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[发明专利]一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用-CN202110529082.9有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。
一种质量氮化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化铝衬底模板的制作方法-CN202110701036.2有效
发明人：贾晓龙;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝衬底模板的制作方法，包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；(2)、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内，在氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；(3)、在MOCVD炉内，对第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，以在第一低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；(4)、在MOCVD炉内，继续在高温蚀刻后的第一低温氮化铝层上生长第二低温氮化铝层。其能消除氮化铝衬底模板表面的裂纹，提升UVC‑LED各项光电参数及芯片可靠性，并且，其可以直接在MOCVD炉内进行，制造成本低，可以应用于大批量快速生产。
一种氮化衬底模板制作方法

[发明专利]一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法-CN202210959840.5有效
发明人：许杰;郭佳;杨润伍;林朗;王恒昌;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明属于氮化铝材料技术领域，具体涉及一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法。本发明提供了一种氮化铝改性方法，包括以下步骤：将磷酸二氢铝、硼酸和羧酸溶解于有机溶剂，得到改性溶液；将所述改性溶液和氮化铝混合进行表面改性，得到改性氮化铝。本发明在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下与氮化铝及其表面的羟基等含氧官能团反应形成致密的保护层避免氮化铝直接与水接触；同时在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下形成的保护层与氮化铝具有较强的结合力能够在85℃的高温条件下长期存在，不发生脱落提高了改性氮化铝的高温耐水解性。
一种改性氮化及其应用方法

[发明专利]一种外延生长氮化铝的方法、氮化铝材料及应用-CN201811381279.7在审
发明人：徐俞;王建峰;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长氮化铝的方法、氮化铝材料及应用。所述外延生长氮化铝的方法包括：提供一衬底，所述衬底表面为碳化硅材料；在所述碳化硅材料上设置作为插入层的多层石墨烯，在载有所述多层石墨烯的衬底上外延生长氮化铝材料。本发明以多层石墨烯为插入层外延生长氮化铝，可以获得大尺寸外延氮化铝单晶材料或氮化铝基紫外LED，并且生长的氮化铝容易实现机械剥离，剥离后的衬底可以反复使用。
一种外延生长氮化方法材料应用

[发明专利]一种高纯氮化铝的制备方法-CN202111499382.3在审
发明人：徐前进;刘坤吉 -专利权人：江西宝弘纳米科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铝制备技术领域，尤其涉及一种高纯氮化铝的制备方法。本发明提供的制备方法，在流动氮气中，将包括铝源和碳源的混合料进行还原氮化反应，得到氮化铝半成品；所述铝源为拟薄水铝石和/或γ氧化铝，所述铝源的纯度≥99.5％；在流动氮气气氛中，将所述混合料进行还原氮反应，得到氮化铝半成品；将所述氮化铝半成品烧炭，得到所述高纯氮化铝。本发明提供的制备方法实现了高纯氮化铝的低成本制备。
一种高纯氮化制备方法

[发明专利]氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料、其制备方法及应用-CN202010657307.4有效
发明人：伍小波;刘春轩;张扬;吴云;蒋兆汝;曹柳絮 -专利权人：湖南金天铝业高科技股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本申请涉及氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料、其制备方法及应用。该氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料包括粉末冶金铝基材料预制件，于所述预制件表面原位生成的氮化铝层及于所述氮化铝层表面原位生成且与所述氮化铝层钉扎结合的氮化硼层。该氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料，不仅具有良好的导热性能，而且耐磨性能也较好。
氮化增强复合材料制备方法应用

[发明专利]氮化铝外延结构，其制备方法以及半导体器件-CN202210145873.6有效
发明人：王国斌;闫其昂 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝外延结构，包括衬底以及生长于衬底上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层上具有外延生长的氮化铝外延层；其中，所述超晶格缓冲层包括多个依次叠置的缓冲单元，每个缓冲单元均由氮化硼缓冲层以及氮化铝缓冲层组成；所述超晶格缓冲层的起始层为氮化硼缓冲层，终止层为氮化铝缓冲层。本发明还公开了所述氮化铝外延结构的制备方法以及包含所述氮化铝外延结构的半导体器件。本发明提供的氮化铝外延结构，解决了在异质衬底上生长氮化铝外延层时由于晶格失配而导致的高缺陷密度和晶片开裂等技术问题，并可获得高质量的氮化铝单晶外延层。
氮化外延结构制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件-CN201410409936.X在审
发明人：谢春诚;陈建国;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。通过本发明实施例提供的方法，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，清除氮化铝镓表面残留的氟化铝，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触，避免了由于氟化铝覆盖在氮化铝镓表面导致的电极金属接触电阻较大的问题
一种氮化器件电极结构制作方法

[发明专利]生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底-CN202210204788.2在审
发明人：贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
生长单一氮化材料方法复合衬底

