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[发明专利]一种制备高质量氮化铝模板的方法-CN202010719096.2在审
发明人：吴亮;付丹扬;王琦琨;朱如忠;龚建超;刘欢 -专利权人：奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高质量氮化铝模板的方法，主要解决的问题为衬底材料与氮化铝的晶格失配和热失配大，使得氮化铝在衬底材料上的初期形核层结晶质量和表面质量差，且高温存在大量残余应力，导致高密度缺陷和裂纹，对后续制备器件产生极其不利的影响本发明制备高质量氮化铝模板具体步骤为：1)准备高质量衬底材料、高质量氮化铝单晶片；2)使用剥离键合技术转印氮化铝薄膜；3)使用热处理技术提高模板质量。通过以上步骤本发明实现了高品质氮化铝模板的制备。
一种制备质量氮化模板方法

[发明专利]氮化铝复合衬底的制备方法-CN202211201898.X有效
发明人：王新强;袁冶;刘上锋;曹家康;李泰;康俊杰;罗巍 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化铝复合衬底的制备方法，属于单晶衬底技术领域。制备方法包括：提供衬底，衬底具有c轴取向并呈翘曲形态；在衬底的凸面形成具有预设形貌的凹坑；在衬底的凹面形成具有预设厚度的氮化铝层；以及对衬底进行退火，退火的过程中通过具有预设形貌的凹坑和具有预设厚度的氮化铝层调控翘曲所引入的应力，得到氮化铝层具有预设表面形貌的氮化铝复合衬底。该制备方法能有效地调控氮化铝复合衬底中氮化铝层的表面形貌，而且，操作简单，重复性好，适于大规模产业化生产。
氮化复合衬底制备方法

[发明专利]环氧树脂－氮化铝复合材料在制备高密度印刷线路板中的应用-CN200710084130.8无效
发明人：容锦泉;吴隽;余大民 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种环氧树脂－氮化铝复合材料在制备高密度印刷线路板中的应用，所述环氧树脂－氮化铝复合材料是通过下述方法制得：用偶联剂预处理氮化铝纳米或微米颗粒表面；将溶剂加入到氮化铝颗粒中，然后采用超声搅拌器搅拌所得溶液；将上述氮化铝溶液与环氧树脂体系充分混合均匀，成为均一的分散液；将上述分散液注入模具中，然后在真空下干燥固化。其中，所述氮化铝颗粒的粒径为10nm－50μm，氮化铝颗粒的重量为复合材料总重量的5－70wt％。
环氧树脂氮化复合材料制备高密度印刷线路板中的应用

[发明专利]防止氮化铝水解的方法-CN200510024935.4无效
发明人：顾明元;李玮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：一种防止氮化铝水解的方法，利用表面处理技术来防止氮化铝在潮湿的环境中水解，首先把氮化铝粉末在四乙氧基硅烷溶液中进行浸泡处理，然后将经过浸泡处理的氮化铝粉末用乙醇溶液进行多次清洗，再将清洗后的氮化铝粉末烘干即可本发明方法操作简便，防水解范围广，效果好，在不影响氮化铝粉料原有性能的前提下，很好地解决了氮化铝在潮湿环境中极易水解的问题。
防止氮化水解方法

[发明专利]抗水化易分散的氮化铝粉末的制备方法-CN200610085434.1无效
发明人：姚义俊;丘泰;沈春英;李晓云;杨建 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高氮化铝粉末抗水化能力的方法，利用表面吸附技术对氮化铝粉末表面进行处理，防止氮化铝粉末在潮湿的环境中水解，提高粉末抗水化的能力。首先把氮化铝粉末与有机羧酸在有机溶液进行搅拌，使得氮化铝粉末表面吸附一层有机羧酸，再加入非离子型表面活性剂，于60～80℃水浴搅拌加热几小时，用乙醇溶液多次清洗，再将清洗后的氮化铝粉末80～100℃烘干即可本发明方法操作简便，抗水化性能突出，很好的解决氮化铝在潮湿环境中极易水解的问题。
水化分散氮化粉末制备方法

[发明专利]高质量氮化铝模板及其制备方法-CN202111167137.2在审
发明人：王新强;袁冶;刘上锋;李泰;王钇心;李铎;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量氮化铝模板及其制备方法，其包括以下步骤：1)对衬底进行清洁处理；2)沉积形成氮化铝薄膜和氮化镓保护薄膜；3)经非面对面高温退火处理后制得高质量氮化铝单晶模板。在高温退火的条件下氮化镓保护薄膜分解而在氮化铝薄膜表面创造富氮环境，从而抑制氮化铝薄膜表面的分解；同时氮化铝薄膜在高温状态下发生重结晶而实现高质量氮化铝单晶模板，并且在高温退火时是非面对面相贴合接触，即有效避免引入传统面对面退火方式引入的对片表面摩擦
质量氮化模板及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝钪靶材及其制备方法-CN202110142179.4有效
发明人：邱从章 -专利权人：邱从章
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝钪靶材及其制备方法，包括氮化铝、氮化钪、氮化铝钪和单质钪中至少两种组元，其中钪的原子百分比为5～40％，铝的原子百分比为20～50％，余量为氮；所述氮化铝钪靶材的平面尺寸不低于1×本发明通过配料、制坯、均温处理和后处理的工艺流程，并结合添加剂的作用，氮化铝和氮化钪可有效烧结，成为致密的氮化铝钪烧结体，最终得到氧含量低、成分均匀和致密性高的氮化铝钪靶材。
一种氮化铝钪靶材及其制备方法

