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[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的损耗功率的获得方法及装置-CN201811454690.2在审
发明人：李玮;刘超;梁海强 -专利权人：北京新能源汽车股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的损耗功率的获得方法及装置，该一种绝缘栅双极型晶体管的损耗功率的获得方法包括：获取绝缘栅双极型晶体管处于工作状态时的工作参数；将所述工作参数，输入一预设的径向基函数神经网络进行计算，获得所述径向基函数神经网络的输出值；将所述输出值，确定为所述绝缘栅双极型晶体管的损耗功率。本发明利用径向基函数神经网络的非线性特点，可以准确计算出绝缘栅双极型晶体管的损耗功率，并且具有较好的工程实现性。
绝缘栅双极型晶体管损耗功率径向基函数神经网络工作参数非线性特点输出工程实现预设

[发明专利]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201610039763.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[实用新型]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管-CN201620057198.1有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件-CN201721428381.9有效
发明人：李海鸥;王博;邹锋;刘洪刚;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李跃 -专利权人：桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III‑V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III‑V族CMOS技术要求。
沟道硅基双栅界面控制层背栅单晶硅本实用新型短沟道效应源漏金属层半导体源背栅电极顶栅电极顶栅介质介质键合隔离层沟道层介质层衬底减小漏层

[发明专利]三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法-CN201910570912.5有效
发明人：张晓迪;韩伟华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：一源区硅电导台面与一漏区硅电导台面，对称分布于一SOI基片之上；一硅纳米线结构，位于SOI基片之上，连接源区硅电导台面与漏区硅电导台面；氧化物薄层，制备于源区硅电导台面、漏区硅电导台面和硅纳米线结构的表面；一U型双栅条电极结构，覆于硅纳米线结构的氧化物薄层上，并垂直于硅纳米线结构；一单栅条电极结构，覆于硅纳米线结构的氧化物薄层上，垂直于硅纳米线方向，位于U型双栅条电极结构中两个栅条的中间。本发明提供的三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管，通过U型双栅条电极结构，加强杂质原子量子点的三维势垒限制，有效提高工作温度。
三维限制杂质原子晶体管及其制备方法

[发明专利]一种双MOS结构硅基电光调制器-CN200910129404.X有效
发明人：周治平;毛岸;郜定山;朱梦霞 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。
一种 mos 结构电光调制器

[实用新型]一种电容器快速充放电试验控制装置-CN202220730285.4有效
发明人：吴庆茂;苏良河;许晓斐 -专利权人：广州泰络电子科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电容器快速充放电试验控制装置，包括FPGA控制器、驱动电路、IGBT模块、高精度高压直流电源模块，所述FPGA控制器的输出端与所述驱动电路的输入端相连，所述IGBT模块中双极型三极管的基集、绝缘栅型场效应管的基集分别与所述驱动电路的一个输出端相连，所述双极型三极管的集电极与所述高精度高压直流电源模块的输出端相连，所述双极型三极管的发射极与所述绝缘栅型场效应管的集电极相连，待测试电容器设置于所述绝缘栅型场效应管的发射极与所述双极型三极管的发射极之间
一种电容器快速放电试验控制装置

[发明专利]一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法-CN201911085915.6有效
发明人：陈立锋;张营;孙九瑞 -专利权人：济宁学院
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法，属于电路控制技术领域，包括变压器，原边驱动线路包括第一原边绝缘栅双极型晶体管、第二原边绝缘栅双极型晶体管、第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管，其中第一原边绝缘栅双极型晶体管和第二原边绝缘栅双极型晶体管相串联，第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管相串联，第一原边绝缘栅双极型晶体管和第二原边绝缘栅双极型晶体管的串联线路与第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管的串联线路相并联后连接有第一电容
一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法

[实用新型]一种单端输入迟滞比较电路-CN201520312354.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：第一绝缘栅双极型晶体管的门极接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极。
一种输入迟滞比较电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201310537659.6有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：中航太克（厦门）电子技术股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与IGBT的E极连接。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201320688973.X有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：厦门普罗太克科技有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块接IGBT的E极。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法-CN202011485480.7在审
发明人：唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。
ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]硅基InGaAs沟道双栅CMOS器件-CN201611226809.1有效
发明人：常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;王盛凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。
硅基 ingaas 沟道 coms 器件

[实用新型]一种全数字控制交流静止变流器-CN201320555047.5有效
发明人：郭丕龙;张宇娇 -专利权人：三峡大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/22 文献下载
摘要：一种全数字控制交流静止变流器，它包括电源，电源与第一双向晶闸管串接入变压器一次侧，变压器二次侧回路中设有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与第二绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，第二绝缘栅双极型晶体管的集电极与第三绝缘栅双极型晶体管集电极连接，第三绝缘栅双极型晶体管的发射极与第四绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，电源的两端与第二双向晶闸管及负载形成回路；晶闸管以及绝缘栅双极型晶体管与单片机的并行口连接
一种数字控制交流静止变流器

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