[发明专利]氮化硼-氮化铝复合粉体的制备方法-CN201910000273.9有效
发明人：张春先;颜继鹏;王军;令晓阳;姜能明;姜兴全 -专利权人：山东博奥新材料技术有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硼‑氮化铝复合粉体的制备方法，包括步骤：A将硼酸或其脱水物、三聚氰胺混匀，在气氛炉反应，降温，粉碎，得氮化硼半成品；B将由氢氧化铝粉脱水所制得氧化铝粉、炭粉、氮化硼半成品、蔗糖或葡萄糖、水，混合分散处理后干燥制得反应料；C在流动氮气氛中，反应料升温至1400‑1600℃进行还原氮化反应，制得氮化硼‑氮化铝半成品；D将所述氮化硼‑氮化铝半成品进行烧炭和粉碎处理，制得氮化硼‑氮化铝复合粉体；所得复合粉体中氮化硼、氮化铝分散较匀，用以制备仅含氮化硼、氮化铝产品时可不经会增加粉体氧含量的研磨混料过程直接成型、烧结，制得导热能力较高的陶瓷制品。
氮化复合制备方法

[发明专利]氮化铝烧结体、浆料、生坯及脱脂体-CN200680021803.9无效
发明人：梅川秀喜;东正信 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明提供破坏韧性值高，机械强度、热导率也良好的氮化铝烧结体及其原料。所制造的氮化铝烧结体是包含氮化铝晶粒和来源于烧结助剂的晶界相的氮化铝烧结体，在自上述烧结体表面100μm以内的区域的任意截面中，相对于上述晶界相的总面积，外接圆直径在1μm以下的晶界相的面积在50％以上，且氮化铝粒子的平均粒径在3.0μm～7.0μm的范围内。该氮化铝烧结体可以通过具有特定的粒度分布的氮化铝浆料、具有特定的水中密度的氮化铝生坯、具有特定的细孔径的氮化铝脱脂体制造。
氮化烧结浆料生坯脱脂

[发明专利]一种氮化铝陶瓷及其制备方法和应用-CN201611246882.5有效
发明人：宋山青;刘成臣;徐强;邵长健;林信平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B38/02 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷领域，公开了一种氮化铝陶瓷，该氮化铝陶瓷含有氮化铝和CuAlO2，氮化铝陶瓷的孔隙率为20‑40％。还公开了制备上述氮化铝陶瓷的方法，包括：将含有氮化铝颗粒、铜氧化物粉末和粘结剂的原料依次混合、干燥、粉碎、压制成型并烧结，铜氧化物粉末为氧化铜粉和/或氧化亚铜粉。还公开了上述方法制得的氮化铝陶瓷及其应用。本发明制得氮化铝陶瓷中形成了CuAlO2物质。由于CuAlO2与金属铜、铝润湿性较好，从而减少了后续氮化铝陶瓷与金属复合时界面层的构建，有利于其后续与金属进行复合来制备金属基氮化铝复合材料。另外，CuAlO2可能在氮化铝颗粒表面形成了膜层，从而能够进一步提高氮化铝陶瓷与金属结合力。
一种氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子-CN201980055075.0有效
发明人：大冢雄树;冈本英俊;御法川直树 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明提供能制造维持氮化铝粒子的高导热性、且耐湿性提高的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法、含有含硅氧化物被覆氮化铝粒子的散热性树脂组合物的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子。一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜，所述制造方法具有：通过包含特定结构的有机硅氧烷化合物覆盖所述氮化铝粒子表面的第1步骤，以及在300℃以上且小于1000℃的温度下加热被所述有机硅氧烷化合物覆盖的所述氮化铝粒子的第2步骤；其中、所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子的碳原子含量为小于1000质量ppm。
氧化物被覆氮化粒子制造方法

[发明专利]一种氮化铝覆铜膜前体及其制备方法、氮化铝覆铜膜及其制备方法-CN200910108781.5有效
发明人：任永鹏;林信平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝覆铜膜前体及其制备方法、氮化铝覆铜膜及其制备方法。该氮化铝覆铜膜前体，包括氮化铝基材及位于氮化铝基材上的粘结层，所述粘结层含有主料和烧结助剂，其中，所述主料含有二氧化硅和/或氧化铝；烧结助剂含有氧化亚铜。该氮化铝覆铜膜前体的制备方法包括：a、采用粘结剂在氮化铝基材表面形成预烧层，所述粘结剂中含有主料和烧结助剂，其中，所述主料含有二氧化硅和/或氧化铝，烧结助剂含有氧化亚铜；b、将表面具有预烧层的氮化铝基材在真空环境下进行热处理通过本发明提供的氮化铝覆铜膜前体制备的氮化铝覆铜膜的导热性能得到了明显提高，且氮化铝基材与铜箔的结合强度大，产品质量高。
一种氮化铝覆铜膜前体及其制备方法铝覆铜膜

[发明专利]氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200710064383.9有效
发明人：王晓亮;马志勇;冉学军;肖红领;王翠梅;胡国新;唐健;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面一非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，该Al_xIn_yGa_zN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构制作方法

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