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[发明专利]晶体管元件及其制造方法以及发光元件和显示器-CN200780010021.X无效
发明人：横山正明;中山健一 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社;大日本印刷株式会社;株式会社理光
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。
晶体管元件及其制造方法以及发光显示器

[发明专利]一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法-CN202210480332.9在审
发明人：吴旗召;龚平;夏天文;杨宇博;刘邦 -专利权人：西安唐晶量子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaP/GaAs HBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生长的p型GaAs基极层，p型GaAs基极层表面生长的n型发射极InGaP层，n型发射极InGaP层表面生长的发射极帽层，将该结构的HBT外延片切片为接近正方形的样品，去掉发射极帽层，并湿法腐蚀至基极层，在基极层表面4个角处形成欧姆接触点，利用霍尔测试仪可评价其载流子浓度，方块电阻及迁移率等信息，本方法对极层材料特性的评估快速且有效。
一种评估 ingap gaashbt 外延基极材料特性方法

[发明专利]半导体器件-CN96103944.2无效
发明人：坂野顺一;小林秀男;长洲正浩;森睦宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-03-08 - 公布日： 2000-03-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个ＭＩＳ场效应管和一个可控硅，这里，或者把ＭＩＳ场效应管的ｐ基极层和可控硅ｐ基极层之间的可承受电压设置成低于该ＭＩＳ场效应管的可承受电压，在ＭＩＳ场效应管的ｐ基极层和可控硅ｐ基极层通过－ｐ通道连接的条件下使该ＭＩＳ场效应管“断掉”，或者减小该可控硅ｐ基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
半导体器件

[发明专利]具有叉指背接触的太阳能电池-CN201580035784.4有效
发明人： J·B·亨格;谢志刚;徐征 -专利权人：光城公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池可以包括晶体硅基极层和在基极层的背侧上的电子集电极区域。电子集电极区域可以包括电耦合到基极层的第一导电氧化物材料。太阳能电池还可以包括在基极层的背侧上的空穴集电极区域。空穴集电极区域可以包括电耦合到基极层的第二导电氧化物材料。电子集电极区域和空穴集电极区域可以形成叉指图案。此外，第一导电氧化物材料和第二导电氧化物材料具有不同的功函数。
具有叉指背接触太阳能电池

[发明专利]热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法-CN202211574769.5在审
发明人：开媛;江潮 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法，热电子晶体管包括发射极、基极及集电极，在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层本发明的热电子晶体管在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层，本发明利用隧穿势垒层隔断发射极和基极，达到了精准控制隧穿势垒层厚度的效果。与传统制备肖特基二极管以及肖特基薄膜晶体管的方法相比，这样的热电子晶体管采用热电子能谱的方法提取铟镓锌氧化合物无机半导体层与金属基极的肖特基势垒，考虑到了界面态和体电阻对势垒高度的影响，得到的结果也更为准确
热电子晶体管及其制备方法肖特基势垒高度提取

[发明专利]沟槽限定硅锗静电放电二极管网络-CN01130313.1有效
发明人：查兰·J·布伦南;道格拉斯·B·赫什伯格;李满九;尼古拉斯·T·施米特;斯蒂文·H·沃尔德曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-11-20 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：第一二极管结构元件具有在衬底中的第二掺杂型的集电极区、在集电极区上的第一掺杂型的SiGe基极层、和在SiGe基极层上的第二掺杂型的发射极,其中SiGe基极层包括基极接触区。最好集电极区中的SiGe基极层是SiGe外延层,并且发射极的第二掺杂型扩散进SiGe基极层中。多个隔离区设置成与二极管元件的集电极区相邻并在二极管元件的SiGe基极层的一部分下面。
沟槽限定静电放电二极管网络

[发明专利]功率半导体器件-CN201180029814.2有效
发明人： L·施托拉施塔;A·科普塔;M·拉希莫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：（3）与集电极电极（25）之间，p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。
功率半导体器件

[发明专利]绝缘栅型半导体装置-CN03130616.0有效
发明人：斋藤涉;大村一郎;相田聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括例如选择性地形成在n－漂移层(11)的表面的多个P基极层(12)，分别形成在各P基极层(12)的表面的n+源极层(13)，形成在n－漂移层(11)的背面侧的n+漏极层(15)，与该n+漏极层(15)连接的漏极(21)，与P基极层(12)及n+源极层(13)连接的多个源电极(22)，通过栅极绝缘膜(23)形成在源电极(22)之间的栅极电极(24)，选择性地设置在该栅极电极(24)下面的n－漂移层(11)的表面、与P基极层(12)的－个连接并具有比P基极层(12)低的不纯物浓度的p层(14)构成。
绝缘半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380028289.1有效
发明人：住友正清;深津重光 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。
半导体装置

