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- [发明专利]异质结双极性晶体管及功率放大器-CN202210747477.0在审
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高志阳;喻千荣
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稳懋半导体股份有限公司
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2022-06-29
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2022-12-30
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H01L29/737
- 本申请提供一种异质结双极性晶体管及功率放大器，所述异质结双极性晶体管包括：基底；以及基极台面，设置于基底上。基极台面包括集极层和基极层，基极层设置于集极层上，基极层包括第一边和第二边，第二边相对于第一边。异质结双极性晶体管更包括：射极层，设置于基极层上；基极电极，设置于基底上并连接至基极层；介电层，设置于基极电极上；以及导电部件，设置于介电层上。在介电层中形成第一导孔于基极层的第一边，且在介电层中形成第二导孔于基极层的第二边。导电部件通过第一导孔和第二导孔连接至基极电极。通过在基极端添加新的信号输入端以降低基极电阻，以改善异质结双极性晶体管和功率放大器在更高的操作频率的增益性能。
- 异质结双极性晶体管功率放大器
- [发明专利]半导体装置-CN201110255938.4无效
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石井孝明
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株式会社东芝
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2011-09-01
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2012-04-04
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H01L29/417
- 根据本发明的实施方式，提供一种半导体装置，具备：第1导电型基极层；设置在第1导电型基极层之上的第2导电型基极层；栅极绝缘膜；与栅极绝缘膜邻接地在第2导电型基极层的表面选择地设置的第1导电型源极层；设置在沟槽内的栅极绝缘膜的内侧的栅电极栅极绝缘膜设置在从第2导电型基极层的表面达到第1导电型基极层的沟槽的侧壁。主电极设置在第2导电型基极层的表面上及第1导电型源极层的表面上，并且设置在比沟槽内的栅电极及第2导电型基极层更深的位置。主电极与第2导电型基极层及第1导电型源极层电气连接。
- 半导体装置
- [发明专利]电力半导体器件-CN02106147.5有效
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服部秀隆
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株式会社东芝
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2002-04-05
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2002-11-13
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H01L29/72
- 在n型基极层1的一面上形成p型基极层7。在p型基极层7的表面上形成n型发射极层8。在n型基极层1的另一面上形成p型集电极层2。在n型发射极层8和p型基极层7上形成发射极电极9。对n型发射极层8形成贯通p型基极层7到达n型基极层1的沟槽4,在该沟槽4内形成沟槽栅极电极6。因而n型基极层1与p型基极层7接连一侧的浓度变低,与p型集电极层接连一侧的浓度变高,具有在厚度方向上连续变化的浓度梯度,就可以把p型集电极层2的厚度形成为1微米以下。
- 电力半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN201810774785.6有效
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佐佐木健次;山本靖久
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株式会社村田制作所
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2018-07-13
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2022-06-28
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H01L23/528
- 在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极晶体管，包含外延生长的集电极层、基极层、以及发射极层；和基极布线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有台阶，基极布线在俯视下在与第一方向交叉的方向上从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极布线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的基极布线的断线。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980133767.9有效
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中岛俊雄
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罗姆股份有限公司
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2009-08-31
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2011-07-27
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H01L21/336
- 该半导体装置具有第一基极层(12)、设置在第一基极层(12)的背面的漏极层(10)、形成在第一基极层(12)的表面的第二基极层(16)、形成在第二基极层(16)的表面的源极层(18)、配置在源极层(18)和第二基极层(16)的表面上的栅极绝缘膜(20)、配置在栅极绝缘膜(20)上的栅极电极(22)、在第二基极层(16)和源极层(18)的下部的第一基极层(12)内与漏极层(10)相对而形成的柱层(14)、设置在漏极层(10)的漏极电极(28)、设置在源极层和第二基极层的源极电极(26)，对柱层(14)进行重粒子束照射以局部形成陷阱能级。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410035109.5无效
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小林纯一郎
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索尼株式会社
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2004-04-23
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2004-10-27
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H01L29/737
- 一种能够制造同时在抑制台面形状异常的发生而不会对图形布图、使用的蚀刻剂类型等有限制的半导体器件及其制造方法，提供有半导体台面部分、基极接触垫台面部分和导电层，该半导体台面部分包括衬底上的集电极层、基极层和发射极层的叠层并用作为双极晶体管的有源区，该基极接触垫台面部分通过预定距离与此分离并具有与基极层的上表面相同的高度，该导电层整体形成有连接到基极层的基极电极、在除了基极接触垫台面部分的上表面的边缘附近的区域中的基极接触垫台面部分上形成的基极接触垫电极以及连接这些电极的互连
- 半导体器件及其制造方法
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