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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310058816.9在审
发明人： 孙仑焕;金味昭;申重植;吴民在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：公开了半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和第二区域；第一堆叠结构，其位于第一区域中；第一沟道结构，其穿透第一堆叠结构并且与衬底接触；以及第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构和第一沟道结构上。该装置还包括：第二沟道结构，其穿透第二堆叠结构并且连接到第一沟道结构；第一模制结构，其位于第二区域中；第一对准结构，其穿透第一模制结构并且与衬底接触；以及第二模制结构，其位于第一模制结构和第一对准结构上。该装置还包括：第二对准结构，其穿透第二模制结构并且连接到第一对准结构；以及保护层，其位于第一模制结构与第二模制结构之间。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]垂直半导体器件-CN201810788922.1有效
发明人：权俊瑛;金伸泳;孙仑焕;李栽姃;金俊成;李承民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
垂直半导体器件

[发明专利]半导体器件和电子系统-CN202211002748.6在审
发明人： 孙仑焕;金亨珍;辛承俊;申重植;申旻树;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。
半导体器件电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统-CN202210423960.3在审
发明人： 孙仑焕;申民洙;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底；堆叠结构，包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间介电层和栅电极，并包括位于衬底上的第一堆叠结构和位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；种子层，介于第一和第二堆叠结构之间并在水平方向上延伸；竖直沟道结构，贯穿堆叠结构并与衬底接触；第一接触插塞，贯穿堆叠结构并与栅电极中的一个接触。种子层可以包括包围竖直沟道结构和第一接触插塞的第一种子图案和第二种子图案，并且第一种子图案和第二种子图案可以在水平方向上彼此间隔开。
三维半导体存储器件以及包括电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202110579621.X在审
发明人： 孙仑焕;金嘉银;李贞硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括位于半导体衬底上的外围电路和连接到所述外围电路的定位焊盘；电极结构，所述电极结构位于所述外围电路结构上，所述电极结构包括垂直堆叠的电极；平坦化电介质层，所述平坦化电介质层覆盖所述电极结构；外围贯通插塞，所述外围贯通插塞与所述电极结构间隔开，所述外围贯通插塞穿透所述平坦化电介质层以连接到所述定位焊盘；导线，所述导线通过接触插塞分别连接到所述外围贯通插塞；以及至少一个虚设贯通插塞，所述至少一个虚设贯通插塞与所述外围贯通插塞中的第一外围贯通插塞相邻，所述至少一个虚设贯通插塞穿透所述平坦化电介质层并且与所述导线绝缘。
三维半导体存储器件

[发明专利]半导体器件-CN202110323278.2在审
发明人：金俊亨;千志成;孙仑焕;李昇珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：下部结构；第一上部结构，包括下栅极层并在下部结构上；第二上部结构，包括上栅极层并在第一上部结构上；分隔结构，在下部结构上并穿透第一上部结构和第二上部结构；存储器垂直结构，在分隔结构之间穿透下栅极层和上栅极层；第一接触插塞，穿透第一上部结构和第二上部结构并与下栅极层和上栅极层间隔开。第一接触插塞和存储器垂直结构中的每个包括具有弯曲部分的侧表面。该侧表面的弯曲部分设置在第一高度水平面和第二高度水平面之间，下栅极层中的最上面的栅极层设置在该第一高度水平面上，上栅极层中的最下面的栅极层设置在该第二高度水平面上。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202110198791.3在审
发明人：金嘉银;孙仑焕;朴珠希;赵晟元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且所述下部的宽度减小。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]垂直存储器件-CN202010673043.1在审
发明人：林根元;孙仑焕;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括：衬底，具有单元块区域、块分离区域和边界区域；多个堆叠结构，布置在单元块区域和边界区域中使得绝缘中间层图案与电极图案交替地堆叠在衬底上。堆叠结构通过块分离区域在第三方向上间隔开。多个沟道结构在单元块区域中在第一方向上穿过堆叠结构延伸到衬底，并连接到衬底。多个虚设沟道结构在边界区域中延伸穿过每个堆叠结构的上部部分，并连接到与衬底间隔开的虚设底部电极图案。因此，基本上防止了在衬底附近的桥接缺陷。
垂直存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202010411002.5在审
发明人： 孙仑焕;千志成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；第一堆叠结构，具有在第一基底上顺序地移位并堆叠的第一栅电极；第二堆叠结构，具有在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的第二栅电极；结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上；第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构；第一沟道孔，穿透上述结构和/或层；以及第二沟道孔，穿透上述结构和/或层。第一沟道孔的第二部分在与第一方向正交的第二方向上的高度小于第二沟道孔的第二部分在第二方向上的高度。
半导体装置

[发明专利]三维半导体存储装置-CN201910863817.4在审
发明人：千志成;白石千;孙仑焕;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维半导体存储装置包括：衬底，其包括单元阵列区和连接区；堆叠结构，其包括依次堆叠在衬底上的下堆叠结构和上堆叠结构，其中，堆叠结构包括交替且垂直地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；垂直结构，其位于穿透单元阵列区上的下堆叠结构和上堆叠结构的沟道孔中；以及伪结构，其位于穿透连接区上的下堆叠结构和上堆叠结构中的至少一个的伪孔中。连接区包括位于单元阵列区的一侧的第二连接区和位于第二连接区的一侧的第一连接区。第二连接区中的伪孔的表面图案形状与第一连接区中的伪孔的形状不同。
三维半导体存储装置

[发明专利]包括沟道结构的半导体器件-CN201910728227.0在审
发明人： 孙仑焕;白石千;千志成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件可以包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个互连层交替地堆叠在基板上。隔离区域可以在第一方向上与堆叠结构交叉。多个第一结构可以在垂直于第一方向的第二方向上延伸到堆叠结构中。多个第一图案可以在隔离区域中在第二方向上延伸到堆叠结构中。所述多个第一图案的底部可以比所述多个沟道结构的底部在第二方向上更远离基板的上表面。
包括沟道结构半导体器件

[发明专利]垂直存储器装置-CN201910863590.3在审
发明人：白石千;鲁知艺;孙仑焕;千志成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极以及沟道。栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开。沟道延伸穿过栅电极，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分形成在第一部分上并且连接到第一部分，并且具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，从而具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度。第三部分形成在第二部分上并且连接到第二部分。
垂直存储器装置

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