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[发明专利]新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路-CN202011299926.7在审
发明人：朱敏;林新春;王福龙 -专利权人：苏州力生美半导体有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路，包括栅结构、N+源区、P型体区、N基区及P+漏注入区，绝缘栅双极型晶体管包括覆盖设置于N+源区上的发射极、及覆盖设置于P+漏注入区上的集电极；N基区包括靠近P型体区设置的N基区，栅结构包括覆盖于N+源区和P型体区以及N基区上的栅氧；新型绝缘栅双极型晶体管还包括用以将P型体区与N基区隔离的隔离层，隔离层用以将P型体区与N基区隔离，进而将N基区引出作基极控制端；仅在新型绝缘栅双极晶体管关断时，在栅极处加反向驱动电压，在基极加正向驱动电压，从而使N基区与P型体区之间形成反偏，N基区中的空穴被反向电场加速漂移到P型体区，使得新型绝缘栅双极型晶体管迅速关断，降低器件功耗
新型绝缘栅双极型晶体管控制电路

[实用新型]新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路-CN202022692112.1有效
发明人：朱敏;林新春;王福龙 -专利权人：苏州力生美半导体有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路，包括栅结构、N+源区、P型体区、N基区及P+漏注入区，绝缘栅双极型晶体管包括覆盖设置于N+源区上的发射极、及覆盖设置于P+漏注入区上的集电极；N基区包括靠近P型体区设置的N基区，栅结构包括覆盖于N+源区和P型体区以及N基区上的栅氧；新型绝缘栅双极型晶体管还包括用以将P型体区与N基区隔离的隔离层，隔离层用以将P型体区与N基区隔离，进而将N基区引出作基极控制端；仅在新型绝缘栅双极晶体管关断时，在栅极处加反向驱动电压，在基极加正向驱动电压，从而使N基区与P型体区之间形成反偏，N基区中的空穴被反向电场加速漂移到P型体区，使得新型绝缘栅双极型晶体管迅速关断，降低器件功耗
新型绝缘栅双极型晶体管控制电路

[发明专利]一种风电变流器主动防凝霜系统-CN201810569012.4在审
发明人：于海洋;郭晓斌;雷金勇;马溪原;周长城;胡洋;喻磊;练依情 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种风电变流器主动防凝霜系统，包括：处理器、发电机、第一和第二绝缘栅双极型晶体管、第一和第二子变流器；处理器连接发电机的输入端，发电机接收处理器的控制并发电；第一绝缘栅双极型晶体管的输入端连接发电机的输出端，第一绝缘栅双极型晶体管的另一端连接第一子变流器的输入端；第二绝缘栅双极型晶体管的输入端连接发电机的输出端，第二绝缘栅双极型晶体管的输出端连接第二子变流器的输入端；第一和第二子变流器的输出端均连接处理器；第一绝缘栅双极型晶体管和第二绝缘栅双极型晶体管接受处理器的控制而开启或关断，进而控制电压流通过子变流器的电压上升速率，以控制子变流器对发电机的励磁大小以调节发电机的温度。
绝缘栅双极型晶体管发电机子变流器输出端输入端风电变流器输入端连接处理器防凝处理器连接接收处理器连接处理器输出端连接电压上升控制电压一端连接关断励磁发电

[发明专利]一种无间隙雷电冲击电压发生器-CN201310398742.X无效
发明人：李建明;罗涛;周慧莹;张榆;文艺 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种无间隙雷电冲击电压发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边的一端接地，另一端和绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极相连，绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极和保护电阻r串联，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述供电变压器T连接在绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极，充电电阻R连接在绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极等特征。
一种间隙雷电冲击电压发生器

[实用新型]一种风电变流器主动防凝霜系统-CN201820861981.2有效
发明人：于海洋;郭晓斌;雷金勇;马溪原;周长城;胡洋;喻磊;练依情 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种风电变流器主动防凝霜系统，包括：处理器、发电机、第一和第二绝缘栅双极型晶体管、第一和第二子变流器；处理器连接发电机的输入端，发电机接收处理器的控制并发电；第一绝缘栅双极型晶体管的输入端连接发电机的输出端，第一绝缘栅双极型晶体管的另一端连接第一子变流器的输入端；第二绝缘栅双极型晶体管的输入端连接发电机的输出端，第二绝缘栅双极型晶体管的输出端连接第二子变流器的输入端；第一和第二子变流器的输出端均连接处理器；第一绝缘栅双极型晶体管和第二绝缘栅双极型晶体管接受处理器的控制而开启或关断，进而控制电压流通过子变流器的电压上升速率，以控制子变流器对发电机的励磁大小以调节发电机的温度。
绝缘栅双极型晶体管发电机子变流器输出端输入端风电变流器输入端连接处理器防凝本实用新型处理器连接接收处理器连接处理器输出端连接电压上升控制电压一端连接关断励磁发电

