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- [发明专利]放大模块-CN202110399315.8有效
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小屋茂树;竹之内好光;佐佐木健次;近藤将夫
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株式会社村田制作所
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2021-04-14
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2023-09-29
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H05K1/02
- 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
- 放大模块
- [发明专利]功率放大器-CN201910910847.6有效
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近藤将夫;斋藤祐一
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株式会社村田制作所
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2019-09-25
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2023-05-30
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H03F3/21
- 本发明提供一种能够减少伴随着输出的上升的增益的降低的功率放大器。功率放大器具备：第1晶体管，对无线频率信号进行放大并输出；第2晶体管；第3晶体管，供给偏置电流；以及第1电压供给电路，第1二极管的温度越高，向第3晶体管的基极供给越低的电压，第3晶体管被配置成在第3晶体管与第1晶体管或者第2晶体管之间不夹设有其它电子元件，并且第3晶体管被配置成第3晶体管与第1晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第1晶体管之间的距离小、或者第3晶体管与第2晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第2晶体管之间的距离小。
- 功率放大器
- [发明专利]功率放大电路-CN201811553133.6有效
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近藤将夫;田中聪;山本靖久;筒井孝幸;大部功
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株式会社村田制作所
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2018-12-18
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2023-02-28
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H03F3/21
- 提供一种功率放大电路，提高增益的线性度。功率放大电路具备：将第1信号放大的第1晶体管；将与第1晶体管的输出信号相应的第2信号放大的第2晶体管；向第2晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压的偏置电路；以及根据从偏置电路供给的控制电压而使第1信号或第2信号衰减的衰减器，衰减器包括：阳极被供给控制电压的第1二极管；集电极与第1信号或第2信号的供给路径连接、发射极与接地侧连接、且基极被从第1二极管的阴极供给控制电压的第3晶体管；以及与第1二极管并联连接的电容器，第2信号的功率电平越大，则控制电压越为低电压，第3晶体管根据向基极供给的控制电压，使第1或第2信号的一部分从第3晶体管的集电极流向发射极。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大器-CN202111553234.5在审
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筒井孝幸;近藤将夫
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株式会社村田制作所
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2021-12-17
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2022-06-21
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H01L23/34
- 本发明提供能够根据温度适当地抑制输出电压的功率放大器。在包括半导体区域的第一部件的第一面接合包括化合物半导体系的半导体区域的第二部件。第二部件包括：放大电路，包括化合物半导体系的半导体元件；以及多个钳位二极管，连接成多级并插入在放大电路的输出端口与地线之间。第一部件包括：开关，连接在引出点与地线之间，该引出点是连接成多级的多个钳位二极管的中途的点；温度传感器；以及开关控制电路，基于温度传感器的测定结果进行开关的接通断开控制。引出点与开关经由包括配置在从第一部件的第一面到第二部件的表面的层间绝缘膜之上的由金属图案构成的部件间连接布线的路径、或者经由与第一部件和第二部件接合的界面交叉的路径连接。
- 功率放大器
- [发明专利]功率放大模块-CN202011518210.1在审
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近藤将夫;竹中干一郎;田中聪;筒井孝幸
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株式会社村田制作所
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2020-12-21
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2021-06-22
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H03F3/20
- 本发明提供能够抑制晶体管列所占的区域的长度的长大化、且抑制从晶体管到阻抗转换电路的寄生电阻的增大、寄生电感的偏差的增大的功率放大模块。半导体芯片包括多个晶体管列。与多个晶体管列对应地配置有与晶体管的集电极连接的第一凸块，配置有与发射极连接的第二凸块。晶体管列沿着凸多边形的边配置。设置于电路板的第一焊盘以及第二焊盘分别与第一凸块以及的第二凸块连接。第一阻抗转换电路将第一焊盘和信号输出端子连接。晶体管列的多个晶体管被分组为多个组，第一阻抗转换电路包括针对每个组配置的电抗元件。
- 功率放大模块
- [发明专利]半导体装置-CN202010985508.7在审
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佐佐木健次;梅本康成;小屋茂树;高桥新之助;近藤将夫
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株式会社村田制作所
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2020-09-18
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2021-03-19
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H01L29/737
- 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
- 半导体装置
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