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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法-CN201910678718.9有效
发明人：李柳暗 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体传感器技术领域，更具体地，涉及一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法。包括以下步骤：S1.在n型GaN衬底上生长高阻绝缘的GaN过渡层作为背栅的介质层；S2.在高阻绝缘的GaN过渡层上生长GaN沟道层；S3.在沟道层表面生长AlGaN薄势垒层；S4.沉积欧姆接触电极；S5本发明提供的一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法，生长薄势垒AlGaN层，利用氮化硅钝化层覆盖传感区域以外部分提升接入区的二维电子气浓度及迁移率；利用薄势垒层结构，可实现高的跨导，并结合背栅电极与沟道的电容耦合作用
一种结构 gan ph 传感器制备方法

[发明专利]一种无间隙雷电冲击电流发生器-CN201310399042.2无效
发明人：李建明;郭蓉萍;陈少卿;张榆;王姝欢 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种雷电冲击电流发生装置，具体涉及一种无间隙雷电冲击电流发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端连接绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极连接依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述绝缘栅双极型晶体管VT的发射极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电流发生器

[实用新型]一种无间隙雷电冲击电压发生器-CN201320549477.6有效
发明人：李建明;罗涛;周慧莹;张榆;任小花 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无间隙雷电冲击电压发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边的一端接地，另一端和绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极相连，绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极和保护电阻r串联，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电压发生器

[实用新型]一种无间隙雷电冲击电流发生器-CN201320549127.X有效
发明人：李建明;郭蓉萍;陈少卿;张榆;文丽 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种雷电冲击电流发生装置，具体涉及一种无间隙雷电冲击电流发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端连接绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极连接依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述绝缘栅双极型晶体管VT的发射极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电流发生器

[发明专利]一种RC-IGBT的正面结构-CN202211735236.0在审
发明人：郭亚楠;陈宏;刘洋;皮彬彬;刁绅 -专利权人：江苏易矽科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明通过在逆导型绝缘栅双极型晶体管中采用假栅结构以及在假栅之间引入了相互交替的NP注入，优化了绝缘栅双极型晶体管的短路能力以及饱和压降与关断损耗折衷性能等器件参数，并且实现了对二极管导通损耗、反向恢复损耗以及绝缘栅双极型晶体管输入电容
一种 rc igbt 正面结构

[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法-CN201310374240.3有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
向导绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]功率变换装置-CN200710101363.4无效
发明人： K·H·赫斯恩;筱原益生 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供可防止静电引起绝缘栅双极型晶体管损坏的功率变换装置。本发明的功率变换装置内设有绝缘栅双极型晶体管和保护电路，保护电路具有在绝缘栅双极型晶体管的栅极和电流检测端之间互为反向地串联连接的第1、第2齐纳二极管和在绝缘栅双极型晶体管的栅极和发射极之间互为反向地串联连接的第
功率变换装置

[发明专利]一种SiC基纳米尺度金属-氧化物-半导体场效应晶体管-CN202210359265.5在审
发明人：谢海情;崔凯月;蔡稀雅;陈振华;谢进 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用宽禁带二维SiC材料作为衬底，p型掺杂二维SiC作为源、漏电极，可以有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，加强栅极对沟道区域电子的控制
一种 sic 纳米尺度金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法-CN200710118823.4有效
发明人：周发龙;吴大可;黄如;王润声;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每个双鳍型沟道的外侧为栅氧和共同的前栅，内侧为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和共同的背栅，形成双栅结构；上层的双鳍型沟道的两端连接上层的共同的n+源和n+漏，下层的双鳍型沟道的两端连接下层的共同的p+源和p+漏；前栅和背栅自对准、对上下两层的源和漏的覆盖很小；上层n+源和下层p+源连接不同的电极，上层n+漏和下层n+漏连接同一电极。
三维双鳍型沟道多功能场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种智能功率模块-CN202010763489.3在审
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管；本申请提供的智能功率模块通过采用单颗HVIC芯片来控制两组绝缘栅双极型晶体管形成的单相全桥电路，可以降低占用芯片的面积，提高空间利用率
一种智能功率模块

[实用新型]一种智能功率模块-CN202021565002.2有效
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管；本申请提供的智能功率模块通过采用单颗HVIC芯片来控制两组绝缘栅双极型晶体管形成的单相全桥电路，可以降低占用芯片的面积，提高空间利用率
一种智能功率模块

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202221895534.1有效
发明人：高旭 -专利权人：武汉派思半导体有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片以及管壳；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间三维堆叠互联，且封装于管壳内。本实用新型的有益效果是：使用绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片三维堆叠的方式，可以有效减小电路的尺寸，并有效降低芯片互连带来的寄生参数，从而提升绝缘栅双极型晶体管器件的开关波形质量，缩小器件尺寸，减小开关损耗
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管模块-CN201710046848.1在审
发明人：姚礼军 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻，所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊焊接在绝缘基板导电铜层上；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接；塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接；所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片
一种绝缘栅双极型晶体管模块

[发明专利]一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块-CN201710581639.7在审
发明人：言锦春 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块，包括绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板DBC、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻、水冷铝基板、导向柱、滚花螺母；所述的绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分和功率端子通过超声波焊接，并通过软铅焊将所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分和功率端子焊接在绝缘基板DBC的导电铜层上；所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分的各芯片之间、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分的各芯片与绝缘基板
一种水冷绝缘栅双极型晶体管 igbt 模块

[发明专利]一种逆变模块-CN201510013911.2有效
发明人：魏培华;杨奎 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆变模块，其包括设置有底板的散热器以及安装在底板上的若干个半桥臂单元，其中，每个半桥臂单元均包括从底板向外依次层叠的且相互间隔开的绝缘栅双极型晶体管组件、铜排组件、门极驱动板，从绝缘栅双极型晶体管组件引出并支撑起门极驱动板的支撑杆组件，以及安装在底板上的支撑电容，其中，绝缘栅双极型晶体管组件包括安装在底板安装有支撑电容的端面上的第一绝缘栅双极型晶体管元件、第一绝缘栅双极型晶体管元件，铜排组件电连接绝缘栅双极型晶体管组件、支撑电容、支撑杆组件并作为半桥臂单元的输入端和输出端
一种模块

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