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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法-CN202010198618.9在审
发明人：王晓亮;李巍;牛迪;王权;肖红领;姜丽娟;冯春;王茜;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了一种混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在所述势垒层上面；栅绝缘介质层，制作在所述p型GaN帽层上面；栅极，制作在所述栅绝缘介质层和所述p型GaN帽层上面。本公开能够减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件栅压摆幅，提高器件的阈值电压，提高器件的可靠性。
混合 gan 增强氮化晶体管结构制作方法

[发明专利]注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法-CN201310311346.9在审
发明人：王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。
注入增强绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法-CN201310312223.7有效
发明人：王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。
注入增强绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]具有功能化栅电极和基电极的纳米柱场效应和结型晶体管-CN201380039616.3在审
发明人：阿迪蒂亚·拉贾戈帕;杰峰·常;奥利佛·普拉特布格;斯蒂芬·彼得里;阿克塞尔·谢勒;查尔斯·L·奇尔哈特 -专利权人：加州理工学院;赛诺菲美国服务公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：描述的分子传感器基于场效应晶体管或双极结型晶体管。这些晶体管具有带有与基电极或栅电极接触的功能化层的纳米柱。该功能化层能够结合分子，这会在传感器中引发电信号。
具有功能电极纳米场效应晶体管

[其他]双栅形高压MOS集成电路-CN87208602无效
发明人：童勤义;吴伟 -专利权人：南京工学院
申请日： 1987-05-25 - 公布日： 1988-07-20 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：双栅型高压MOS集成电路属半导体集成电路领域，它采用多个相同的双栅型高压NMOS器件组成，每个器件都采用双栅结构，利用双栅结构增大寄生双极晶体管的有效基区宽度，抑制寄生双极晶体管的激活，从而防止负阻击穿，与此同时，在电流能力不变条件下，面积仅比单栅器件有少量增加；本实用新型结构简单，制备方便，可采用标准n阱CMOS工艺实现，它可在等离子体显示、场致发光、打印和复印执行机构等自动控制和测量系统中作为驱动器而得到广泛应用
双栅形高压 mos 集成电路

[实用新型]蓄电池式电机车调速专用变频器-CN201320087797.4有效
发明人：俞晓阳;齐强兵;任修勇 -专利权人：湖南韶力电气有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H02P21/00 文献下载
摘要：其技术方案要点是：它包括司控器、电流传感器、交流电机，司控器连接微机控制器，微机控制器与绝缘栅双极型晶体管驱动板通过整流器相连，绝缘栅双极型晶体管驱动板上设置有六个或六个以上绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管与交流电机连接
蓄电池机车调速专用变频器

[实用新型]永磁直流无刷电机控制器总成-CN201220006476.2有效
发明人：施志军;朱江;赵明禹 -专利权人：湖北天运汽车电器系统有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H02P7/298 文献下载
摘要：本实用新型为一种永磁直流无刷电机控制器总成，包括一绝缘栅双极型晶体管模块，与无刷直流电机电连接；一绝缘栅双极型晶体管驱动电路，一端与该绝缘栅双极型晶体管模块电连接；一电机控制模块电路，与该一绝缘栅双极型晶体管驱动电路的另一端电连接
永磁直流电机控制器总成

[实用新型]电涡流缓速器制动力连续可调控制电路-CN03256376.0无效
发明人：郁梅进;王金甫 -专利权人：上海盛勤汽车技术有限公司
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H02P15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电涡流缓速器制动力连续可调控制电路，由于在作为开关管的绝缘栅双极型晶体管的栅极G和发射极E之间的并联了一个稳压二极管D3，有效地钳制了G－E之间的电压的突然上升，能起到电流短路保护作用；同时由于在绝缘栅双极型晶体管的集电极C和发射极E之间并接了一浪涌吸收电路，可以有效地吸收由于绝缘栅双极型晶体管的高速开关所产生的浪涌电压，使起到开关作用绝缘栅双极型晶体管得到了很好的保护。
涡流缓速器制动连续可调控制电路

[发明专利]一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法-CN200710105963.8有效
发明人：周发龙;吴大可;黄如;王润声;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍型沟道的外侧为栅氧和前栅，内侧为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和背栅，形成双栅结构；双鳍型沟道的两端连接共同的n+源和n+漏，前栅和背栅自对准、对n+源和n+漏的覆盖很小；双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，而n+源和n+漏都与体硅衬底相连，形成双鳍型沟道即体在绝缘层上的结构。
一种双鳍型沟道多功能场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]制造具有双栅结构的半导体器件的方法-CN200510068751.8无效
发明人：大内雅彦 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造具有双栅结构的半导体器件的方法，包括：在不同的区域形成P型和N型栅硅层；向P型和N型栅硅层中注入P型和N型杂质；在P型和N型栅硅层上淀积一层金属膜；利用具有栅极图形的掩膜对金属膜形成图形；利用掩膜和形成图形的金属膜对P型和N型栅硅层进行形成图形，以留下P型和N型栅硅电极。
制造具有结构半导体器件方法

[发明专利]功率组件以及电压转换方法-CN201910372425.8在审
发明人：王华辉;李炜鸿;江伟;廖童佳 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：其中，该功率组件包括：驱动板、绝缘栅双极型晶体管以及弹簧电阻，其中，弹簧电阻的第一端与驱动板相连接，弹簧电阻的第二端与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接。本发明解决了现有的功率组件中绝缘栅双极型晶体管与弹簧通过邦定线连接，导致功率组件体积大的技术问题。
功率组件绝缘栅双极型晶体管弹簧电阻电压转换驱动板邦定线第一端弹簧

[实用新型]回路补偿系统-CN201220135607.7有效
发明人：谢进宝;周轩;肖前殊;周建佳 -专利权人：四川省电力公司乐山电业局
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：回路补偿系统，由电容、冷却片、绝缘栅双极型晶体管、铜牌走线组成，电容设置在底部，冷却片设置在顶部，冷却片与绝缘栅双极型晶体管连接，绝缘栅双极型晶体管通过铜牌走线连接电容。
回路补偿系统

[实用新型]功率组件以及电动车-CN201920641553.3有效
发明人：王华辉;李炜鸿;江伟;廖童佳 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：其中，该功率组件包括：驱动板、绝缘栅双极型晶体管以及弹簧电阻，其中，弹簧电阻的第一端与驱动板相连接，弹簧电阻的第二端与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接。本实用新型解决了现有的功率组件中绝缘栅双极型晶体管与弹簧通过邦定线连接，导致功率组件体积大的技术问题。
功率组件绝缘栅双极型晶体管弹簧电阻本实用新型驱动板电动车邦定线第一端弹簧

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备-CN201811464344.2在审
发明人：廖勇波;史波;肖婷;何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外
绝缘栅双极型晶体管电流路径电气设备多晶硅层制备沟槽底部侧壁沟道电流通电能力宽沟槽沟道刻蚀增设

[发明专利]一种栅板制备方法-CN201010213377.7无效
发明人：庄建;杨新明;钱亚明;郭伟 -专利权人：长兴诺力电源有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B22D25/04 文献下载
摘要：本发明涉及蓄电池领域，特别是一种栅板制备方法。本发明是通过以下技术方案得以实现的：一种栅板制备方法，它依次包括以下步骤：（1）制备液态铅基合金；（2）将步骤（1）所得液态铅基合金倒入镍基合金制栅板模具型腔中；（3）冷却：采用气化水冷却；（4）脱模。本发明主要用于制备蓄电池栅板。
一种制备方法

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