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[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201410510986.7有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体和形成在基体上的缓冲层，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体，所述微结构包括多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构之间形成凹槽，所述缓冲层形成在所述凹槽内并覆盖每一阻挡结构，所述阻挡结构的折射率小于缓冲层的折射率。本发明还提供一种该发光二极管的制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201711401679.5在审
发明人： 邱镜学;凃博闵;林雅雯 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延片。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、依次覆盖在所述蓝宝石衬底的C面上的缓冲层、N型半导体层、发光活性层和P型半导体层。所述发光活性层包括至少一层量子阱结构。每层量子阱结构包括量子阱区、渐变区、高铝区以及阻挡区。所述阻挡区覆盖并连接所述高铝区，所述P型半导体层覆盖并连接所述阻挡区。所述渐变区的材质为铝掺杂或铟掺杂的氮化镓，且铝或铟的含量自靠近N型半导体层的一侧向远离N型半导体层的一侧呈线性变化。本发明还提供一种所述发光二极管外延片的制造方法。
发光二极管外延阻挡区发光活性层量子阱结构蓝宝石渐变区衬底高铝覆盖量子阱区线性变化氮化镓缓冲层铝掺杂铟掺杂制造

[发明专利]发光二极管微晶粒的制作方法-CN201711071742.3在审
发明人：凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠;林雅雯;邱镜学 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管微晶粒的制作方法，包括：提供衬底基板，在衬底基板上形成缓冲层，且在缓冲层的表面形成激光阻隔层；在所述激光阻隔层上形成阵列排列的发光二极管微晶粒；提供辅助基板，在所述辅助基板上形成一层粘着胶层；将所述辅助基板具有粘着胶层的表面压向所述发光二极管微晶粒，所述粘着胶层填充所述发发光二极管微晶粒之间的间隙，并对所述粘着胶层进行固化；从所述衬底基板的底面照射所述衬底基板使所述缓冲层气化，所述衬底基板与所述激光阻隔层分离；蚀刻移除所述衬底基板；以及对所述粘着胶层进行解胶，便得到多个发光二极管微晶粒。
发光二极管微晶粒衬底基板着胶辅助基板缓冲层阻隔层激光蚀刻表面形成阵列排列表面压底面解胶气化移除固化填充制作照射

[发明专利]发光二极管晶粒的检测方法-CN201711039233.2在审
发明人：凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠;林雅雯;邱镜学 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：提供一装有溶剂的容器，将多个发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；将所述发光二极管晶粒进行定位以去除位于所述基板的第一表面上的发光二极管晶粒；对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；提供一承载膜，依据检测结果将发光二极管晶粒进行分类或分级。
发光二极管晶粒基板容置孔混合溶液溶剂检测电路第一表面检测结果承载膜分级去除筛选分类

[发明专利]发光二极管封装结构-CN201510076646.2有效
发明人： 邱镜学;黄嘉宏;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，其特征在于：所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。
发光二极管封装结构

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410463095.0有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括：第一半导体层；形成在第一半导体层上的第一发光层，所述第一发光层发出第一种颜色光；形成在第一发光层上的第二发光层，所述第二发光层发出与第一种颜色光不同的第二种颜色光；及形成在第二发光层上的第二半导体层。在本发明的发光二极管晶粒中，第一发光层及形成在第一发光层上的第二发光层形成在同一发光二极管晶粒中，第一发光层发出的第一种颜色光与第二发光层发出的第二种颜色光能够充分混合形成与第一、二种颜色光不同的另一种颜色光，发光二极管晶粒的演色性及混色性较佳，且成本较低。本发明还设计上述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410480585.1有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板一侧的一预生长层、一第一绝缘层和一发光结构，其中，所述基板包括一第一电极，一第二电极和一绝缘部，所述第一电极包覆第二电极且与第二电极间隔设置，所述绝缘部设于所述第一电极和第二电极之间；发光二极管晶粒还包括所述预生长层侧面外围还设有一第二绝缘层和一金属层。相比于现有技术，本发明的发光二极管晶粒的第一电极和第二电极设于第一半导体层和第二半导体层的下方以达到降低漏电情况的发生，同时可以增加发光二极管晶粒的光取出面积。本发明还提供一种上述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201410441937.2有效
发明人： 邱镜学;黄嘉宏;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法，有效地解决了由于电极的反射而导致的发光二极管发光效率降低的问题。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310333327.6有效
发明人：林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括基板及形成于所述基板上的一半导体结构，所述半导体结构内形成有呈矩阵设置的多个第一通孔及第二通孔，所述第一通孔与第二通孔为接触重迭且交错的排列。本发明中所述第一通孔及第二通孔与半导体之间的折射率差异使到半导体结构内设置有第一通孔及第二通孔区域内的光线易发生反射，从而使所述半导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界处具有光反射功能，当半导体结构产生的光线发射方向为朝向基板时，这些光线遇到导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界后，因空气与半导体结构的材料之间的折射系数差异而使光线朝向背离基板折射并继而出射，从而提高发光二极管的光萃取效率。本发明还包括所述发光二极管的制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410442016.8有效
发明人：黄嘉宏;邱镜学;杨顺贵;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度随着与第一电极之间的距离变大而变浅，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。本发明还涉及所述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]发光二极管及发光二极管制造方法-CN201310352606.7有效
发明人：林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括蓝宝石基板，其表面形成有多个凸起。蓝宝石基板的具有凸起的表面上形成有未掺杂的GaN层。多个碳纳米管覆盖在未掺杂的GaN层的表面上，且相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面。N型GaN层形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管。活性层以及P型GaN层依次形成在N型GaN层表面。所述碳纳米管可使到N型GaN层形成侧向生长，从而降低N型GaN层中的晶体缺陷。同时，由于碳纳米管的电阻率小于N型GaN层，其可使电流迅速扩散到N型GaN层的各个区域，从而提高了其的电流扩散性能。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310347702.2有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，未掺杂的高温GaN层不完全覆盖未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层；在露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附著的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]单光子光源元件及其制造方法-CN201310410729.1有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种单光子光源元件制造方法，包括以下步骤提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的阵列和一平面区；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3气氛中热处理，使量子阱层转变为量子点层；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。
光子光源元件及其制造方法

[发明专利]发光芯片及其制造方法-CN201310160171.6有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，还包括位于P‑N接面之中的补偿层，补偿层在生长过程中填补发光芯片的磊晶缺陷中的悬空键。由于补偿层的作用，发光芯片具有较高的逆向电压，从而获得较高的品质。本发明还提供一种发光芯片的制造方法。
发光芯片及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310368837.7有效
发明人： 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附著的二氧化硅纳米球上生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
发光二极管及其制造方法

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