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[发明专利]一种行车鬼探头智能探测系统及方法-CN202310760857.2在审
发明人：王阳培华;莫玉舒;刘昊;李海鸥;张法碧;孙堂友;刘兴鹏;陈永和;肖功利;傅涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B60R16/023 文献下载
摘要：本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
一种行车探头智能探测系统方法

[发明专利]一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途-CN202310980247.3在审
发明人：王阳培华;沈振宇;朱星宇;首美花;孙堂友;刘兴鹏;肖功利;彭英;张法碧;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
一种质量钙钛矿厚膜及其制备方法用途

[发明专利]一种基于多层石墨烯多功能偏振选择性吸波器-CN202310626575.3在审
发明人： 肖功利;赖子凡;杨宏艳;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层石墨烯的多功能偏振选择性吸波器，该滤波器的结构是以金为衬底，二氧化硅介质层和三层不同结构的石墨烯构成，基于耦合模理论(CMT)，利用两个两亮模式和一个暗模式的耦合形成了三峰吸收，本发明可以通过分别施加在三个石墨烯模块的电压改变石墨烯的费米能级，实现完美吸收、电光开关、折射率传感、单一波长TM偏振平面光的完美吸收的功能，各种功能性能均良好，该发明对于光电集成和多功能光学器件有较好的发展前景。
一种基于多层石墨多功能偏振选择性吸波器

[发明专利]一种S波段宽带MMIC低噪声放大器-CN201810384680.X有效
发明人：李海鸥;李陈成;徐华蕊;李跃;陈永和;李琦;张法碧;傅涛;孙堂友;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
一种波段宽带 mmic 低噪声放大器

[发明专利]一种多波段可调谐偏振无关吸波器-CN202310772946.9在审
发明人： 肖功利;李苗;林志雄;张家荣;陈康;杨宏艳;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸡 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波段可调谐偏振无关吸波器。该吸波器由两个平行于x轴的黑磷纳米带、二氧化硅介质层、两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层组成。当只有两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层时，所提出的结构可以实现偏振相关的各向异性吸收。通过改变右侧黑磷纳米带的宽度，可以实现可调谐的三波段吸收，并且证明改变黑磷纳米带的电子掺杂浓度，可以实现吸收光谱的调节。此外，在完整的结构下可以实现偏振无关的吸收。该发明提供了一种在多波段可调谐偏振无关吸波器件中具有极大应用潜力的结构。
一种波段调谐偏振无关吸波器

[发明专利]一种偶极子共振超表面窄带极化转换器-CN201811568530.0有效
发明人：李琦;刘飞;傅涛;李海鸥;张法碧;陈永和;肖功利;孙堂友 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
一种偶极子共振表面窄带极化转换器

[发明专利]基于几何相位的集成超透镜设计-CN202310620408.8在审
发明人： 肖功利;陈佳宇;杨宏艳;周嗣童;赖子凡;李海鸥;陈赞辉;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;王阳培华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：几何相位型超表面受光束偏振态的影响,单元结构仅在特定偏振方向发生变化且产生对应的相位延迟,而偏振片的加入会导致入射光能量大大减小,使光学器件的能量利用率偏低。本设计提出一个双层级联结构，在衬底下方排列周期性的金椭圆柱阵列，使之进入的线偏振光转换为圆偏振光，作用相当于四分之一波片；在衬底上方利用几何相位原理排列不同方向角的TiO2矩形块，使转化后的圆偏振光在通过后会聚一点，达到聚焦效果。将该设计和数值孔径相同，但无偏振转换的圆偏振入射的超透镜做对比，有效验证了该集成超表面的偏振转换与聚焦功能。这样的设计思路不仅可以应用于超透镜聚焦，还可以应用在消色差超透镜上。
基于几何相位集成透镜设计

[发明专利]一种宽带高效线到圆偏振转换器-CN202310620412.4在审
发明人： 肖功利;陈康;杨宏艳;陈佳宇;李苗;张家荣;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开一种宽带高效线到圆偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部圆‑椭圆组合金板三层结构组成。本发明可以实现在0.4THz附近和0.5到1.15THz频率范围内的线到圆宽带偏振转换，并且反射系数大小约为0.7。仿真结果表明线到圆偏振转换效率大于0.95。从而实现了宽带、高效的线到圆偏振转换。这为高性能的宽带偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
一种宽带高效线到圆偏振转换器

[发明专利]一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法-CN202310443818.X在审
发明人：张法碧;王者风;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺杂铟离子，可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单，易操作，进而可有效降低制备成本。
一种基于柔性衬底生长氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]基于椭圆环形镂空石墨烯的宽带效率可调超透镜-CN202310620400.1在审
发明人： 肖功利;张家荣;杨宏艳;陈佳宇;李苗;陈康;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于椭圆环形镂空石墨烯的宽带效率可调超透镜。该透镜由四层结构构成，自下而上分别是电介质层，椭圆环形镂空石墨烯阵列层，离子凝胶层以及金属电极。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的镂空石墨烯椭圆环，使透射光在目标太赫兹波段能够满足2π相位的同时还保持着较高的透射率，这是实现超透镜聚焦所必须的。离子凝胶层和金属电极用于对石墨烯费米能级的统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，可以在宽频带内(4.9～5.3THZ)实现超透镜聚焦效率的动态调控。除此之外，该发明还具有高数值孔径、透射光工作和易于集成等优点。因此，在太赫兹应用领域中，如光通信、能量收集和成像等方面，它具有广泛的应用前景。
基于椭圆环形镂空石墨宽带效率可调透镜

[发明专利]一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料-CN202310524470.7在审
发明人：张法碧;翁程浩;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
一种能够增强氧化紫外光度制备方法根据材料

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN202310522786.2在审
发明人：张法碧;翁程浩;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种可调谐窄带太赫兹吸波器-CN202310620401.6在审
发明人： 肖功利;李苗;杨宏艳;赖子凡;张家荣;陈康;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
一种调谐窄带赫兹吸波器

[发明专利]一种基于金柱结构的宽带太赫兹偏振转换器-CN202310260461.1在审
发明人： 肖功利;周嗣童;余哲榕;杨宏艳;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开一种金柱结构宽带太赫兹偏振转换器，包括二氧化硅介质与上金柱复合为一体形成超表面结构。本发明的有益效果是：通过调谐参数可实现2.42～4.83THz范围的半波片以及2.35～4.51THz范围的四分之一波片，并且都具有比较理想的带宽和较为优异的偏振转换率(PCR)，这为高性能宽带偏振转换器的设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构设计新颖，性能优越，可望在未来高性能偏振器件设计方面得到广泛运用。
一种基于金柱结构宽带赫兹偏振转换器

[发明专利]一种以h-BN作为中间插层的忆阻器-CN202010746740.5有效
发明人：孙堂友;涂杰;石卉;刘云;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
一种 bn 作为中间忆阻器

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