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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202210325853.7在审
发明人：张鹏飞;陈金星;李贝贝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括在衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层。然后形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层，最后对保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。其中，所述第一连接区堆叠层在第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在第二方向的宽度，因此不会导致第一连接区堆叠层和第一连接区堆叠层附近的第二连接区堆叠层上的保护层偏薄，由此可以减少第一连接区堆叠层和附近第二连接区堆叠层上的保护层被侧掏，进而使保护层能够有效保护第一连接区堆叠层和第二连接区堆叠层。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110959778.5在审
发明人：赵利俊;方超;耿玉慧;轩攀登;宋之洋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的堆叠结构，所述衬底包括器件区，所述器件区包括存储阵列区和与所述存储阵列区相邻的外围区，堆叠结构包括位于存储阵列区的第一堆叠结构和位于外围区的第二堆叠结构，第一堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和层间栅极层，第二堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和层间介质层。本发明将现有技术中填充存储阵列区的边缘台阶区和外围区的介质层替换为堆叠结构，能够减小介质层导致的应力，进而减小芯片内部的应力。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种汽车用复合材料连续生产的纤维裁切堆叠线-CN202010378503.8在审
发明人：陈亨津;杨琨;荣一鸣 -专利权人：上海瓴荣材料科技有限公司;南京瓴荣材料科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B29C70/30 文献下载
摘要：本发明公开了材料制造技术领域的一种汽车用复合材料连续生产的纤维裁切堆叠线，包括纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区和堆叠区；该纤维裁切堆叠线运转方向依次为：纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区、堆叠区；所述纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区均通过传送带进行材料传递；本发明通过切割区可以裁切多层材料，实现多层切割；通过纤维裁切堆叠线可实现大批量、自动化、高节拍生产；通过多工位配合实现产线的快速生产满足汽车行业产量要求；纤维裁切堆叠线由纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区和堆叠区构成，可设计成模块化，方便改造和替换。
一种汽车复合材料连续生产纤维堆叠

[实用新型]一种汽车用复合材料连续生产的纤维裁切堆叠线-CN202020748097.5有效
发明人：陈亨津;杨琨;荣一鸣 -专利权人：上海瓴荣材料科技有限公司;南京瓴荣材料科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B29C70/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了材料制造技术领域的一种汽车用复合材料连续生产的纤维裁切堆叠线，包括纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区和堆叠区；该纤维裁切堆叠线运转方向依次为：纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区、堆叠区；所述纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区均通过传送带进行材料传递；本实用新型通过切割区可以裁切多层材料，实现多层切割；通过纤维裁切堆叠线可实现大批量、自动化、高节拍生产；通过多工位配合实现产线的快速生产满足汽车行业产量要求；纤维裁切堆叠线由纤维开卷区、加热或焊接区、切割区、传送区和堆叠区构成，可设计成模块化，方便改造和替换。
一种汽车复合材料连续生产纤维堆叠

[发明专利]三维半导体存储装置-CN201910863817.4在审
发明人：千志成;白石千;孙仑焕;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维半导体存储装置包括：衬底，其包括单元阵列区和连接区；堆叠结构，其包括依次堆叠在衬底上的下堆叠结构和上堆叠结构，其中，堆叠结构包括交替且垂直地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；垂直结构，其位于穿透单元阵列区上的下堆叠结构和上堆叠结构的沟道孔中；以及伪结构，其位于穿透连接区上的下堆叠结构和上堆叠结构中的至少一个的伪孔中。连接区包括位于单元阵列区的一侧的第二连接区和位于第二连接区的一侧的第一连接区。第二连接区中的伪孔的表面图案形状与第一连接区中的伪孔的形状不同。
三维半导体存储装置

[发明专利]阵列基板及OLED显示面板-CN202110798863.8在审
发明人：楼均辉;朱超 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及OLED显示面板，涉及显示技术领域，用于解决现有阵列基板的透光区透光率低的技术问题，该阵列基板具有主屏区和透光区，阵列基板包括衬底，设置于衬底上并与主屏区对应的主屏区堆叠结构，以及设置于衬底上并与透光区对应的透光区堆叠结构；主屏区堆叠结构的厚度大于透光区堆叠结构的厚度。本申请提供的阵列基板中，位于透光区的透光区堆叠结构的厚度小于位于主屏区的主屏区堆叠结构的厚度，使得透光区堆叠结构能够降低其对光线的阻挡作用，从而提高透光区的透光率。
阵列 oled 显示面板

[发明专利]用于保护半导体器件免于静电放电的器件及其制造方法-CN200910260395.8无效
发明人：张骏泰 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：该保护半导体器件免于静电放电的器件包括：高电压第一导电型阱，形成在半导体衬底中；第一堆叠区，具有顺序堆叠在高压第一导电型阱的一个区域中的第一导电型漂移区和第一导电型杂质区；第二堆叠区，具有顺序堆叠在高压第一导电型阱的另一区域中的第二导电型漂移区和第二导电型杂质区；以及器件隔离膜，形成在第一堆叠区和第二堆叠区之间，用来隔离第一堆叠区和第二堆叠区。
用于保护半导体器件免于静电放电器件及其制造方法

