[发明专利]包括竖直存储器装置的集成电路装置在审
申请号: | 202110593717.1 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113764428A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 黄昌善;权永振;金己焕;石韩松;殷东锡;林钟欣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种包括竖直存储器装置的集成电路装置。该集成电路装置包括:衬底,其具有单元区、外围电路区和位于单元区与外围电路区之间的互连区;第一单元堆叠结构和位于第一单元堆叠结构上的第二单元堆叠结构,第一单元堆叠结构和第二单元堆叠结构均包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个字线结构;以及虚设堆叠结构,其位于与第二单元堆叠结构相同的竖直高度处,并且包括交替地堆叠在外围电路区中的多个虚设绝缘层和多个虚设支承层。 | ||
搜索关键词: | 包括 竖直 存储器 装置 集成电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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