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[发明专利]半导体器件的量测方法-CN202111073814.4在审
发明人：张云静;王鑫;刘军;魏强民 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的量测方法，包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底和位于衬底上的半导体结构；依据半导体结构的参考标记设定，在图像处理软件中生成一个标记图；利用聚焦离子束在半导体结构上依据标记图同时生成多个实体标记；利用透射电子显微镜获取半导体结构的TEM图像，并根据多个实体标记，对半导体结构进行尺寸量测，通过该方法能自动快速标记半导体结构，以节省人力时间和降低成本。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN202080083144.1在审
发明人：藤永阳一郎;铃木优美;大上丞 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：提供一种可以减小尺寸并且包括珀耳帖元件的半导体器件。该半导体器件包括半导体基板和面向该半导体基布置的珀耳帖元件。该珀耳帖元件具有第一基板和布置在第一基板与半导体基板之间的热电半导体。该半导体基板具有设置在面向该第一基板的表面侧的第一电极。该第一基板具有设置在面向该半导体基板的表面侧的第二电极。第一电极和第二电极均连接至热电半导体。
半导体器件

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN200810002436.9无效
发明人：郑冠镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包含半导体封装模块，该半导体封装模块具有形成于绝缘基板上的电路图案，通过凸块电连接至每个电路图案的至少两个半导体芯片，以及填入该半导体模块的任何开放空间中的绝缘构件。盖板形成于半导体封装模块的上部，穿透电极穿透半导体封装。穿透电极电连接至电路图案。所述半导体封装改进了例如尺寸、可靠性、翘曲防止与迅速散热的重要特性。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体组件-CN202111197717.6在审
发明人：许桀豪;赖彦锟;涂伟祥;刘浩君;张国钦;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体组件，其包括半导体管芯、第一导电垫、第二导电垫、第一连接件结构和第二连接件结构。第一导电垫设置在半导体管芯上，其中第一导电垫具有第一侧向尺寸。第二导电垫设置在半导体管芯上，其中第二导电垫具有第二侧向尺寸。第一连接件结构设置在第一导电垫上，其中第一连接件结构具有大于第一侧向尺寸的第三侧向尺寸。第二连接件结构设置在第二导电垫上，其中第二连接件结构的第四侧向尺寸小于第二侧向尺寸。
半导体组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710154191.7无效
发明人：山野孝治 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2007-09-24 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括由封装树脂封装的半导体芯片，本发明的目的是提供一种可以减小尺寸的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体芯片(15)；外部连接端子焊盘(18)，其与所述半导体芯片(15)电连接；封装树脂(16)，其用于封装半导体芯片(15)，其中，外部连接端子焊盘(18)形成于配线图案(12)上面，该配线图案(12)设置在半导体芯片(15)和外部连接端子焊盘(18)之间，半导体芯片(15)倒装结合到所述配线图案(12)上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体晶片和半导体晶片检查方法-CN200880001465.1无效
发明人：柴田馨;冈林真志;本津泰弘;入仓正登;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-10-03 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供具有均匀半导体膜的半导体晶片。对于2英寸直径的半导体晶片(1)，在每一个半导体晶片(3)中形成一个至20个的针孔(3)。因而，在形成半导体膜之后获得半导体晶片(1)的翘曲值减小以及在曝光之后获得尺寸变化减小的效果。可以预计，通过针孔(3)的存在而导致半导体晶片(1)的表面上的位错被消除，从而能够获得这种效果。能够均匀化半导体膜的膜质量，以及均匀化半导体装置的性能，并且可以防止半导体晶片(1)破碎。
半导体晶片检查方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202111346529.5在审
发明人：郭帅 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。该方法包括：提供半导体衬底，形成第一位线；半导体衬底上形成支撑层，包括堆叠的第一氧化层、第一牺牲层、第二氧化层、第二牺牲层、第三氧化层、第三牺牲层和第四氧化层；在对应第一位线的位置形成贯穿支撑层的有源柱；去除第一和第三牺牲层，形成第一沟槽；去除有源柱的周向壁，形成第一环形槽，在竖直方向，第一环形槽大于第一沟槽的尺寸；在第一环形槽中形成P型填充物；于P型填充物形成半导体氧化物层，在竖直方向，半导体氧化物层的尺寸不小于第一沟槽的且小于P型填充物的尺寸；在第一沟槽中形成字线层；去除第二牺牲层形成第二沟槽并形成漏极连接层。该方法能够缩小半导体结构尺寸。
半导体结构制备方法