[发明专利]具有竖直地位于分层层组之间的源区的微电子装置，以及相关方法和系统-CN202111653561.8在审
发明人： D·A·克朗皮特;J·D·霍普金斯;M·J·金;R·W·林赛;K·Y·泰特斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及具有竖直地位于分层层面之间的源区的微电子装置以及相关方法和系统。微电子装置包含堆叠结构对。所述对包括下部堆叠结构和上覆所述下部堆叠结构的上部堆叠结构。所述下部堆叠结构和所述上部堆叠结构各自包括布置成层的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。源区竖直地插入于所述下部堆叠结构与所述上部堆叠结构之间。第一支柱阵列从接近所述源区穿过所述上部堆叠结构朝向所述上部堆叠结构上方的第一漏区延伸。第二支柱阵列从接近所述源区穿过所述下部堆叠结构朝向所述下部堆叠结构下方的第二极区延伸。
具有竖直位于层层之间微电子装置以及相关方法系统

[发明专利]包括竖直存储器装置的集成电路装置-CN202110593717.1在审
发明人：黄昌善;权永振;金己焕;石韩松;殷东锡;林钟欣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：该集成电路装置包括：衬底，其具有单元区、外围电路区和位于单元区与外围电路区之间的互连区；第一单元堆叠结构和位于第一单元堆叠结构上的第二单元堆叠结构，第一单元堆叠结构和第二单元堆叠结构均包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个字线结构；以及虚设堆叠结构，其位于与第二单元堆叠结构相同的竖直高度处，并且包括交替地堆叠在外围电路区中的多个虚设绝缘层和多个虚设支承层。
包括竖直存储器装置集成电路

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110066929.0有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，并在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区和漏极延伸区，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，并在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极和漏极；去除源极侧侧墙的至少一部分，使所述源极侧侧墙的厚度小于漏极侧侧墙的厚度；在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成接触层。利于降低源极延伸区的接触电阻，同时还可以降低栅极和漏极延伸区之间的寄生电容。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN201980003923.3有效
发明人：孙中旺;张中;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：所述半导体器件包括衬底、在衬底之上交替堆叠的字线层和绝缘层的堆叠层，以及形成于堆叠层的第一阵列区和第二阵列区中的沟道结构。第一阵列区和第二阵列区位于堆叠层的相反侧处。第一阶梯形成于衬底之上的堆叠层的连接区中，其中，所述连接区布置在第一阵列区与第二阵列区之间。第二阶梯形成于衬底之上的堆叠层的连接区中，并且堆叠层内的所述连接区包括处于第一阶梯与第二阶梯之间的隔离区。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]带有凹口的栅极结构制造-CN201910560029.8有效
发明人：陈建颖;张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括提供具有第一区域和第二区域的结构，第一区域包括第一沟道区域，第二区域包括第二沟道区域；在第一区域和第二区域上方形成栅极堆叠层；图案化栅极堆叠层，从而在第一沟道区域上方形成第一栅极堆叠件和在第二沟道区域上方形成第二栅极堆叠件；以及通过同时向第一区域和第二区域施加不同的蚀刻剂浓度来横向蚀刻第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部，从而在第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部处形成凹口。
带有凹口栅极结构制造

[发明专利]3D NAND存储器件及其形成方法-CN202080000370.9有效
发明人：孙中旺;苏睿;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、在衬底上方交替堆叠的字线层和绝缘层的堆叠；以及形成于堆叠的第一阵列区和第二阵列区中的沟道结构。置于堆叠的相对侧的第一阵列区和第二阵列区。第一阶梯形成于衬底上方的堆叠的连接区中。连接区布置于第一和第二阵列区之间，并且第一阶梯具有非四边形踏面。第二阶梯形成于衬底上方的堆叠的连接区中，并且第二阶梯具有非四边形踏面。堆叠中的连接区包括第一和第二阶梯之间的分隔区。
nand 存储器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211285735.4在审
发明人：金俊亨;李昇珉;韩相凡;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]用户应用接口-CN201080005996.5无效
发明人： M.E.罗尔斯顿;J.L.菲克林;M.A.奈恩;M.R.利加梅里;N.W.埃弗里特;J.G.哈恩;D.科伦 -专利权人：桑迪士克以色列有限公司
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：该显示设备包括显示区，该显示区包括有效区。所述处理器和所述显示应用被配置为显示应用堆叠，响应于用户输入，每个应用堆叠可移入和移出有效区，并且每个应用堆叠包含一个或多个堆叠卡。每个应用堆叠与计算机应用相关联，并且每个堆叠卡表示内容实体，该内容实体能够由与其应用堆叠对应的计算机应用对其操作。当应用堆叠处于有效区时，该应用堆叠被激活，使得其堆叠卡按序列显示，并且可以选择该堆叠卡的至少一个。选择堆叠卡致使相应的计算机应用被执行并对相应的内容实体进行操作。
用户应用接口

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