造过程期间，控制最后临界尺寸的方法及装置。其系处理半导体元件(105)的制造作业。由所处理的半导体元件(105)，获取计量数据。用所获取的计量数据，施行最后临界尺寸控制调整工艺。响应该最后临界尺寸控制调整工艺，施行反馈/前馈修正工艺。
施行最后临界尺寸控制方法装置

[发明专利]一种生长有机半导体单晶的方法及装置-CN202111607419.X有效
发明人：陈小松;付瑶;孙首港;王颜鹏;李立强;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长有机半导体单晶的方法及装置，属于有机电子学技术领域。所述方法包括：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置加压后固定，然后进行加热，冷却后得到大尺寸有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置用于限制有机半导体单晶的生长方向。本发明通过一种可以施加不同大小的压力且能够被加热的装置，再通过温度与空间限制的作用控制有机半导体薄膜的二次再结晶，进而获得生长条件可控、生长时间快速以及尺寸较大的有机半导体单晶材料。
一种生长有机半导体方法装置

[发明专利]半导体封装件的散热模块化结构及其制造方法-CN200810080552.2无效
发明人：程吕义 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体封装件的散热模块化结构及其制造方法，是提供至少一包含有芯片承载件、设置于该芯片承载件上的半导体芯片、及设置于该半导体芯片上的第一散热件的半导体封装件，以将该半导体封装件通过其芯片承载件而电性连接至一外部电子装置上，再将至少一第二散热件组设于该半导体封装件的第一散热件，其中该第二散热件的尺寸大于该第一散热件的尺寸，从而通过模块化方式结合该半导体封装件、第一散热件、外部电子装置及第二散热件，以提升半导体封装件的散热效率
半导体封装散热模块化结构及其制造方法

[实用新型]一种集成电子器件的半导体测量装置-CN202223482239.6有效
发明人：陆洪飞;王春峰 -专利权人：深圳市景森技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成电子器件的半导体测量装置，包括底座、第一收集盒和第二收集盒，所述第一收集盒和第二收集盒均放置在第二电子称重计上，所述第二电子称重计固定在底座上。该集成电子器件的半导体测量装置，利用传送带装置向右输送半导体的过程中，吹尘通道向下吹风，方便吹除半导体表面的灰尘，半导体到达支板的下方之后，降下支板，随后两个夹板相互靠近，在使用该装置之前可预设好两个夹板的移动间距，且支板可旋转，方便先后检测半导体的长和宽，若压力传感器未检测到压力，则表示半导体尺寸偏小，若压力传感器检测到压力在一定范围内，则表示半导体的尺寸合格，若压力传感器检测到的压力过大，则表示半导体的尺寸偏大
一种集成电子器件半导体测量装置

[发明专利]半导体装置及其半导体工艺-CN201010602272.0无效
发明人：郑斌宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体装置及其半导体工艺。本发明的半导体装置包括一半导体基板、至少一导电孔及至少一绝缘环。该半导体基板具有一第一表面。该导电孔位于该半导体基板内。每一导电孔具有一导体及一绝缘墙位于该导体的外围，且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面。该绝缘环位于该导电孔的外围，且该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。此外，该绝缘环及该导电孔的尺寸大于已知导电孔的尺寸，本发明的半导体装置能利用表面处理层、重布层或球下金属层轻易连接其它半导体装置。
半导体装置及其工艺

[实用新型]SIP模组和电子设备-CN201921831271.6有效
发明人：李利 -专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种SIP模组和电子设备，SIP模组包括基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及电磁屏蔽网。第一半导体芯片为中部镂空的环形芯片，且第一半导体芯片中部镂空区域的尺寸大于第二半导体芯片的尺寸，第一半导体芯片焊接在基板上，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片中部镂空区域且焊接在基板上。电磁屏蔽网设置在第二半导体芯片上，且电磁屏蔽网与第一半导体芯片固定。通过设置在第二半导体上方的电磁屏蔽网对第一半导体芯片及第二半导体芯片进行电磁屏蔽，与填充屏蔽胶的方式相比，由于无需通过激光的方式开槽，本实用新型的电磁屏蔽网的结构更加简单，且电磁屏蔽效果更好。
sip 模组电子设备