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702142.6在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1‑xN层；所述AlxGaN1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管
gan 半导体器件及其制备方法应用

[发明专利]氮化铝掺氮化钪靶材的生产工艺-CN201910970535.4在审
发明人：吴文斌;舒小敏 -专利权人：江西科泰新材料有限公司
申请日： 2019-10-13 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝掺氮化钪靶材的生产工艺，将高纯钪金属和铝金属粉末冷压成疏松块状，分别装入坩埚，移入真空加热炉，抽真空，通入氮气，采用程度升温气固合成法分别合成ScN、AlN，破碎、球磨成‑100目粉末ScN、AlN粉末检验合格后，按规定比例混合，以此为原料进行热压烧结，制得氮化铝掺氮化钪靶坯。对靶坯进行机械加工得到靶材。本发明采用程序升温气固合成技术分别合成氮化铝、氮化钪，制成粉末，然后通过真空热压烧结成型技术，制备规定比例的氮化铝掺氮化钪靶材，制备出的氮化铝掺氮化钪靶材是SAW厂家制备Sc掺杂氮化铝功能薄膜的前端产品
氮化铝氮化靶材制备合成真空热压烧结氮气真空加热炉成型技术程序升温功能薄膜合成技术机械加工热压烧结抽真空高纯钪铝金属对靶冷压球磨移入坩埚生产工艺疏松装入破碎掺杂金属检验

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026139.9有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管
氮化铝镓半导体器件氮化镓层氮化镓铝层缓冲层晶种层基板本实用新型二维电子气薄膜结构氮化铝层蚀刻工艺依次层叠有效控制栅极接触氮化铝复合膜晶体管薄膜散布生长

[发明专利]气相生长方法-CN201610218148.1有效
发明人：高桥英志;佐藤裕辅 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成第二氮化镓膜
相生方法

[发明专利]一种基板、制备方法及应用-CN202111678980.7在审
发明人：何锦华;王兢;吴超;梁超;符义兵 -专利权人：江苏博睿光电股份有限公司;江苏诚睿达光电有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：其中，本发明中基板的制备方法具体步骤包括：形成AIN‑Al2O3‑C的复相陶瓷素坯；对复相陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板本发明通过在氮化铝粉中加入氧化铝粉以及石墨粉，利用碳热还原合成氮化铝，通过反应生成的氮化铝取代部分原料中的氮化铝粉，由于氧化铝粉和石墨粉的成本大大低于氮化铝粉，以进一步降低氮化铝陶瓷基板的制备成本。
一种制备方法应用

[发明专利]一种氮化铝粉体及其制备方法-CN202211017792.4在审
发明人：李东红;任新林;张岩岩;王毅;王锦;贾春燕;张阳;范硕阳 -专利权人：中铝郑州有色金属研究院有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化铝粉体及其制备方法，所述氮化铝粉体的结构为六角形、片状结构，所述氮化铝粉体的平均粒径为5‑30μm，厚度为0.5‑3μm。该氮化铝粉体具有独特的六角形片状结构，原晶粒径大，形状规则，可作为抛光材料和高导热材料的填充料、增韧剂等，与现有氮化铝产品的应用场景有显著不同，可丰富氮化铝的产品结构和应用范围。
一种氮化铝粉体及其制备方法

[发明专利]氮化铝外延结构及其制备方法-CN202210103747.4在审
发明人：张宇恒;赵德刚;梁锋;杨静;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化铝外延结构及其制备方法，制备方法包括：对衬底进行图形化，以在所述衬底表面形成预设大小的孔洞；沿垂直于所述衬底表面的方向生长氮化铝以形成成核层，其中，所述孔洞上没有覆盖所述氮化铝；在所述成核层上沿所述孔洞的空缺区域侧向外延氮化铝与所述成核层合并，以形成表面平滑的氮化铝薄膜。该制备方法能够在低成本的条件下制备高质量的氮化铝外延结构。
氮化外延结构及其制备方法

[发明专利]陶瓷-铝接合体及制法、绝缘电路基板及制法、LED模块、陶瓷部件-CN201880007306.6有效
发明人：寺崎伸幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明的陶瓷‑铝接合体为陶瓷部件及由铝或铝合金构成的铝部件接合而成，陶瓷部件具有由氮化硅构成的陶瓷主体及形成于该陶瓷主体中的与铝部件的接合面的氮化铝层或氧化铝层，通过氮化铝层或所述氧化铝层接合铝部件，陶瓷主体具备氮化硅相及形成于该氮化硅相之间的玻璃相，在陶瓷主体的玻璃相中的与氮化铝层或所述氧化铝层的界面侧部分存在Al。
陶瓷接合制法绝缘路基 led 模块部件