[发明专利]双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率的方法-CN200510097828.4有效
发明人：杜雷塞蒂·齐达姆巴劳;格里高里·G·弗里曼;马尔汉·H·克哈特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。
双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率方法

[发明专利]单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构-CN201210137829.7有效
发明人：高汉超;尹志军;程伟;李忠辉;朱志明 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次集电极层上生长轻n型掺杂InP集电极层；在轻n型掺杂InP集电极层上生长重p型掺杂GaAsSb基极层；在GaAsSb基极层上生长n型掺杂的GaAsSb/InP超晶格过渡层；在超晶格结构层上生长n型InP发射极；在InP发射极上生长重掺杂n型InP接触层。优点：简化了材料结构设计；从宽带隙InP发射极一侧，采用超晶格结构可以使能带平滑过渡到基极一侧，消除了发射极基极导带势垒尖峰，使电子平滑过渡到基极；II型的带结构，消除了基极集电极之间的导带势垒尖峰。
inp 化合物半导体材料薄膜外延结构

[发明专利]硅双极晶体管的制造方法-CN00816239.5无效
发明人： T·约翰松;H·诺尔斯特伦 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2000-11-22 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：公开了一种在硅双极晶体管制造中用来制作基极区和用来开发射极窗口的方法，它包含下列步骤提供具有器件隔离(3)的硅衬底(1)；在所述衬底中或其顶部制作第一基极区(5)；在所述第一基极区上制作薄的氧化物层(7)；在所述薄的氧化物层顶部制作硅层(9)，所述硅层将作为第二基极区；对所述硅层进行离子注入；在所述硅层顶部制作电介质层(11)，所述电介质用来隔离所述晶体管的基极区和发射极区；对这样得到的结构进行图形化，以便确定发射极窗口(15)；对所述确定的发射极窗口区域内的结构进行蚀刻，穿过电介质层和硅层，其中薄的氧化物层被用作蚀刻停止层，从而形成发射极窗口；以及随后对结构进行热处理，使氧化物破裂，致使第一和第二基极区彼此接触
双极晶体管制造方法

[发明专利]具有包覆式基极层的双极结型晶体管-CN202210040374.0在审
发明人：夫厚尔·杰恩;J·R·霍尔特;塔耶尔·内谢瓦特;J·J·派卡里克;克里斯多佛·杜尔詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及具有包覆式基极层的双极结型晶体管，揭示了双极结型晶体管的装置结构及制造方法。该装置结构包括衬底以及位于该衬底中的沟槽隔离区。该沟槽隔离区围绕该衬底的主动区。该装置结构还包括位于该衬底的该主动区中的集电极，具有设置于该主动区上的第一区段以及相对于该第一区段以一角度取向的第二区段的基极层，设置于该基极层的该第一区段上的发射极，以及设置于该沟槽隔离区上方并邻近该发射极的非本征基极层该基极层的该第二区段侧向设置于该非本征基极层与该发射极间。
具有包覆式基极双极结型晶体管

[发明专利]异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构-CN201310022558.5有效
发明人： R·卡米洛-卡斯蒂罗;何忠祥;J·B·约翰逊;刘奇志;刘学锋 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括与所述内部基极层相邻并电连接的外部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。
异质结双极晶体管结构制造方法及其设计

[发明专利]功率半导体器件-CN200680026776.4有效
发明人：穆纳福·拉希莫;彼得·斯特赖特 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2006-07-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：具有四层npnp结构的功率半导体器件(1)可通过栅电极(5)被关断。第一基极层(8)包括与阴极区域(6)相邻的阴极基极区域(81)和栅极基极区域(82)，该栅极基极区域(82)与栅电极(5)相邻但设置成与阴极区域(6)间隔一段距离，栅极基极区域(82、82’)在至少一个第一深度处具有与阴极基极区域为了调制阻挡状态中的场和使从阴极产生的空穴在被驱入动态雪崩中时散开，栅极基极区域(82、82’)具有比阴极基极区域(81)高的掺杂浓度，和/或栅极基极区域(82)具有比阴极基极区域(81)深的深度。
功率半导体器件