[发明专利]一种金属栅极半导体结构及其制备方法-CN201711386290.8在审
发明人：黄秋铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属栅极半导体结构及其制备方法，上述制备方法具体包括：提供半导体衬底；在上述半导体衬底上均匀沉积第一掩膜层；对应上述金属栅极所在区域，图案化蚀刻上述第一掩膜层形成凹陷；在上述凹陷的侧壁形成倾斜侧墙，上述倾斜侧墙与上述衬底上表面构成凹槽结构，上述凹槽结构的上部尺寸大于下部尺寸；在上述凹槽结构中形成金属栅极；以及去除上述第一掩膜层。本发明还提供了一种金属栅极半导体结构，具体包括：半导体衬底；倾斜侧墙，位于上述半导体衬底上，与上述衬底上表面构成凹槽结构，上述凹槽结构的上部尺寸大于下部尺寸；以及金属栅极，位于上述凹槽结构中。
金属栅极凹槽结构衬底半导体结构半导体倾斜侧墙掩膜层制备衬底上表面凹陷蚀刻均匀沉积所在区域图案化侧壁去除空洞保证

[发明专利]一种小尺寸半导体激光器及其制备方法-CN201310432868.4有效
发明人：刘欢;沈燕;徐现刚;王英 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台
制备尺寸半导体激光器蒸镀半导体激光器芯片半导体激光器欧姆接触层芯片发明制备工艺带肩结构管芯图形图形周期制备周期蒸发台衬底放入光刻后翻划伤减薄刻蚀清洗污染生产

[发明专利]半导体元件搭载用基板以及其制造方法-CN201810631885.3有效
发明人：久保田觉史 -专利权人：大口电材株式会社
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明在用于制造“通过从用密封树脂密封搭载有半导体元件的区域而成的树脂密封体除去金属板来制造且在背面侧露出的由镀层构成的外部连接用端子与印制电路板等外部设备连接的类型”的半导体封装件的半导体元件搭载用基板中，提供能够提高半导体封装产品的成品率、生产效率，也能够对应于小型化，而且使软钎料连接部分能够目视的半导体元件搭载用基板以及其制造方法。半导体元件搭载用基板具有：形成于金属板(10)的一侧的表面且尺寸比半导体封装件的底面尺寸小且比半导体元件的底面尺寸大的凹部(11)；和在从凹部的底面(11a)至侧面(11b)及凹部(11)的外侧的表面的预定位置带有台阶地形成且由镀层构成的多个端子部
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]半导体器件特征尺寸的测量方法及测量设备-CN201910363090.3有效
发明人：龚成波 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件特征尺寸的测量方法、设备及可读存储介质，该方法包括：基于测试键对第一区域和第二区域进行检测，得到第一区域上半导体器件的特征尺寸值，以及第二区域上半导体器件的待修正特征尺寸值，基于待测试面板上第一区域与第二区域的断差关系，确定修正偏差值，利用修正偏差值对待修正特征尺寸值进行修正，将修正结果作为第二区域上半导体器件的特征尺寸值。基于本发明提供的测量方法，只需要一次测量便能同时得到第一区域和第二区域上半导体器件的特征尺寸值，具有测量过程简单、耗时少的特点。
半导体器件特征尺寸测量方法测量设备

[发明专利]半导体封装件-CN201110289622.7无效
发明人：沈鹏 -专利权人：三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：焊盘区域；焊盘，位于焊盘区域上；半导体芯片，结合到焊盘，其中，根据所述半导体芯片的大小调节半导体芯片结合到焊盘上的位置。根据本发明的半导体封装件，可以根据半导体芯片的大小调节引线的长度，并且可以将不同尺寸的半导体芯片键合到焊盘区域上。
半导体封装

[发明专利]半导体材料的高通量再结晶-CN201080055477.X有效
发明人： P·马宗达;B·苏曼;G·B·库克;N·文卡特拉曼 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明揭示了制备和/或处理半导体材料制品的方法。在多个方法中，提供第一半导体材料制品，充分加热所述第一半导体材料制品，使该半导体材料熔化，在基本平行于熔融的半导体材料制品最短尺寸的方向上使所述熔融的半导体材料固化。本发明还揭示了通过本文所述的方法制备的半导体材料制品。
半导体材料通量再结晶

[发明专利]一种半导体结构、显示面板及制备方法-CN202211567419.6在审
发明人：阎睿;关峰;杜建华;吕杨;王超璐;赵梦;吴昊;王易成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构、显示面板及制备方法。制备方法包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。通过本发明提供了一种晶粒尺寸更大，载流子迁移率更高的半导体薄膜结构。
一种半导体结构显示面板制备方法

[发明专利]制造半导体基片的方法和装置-CN201610158724.8有效
发明人：李光武 -专利权人：李光武
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体基片的方法和装置。制造半导体基片的方法包括如下步骤：将半导体材料加热至熔融状态，得到熔融半导体材料；利用热喷涂枪将所述熔融半导体材料热喷涂至基板上，随后降温，使基板上的熔融半导体材料凝固，得到半导体基片。本发明的方法在制造半导体基片时材料利用率高、制造成本低，制造的半导体基片尺寸大、厚度可控、纯度高，应用前景广泛。
制造半导体方法装置