[实用新型]半导体衬底-CN201520758856.5有效
发明人：杨彦涛;邵凯;顾悦吉;刘鹏;於广军 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体衬底，所述半导体衬底的正面的边缘形成开口区，如此，即便半导体衬底与衬片之间存在尺寸差距或者贴片过程发生对准误差，开口区环绕的半导体衬底的中心区域也不会受影响，可避免减薄后的半导体衬底的边沿出现缺口
半导体衬底

[发明专利]半导体器件的制作方法、存储器及其制作方法-CN202210988063.7在审
发明人：颜丙杰;孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法、存储器及其制作方法、存储器系统，所述半导体器件的制作方法包括：在半导体结构中形成沟槽；其中，所述沟槽的底部位于所述半导体结构内；在所述沟槽内填充第一掺杂材料，形成第一掺杂层；其中，所述第一掺杂层覆盖所述沟槽侧壁的第一区域，沿垂直于所述半导体结构的第一方向，所述第一区域的尺寸小于所述沟槽侧壁的尺寸；对所述半导体结构进行热处理；其中，在所述热处理过程中，所述第一掺杂层的掺杂粒子扩散进入所述第一区域，形成所述半导体器件的第一掺杂区。
半导体器件制作方法存储器及其

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211119507.X在审
发明人：魏凯利;眭小超 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面；在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层；在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一预设功率和所述第二预设功率的设置满足：使所述第一金属层的晶粒的尺寸大于所述第二金属层的晶粒的尺寸；在第一预设温度下执行退火处理；所述第一预设温度的设置满足：使所述第一金属层与所述导电引出面建立欧姆接触本发明所提供的半导体结构的制备方法及半导体结构，使半导体器件有更稳定的性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201410038085.2有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子与第二晶体管的控制栅的材料相同，因此可以在同一工艺中制备，从而可以简化工艺，减小该半导体器件的尺寸。本发明的半导体器件的制造方法，在形成第二晶体管的控制栅的同时形成第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子，可以简化工艺，并在一定程度上减小该半导体器件的尺寸。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]形成侧墙方法-CN200810114300.7有效
发明人：王新鹏;韩宝东;韩秋华;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成侧墙方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、形成于栅极结构两侧及其上的第一侧墙层和第二侧墙层；刻蚀栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层；刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸；去除栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层。本发明通过将刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸的刻蚀步骤与去除栅极结构上和半导体衬底上残留的第二侧墙层的步骤分开进行，达到容易控制侧墙形状的目的。
形成方法

[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法-CN201710244086.6有效
发明人：孔杰;居宇涵 -专利权人：合肥视涯技术有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法，其中荫罩的制作方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括正面和相对的背面；形成覆盖所述半导体基底的正面的格栅膜层；刻蚀所述格栅膜层，在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口暴露出半导体基底正面表面；沿半导体基底的背面刻蚀半导体基底，在半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽。本发明形成的荫罩中格栅膜层中开口的尺寸可以较小并形貌较好，将之用于蒸镀时能形成尺寸较小且形貌较好的发光单元，并能减小阴影效应的影响，提高开口率。
用于 oled 及其制作方法面板

[发明专利]改善半导体组件不同图案间关键尺寸的一致性的方法及装置-CN200410001264.5有效
发明人：张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-01-05 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种改善半导体组件不同图案间关键尺寸的一致性的方法及装置，其步骤是：提供一半导体基材，接着形成一层光致抗蚀剂层于该半导体基材之一表面上；提供一个掩模于半导体基材之上方，该掩模至少包含有一大型图案区、一小型图案区及一虚拟图案围绕在该小型图案区的周围；然后，提供一曝光光源并且使用该曝光光源与该掩模对该半导体基材进行曝光。最后，执行一显影步骤以形成复数个光致抗蚀剂图案于该半导体基材之该表面上。本发明可以改善半导体组件大型图案与小型图案间之尺寸偏差。
改善半导体组件不同图案关键尺寸一致性方法装置

[发明专利]方型扁平无引线封装的方法和设备-CN200780039476.4有效
发明人：詹姆斯·J·王;威廉·G·麦克唐纳 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种将方型扁平无引线(QFN)封装(300，400)的尺寸减小至芯片尺寸封装的方法和设备。这样的QFN封装包括：第一半导体芯片(310，410)；多个凹进的引线(306，406，408，411)，具有模塑锁部件；以及模塑材料(340，440)，基本包围半导体芯片的所有面。半导体芯片的活性表面(314，414)被定向向着QFN封装的安装面(307，407)，以及多个键合线(330，430)设置在活性表面和安装面之间，将活性面耦合到引线。QFN封装也可包括第二半导体芯片(452)，以与第一半导体芯片类似的方式，第二半导体芯片(452)通过键合线(431，432)耦合到多个引线(408)和第一半导体芯片。
方型扁平引线封装方法设备