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- [发明专利]放大模块-CN202110399315.8有效
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小屋茂树;竹之内好光;佐佐木健次;近藤将夫
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株式会社村田制作所
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2021-04-14
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2023-09-29
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H05K1/02
- 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
- 放大模块
- [发明专利]半导体装置-CN201810743704.6有效
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佐佐木健次;大部功
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株式会社村田制作所
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2018-07-09
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2023-09-01
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H01L27/02
- 本发明提供半导体装置，其包括双极晶体管和保护二极管且具有适合小型化的结构。在基板上配置有子集电极层和双极晶体管，该双极晶体管包括由载流子浓度比子集电极层的载流子浓度低的半导体构成的集电极层、基极层、发射极层。肖特基电极在集电极层的上表面的一部分的区域中与集电极层肖特基接触。包括该肖特基电极的保护二极管与基极层以及发射极层中的一方连接。在集电极层中，与基极层接合的部分和与肖特基电极接合的部分经由集电极层电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310097476.0在审
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后藤聪;青池将之;筒井孝幸;佐佐木健次
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株式会社村田制作所
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2023-02-08
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2023-08-11
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H01L23/538
- 本发明提供一种半导体装置，在接合不同的部件的构造中，确保散热性，并且难以产生高频波放大电路的特性劣化、振荡。第二部件的第二面与第一部件的第一面对置。在第二部件中包含高频放大电路。通过配置在第一面与第二面之间的导电性的接合部件将第一部件和第二部件接合。高频放大电路包括：至少一个功率级晶体管；与功率级晶体管连接并向功率级晶体管供给输入信号的输入布线；和与输入布线连接，并包含无源元件、有源元件以及外部连接端子中的至少一个的输入侧电路单元。接合部件包括俯视时包含功率级晶体管的第一导体图案，在俯视时，输入侧电路单元配置在第一导体图案的外侧。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810774785.6有效
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佐佐木健次;山本靖久
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株式会社村田制作所
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2018-07-13
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2022-06-28
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H01L23/528
- 本发明提供一种能够提高双极晶体管和电路元件的布局的自由度的半导体装置。在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极晶体管，包含外延生长的集电极层、基极层、以及发射极层；和基极布线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有台阶，基极布线在俯视下在与第一方向交叉的方向上从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极布线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的基极布线的断线。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202111080003.7在审
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佐佐木健次
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株式会社村田制作所
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2021-09-15
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2022-03-18
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H01L23/367
- 本发明提供能够使从晶体管到凸块的导热路径的热阻降低的半导体装置。在基板之上配置有至少一个晶体管。晶体管的集电极层和基极层构成台面形状的集电极台面，集电极台面具有相对于基板倾斜的侧面，以使得在基板的面内的第一方向上，集电极台面的上表面的尺寸比集电极台面的下表面的尺寸小。在基板之上配置有覆盖晶体管的第一绝缘膜。在第一绝缘膜之上配置有穿过设置于第一绝缘膜的开口与晶体管的发射极层电连接、且在俯视时从与集电极台面的上表面重叠的区域扩展至与倾斜的侧面的至少一部分重叠的区域的第一层的发射极布线。在第一层的发射极布线之上配置有第二层的发射极布线以及发射极凸块。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202110901169.4在审
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梅本康成;马少骏;小屋茂树;佐佐木健次
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株式会社村田制作所
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2021-08-06
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2022-02-25
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H01L27/06
- 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
- 半导体装置
- [发明专利]功率放大元件-CN202110314406.7在审
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马少骏;梅本康成;佐佐木健次
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株式会社村田制作所
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2021-03-24
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2021-10-01
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H03F3/20
- 本发明提供能够抑制电流向晶体管的一部分区域集中并扩大SOA的功率放大元件。在基板上，沿第一方向排列配置多个双极晶体管。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置多个第一电容元件。通过第一电容元件向双极晶体管供给高频信号。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置电阻元件。经由电阻元件，向双极晶体管供给基极偏压。关于与第一方向正交的第二方向，从多个双极晶体管观察时，多个第一电容元件配置在同一侧。从多个双极晶体管观察第二方向时，多个第一电容元件中的至少一个第一电容元件配置于与其它的一个第一电容元件部分地重叠的位置。
- 功率放大元件
- [发明专利]半导体装置-CN202010985508.7在审
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佐佐木健次;梅本康成;小屋茂树;高桥新之助;近藤将夫
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株式会社村田制作所
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2020-09-18
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2021-03-19
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H01L29/737
- 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
- 半导体装置
- [发明专利]功率放大电路-CN201611138294.X有效
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佐佐木健次
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株式会社村田制作所
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2016-12-12
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2020-11-03
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H01L27/02
- 本发明提供一种功率放大电路，具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。
- 功率放大电路
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