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[发明专利]一种复合薄膜、电致发光器件及其制备方法-CN202010721505.2在审
发明人：王劲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种复合薄膜、电致发光器件及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括：黑磷基薄膜层以及设置在所述黑磷基薄膜层上表面和/或下表面的异质层，所述异质层材料为能与所述黑磷基薄膜层形成异质结构的无机电荷传输材料本发明通过采用由能与所述黑磷基薄膜层形成异质结构的无机电荷传输材料(化学性质稳定)形成的异质层表面覆盖黑磷基薄膜层，减少了水氧渗入对黑磷基薄膜层的影响，两者构成的双层或三层异质结构的复合薄膜的表面缺陷少
一种复合薄膜电致发光器件及其制备方法

[发明专利]具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管-CN201410454183.4在审
发明人：杜江锋;陈南庭;潘沛霖;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题，提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，其技术方案可概括为：与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比，本发明的具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管还具有体内复合场板结构本发明的有益效果是，增加器件耐压，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。
具有体内复合板结氮化镓基异质结场效应

[发明专利]基于异质Ge材料形成的频率可重构全息天线的制备方法-CN201611187934.6在审
发明人：李妤晨 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质Ge材料形成的频率可重构全息天线的制备方法。该方法包括在GeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个异质Ge基SPiN二极管，且异质Ge基SPiN二极管的P区采用SiGe材料、i区采用Ge材料及N区采用SiGe材料；将多个异质Ge基SPiN二极管依次互连PAD以形成多个异质Ge基SPiN二极管串；在异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源的连接；制作同轴馈线以连接第一天线臂及第二天线臂
基于 ge 材料形成频率可重构全息天线制备方法

[发明专利]用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法-CN201611184735.X在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括第一天线臂和第二天线臂，所述第一天线臂和第二天线臂包括多个异质Ge基SPiN二极管串，所述异质Ge基SPIN二极管串的制造方法包括在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，形成异质Ge基SPIN二极管；在多个所述异质Ge基SPIN二极管上光刻PAD实现多个所述异质Ge基SPIN二极管的串行连接以形成多个所述SPiN二极管串，本发明提供的异质Ge基SPiN二极管串可用于高性能可重构偶极子天线的制备
用于可重构偶极子天线 ge spin 二极管制备方法

[发明专利]基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法-CN201611185730.9在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法。该方法包括在SiGeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个SiGe基异质结SPiN二极管，且SiGe基异质结SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用SiGe材料及N区采用Si材料；将多个SiGe基异质结SPiN二极管依次互连PAD以形成多个SiGe基异质结SPiN二极管串；在SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源的连接
基于 sige 基异质结频率可重构全息天线制备方法

[发明专利]确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法-CN201210238641.1有效
发明人：赵妙;阎理贺;刘新宇;郑英奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间，之后，在假定电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命
确定 algan gan 基异质结沟道载流子寿命方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]硅基异质结太阳能电池烘干装置-CN201721572581.1有效
发明人：彭福国;王进;杨秀清 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基异质结太阳能电池烘干装置，包括放置台、加热件和主控制器，其中放置台上设置有真空吸附件；加热件设置于放置台下方，加热件用于加热放置台。使用时，将硅基异质结太阳能电池放置在放置台上，并吸附在真空吸附件上，放置台的热量传递至硅基异质结太阳能电池，由于银浆位于硅基异质结太阳能电池的上表面，热量逐渐从下向上传递，因此，银浆中的溶剂先从银浆与电池硅基异质结太阳能电池的界面挥发
硅基异质结太阳能电池放置台加热件银浆真空吸附件烘干装置致密本实用新型热量传递银浆固化主控制器上表面溶剂挥发吸附固化加热电池传递

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844869.9在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后在Fin结构的栅位置形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。本发明使用耐氯基气体刻蚀的SiN介质作为Fin的刻蚀掩蔽层，不但保证了Fin的有效宽度，而且能够形成侧壁陡直，形貌良好的Fin，同时SiN又是很好的GaN基异质结的钝化层，能够有效抑制GaN基HEMT器件的电流崩塌效应
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法

[发明专利]一种纵向型氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法-CN201610088517.X有效
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种纵向型氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法，所述器件包括，衬底、金属层，以及纵向型氮化镓基异质结，其中，所述纵向型氮化镓基异质结，在基异质结的GaN一侧，具有纵向二维电子气；所述纵向二维电子气为器件在导通时提供从表面到底面的电流通道所述方法，包括以下步骤：在衬底表面淀积非故意掺杂的氮化镓缓冲层；利用光刻掩模对非故意掺杂的氮化镓缓冲层进行蚀刻；淀积铝氮化镓势垒层，形成纵向型氮化镓基异质结；利用光刻掩模在其间表面形成金属层。
一种纵向氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110095617.6有效
发明人：董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种GaN基异质结构、制作方法及其应用-CN202210549706.8在审
发明人：张粉红;李熙规 -专利权人：化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基异质结构、制作方法及其应用，通过在GaN衬底上通过射频磁控溅射技术生长立方相BN薄膜层；在立方相BN薄膜层上通过微波等离子体辅助CVD技术生长金刚石薄膜层，最终制作出GaN基异质结构金刚石和立方相BN之间的结构相似性可以避免在生长的异质外延金刚石膜上产生膜应力。由于GaN基异质结构中的每一个膜层都具有高导热率，并且各层之间存在共价键合机理，因此产生的热量通过金刚石薄膜层被分布到横向和垂直方向，使得GaN基异质结构具有良好的散热性能。GaN基异质结构具有的高导热率，可解决功率电子和高速设备等一系列应用中的散热问题，并且避免产生膜应力，使器件具有较好的机械稳定性，应用在HEMT器件中具有良好的散热效果。
一种 gan 基异质结构制作方法及其应用

[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制作方法-CN201610135251.X在审
发明人：张金隆;杨茹媛;苏盛隆;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明揭示一种硅基异质接面太阳能电池及其制作方法。该硅基异质接面太阳能电池包括一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极，以及一第二电极。借由电喷雾裂解高速沉积透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性，并可以达到快速量产。
硅基异质接面太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种硅基III-V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件-CN202120787700.5有效
发明人：刘林生;解文豪;陈春明;刘兴鹏;黄祥恩;宋树祥;董鹏堂;苗腾;李锡铭 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够提高Si和InGaAs的异质结界面质量，并且具有低暗电流，低噪声，高性能的硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件。该硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列器件包括衬底；所述衬底上设置有绝缘介质层；所述绝缘介质层内设置有垂直纳米线阵列；采用该硅基III‑V轴向异质结垂直纳米线阵列器件以硅作衬底，工艺与现有集成电路工业兼容
一种 iii 轴向异质结垂直纳米阵列 apd 器件

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