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺-CN200510093369.2无效
发明人：李海鸥;张海英;尹军舰;叶甜春;和致经 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽，电子束蒸发金属Pt/Au形成增强型肖特基栅；第二步，采用湿法腐蚀得到耗尽型栅槽，电子束蒸发金属Ti/Pt/Au形成耗尽型肖特基栅。本发明工艺流程简单、易实现，对增强型PHEMT的制作成功非常有利，且源电阻小，源漏饱和电流较大、工作频率较高。
砷化镓基增强耗尽型赝配高电子迁移率晶体管制作工艺

[发明专利]正温度系数加热器-CN202010188950.7在审
发明人：王玮;吴强;谭泽林;陶雷;张文鹏;杨光;冯泽宇 -专利权人：孝感华工高理电子有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：所述正温度系数加热器包括：壳体、压板和绝缘栅双极型晶体管，所述壳体与所述压板连接，所述壳体包括散热面，所述绝缘栅双极型晶体管被夹持在所述壳体和所述压板之间，且所述绝缘栅双极型晶体管与所述散热面贴合；所述压板和所述绝缘栅双极型晶体管上对应设置有限位结构，所述限位结构用于阻止所述绝缘栅双极型晶体管与所述压板在平行于所述散热面的平面上发生相对运动；所述压板和所述壳体上对应设置有定位结构，所述定位结构用于将所述压板定位在所述壳体的预设位置上。
温度系数加热器

[实用新型]功率模块及电器-CN201820649028.1有效
发明人：毕晓猛;冯宇翔;苏宇泉;黄德星 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：该功率模块包括：基板；绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管设置在所述基板上；以及电阻温度传感单元，所述电阻温度传感单元设置在所述绝缘栅双极型晶体管远离所述基板的一侧，且所述电阻温度传感单元在所述基板上的投影，覆盖所述绝缘栅双极型晶体管所在的区域，所述绝缘栅双极型晶体管以及所述电阻温度传感单元之间填充有塑封料。
功率模块绝缘栅双极型晶体管温度传感单元电阻基板本实用新型电器基板布线塑封料监控过热填充投影覆盖

[实用新型]功率模块及电器-CN201820648928.4有效
发明人：毕晓猛;苏宇泉;冯宇翔;严允健 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：该功率模块包括：基板；绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管设置在所述基板上；以及光电测温单元，所述光电测温单元设置在所述绝缘栅双极型晶体管远离所述基板的一侧，且所述光电测温单元在所述基板上的投影，覆盖所述绝缘栅双极型晶体管所在的区域，所述绝缘栅双极型晶体管以及所述光电测温单元之间填充有塑封料。
功率模块绝缘栅双极型晶体管测温单元基板本实用新型电器基板布线塑封料监控过热填充投影覆盖

[实用新型]变频器-CN201721097452.1有效
发明人：岩桥幸司;山本健士 -专利权人：株式会社安川电机
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种变频器，该变频器包括变频器控制器和变频器模块，所述变频器模块包括基板以及设置在所述基板上的电气元件，所述电气元件至少包括绝缘栅双极型晶体管模组，所述绝缘栅双极型晶体管模组的输入端连接有反接防止电路在上述技术方案中，通过在绝缘栅双极型晶体管模组的输入端连接上反接防止电路，在绝缘栅双极型晶体管模组的输入端与电源接反时，反接防止电路阻止电路导通，从而避免由于绝缘栅双极型晶体管模组的输入端连线错误，导致变频器被损坏的情况
绝缘栅双极型晶体管变频器模组防止电路反接变频器模块输入端连接电气元件基板变频器控制器本实用新型输入端连线电路导通输入端接反电源

[实用新型]正温度系数加热器-CN202020336642.X有效
发明人：王玮;吴强;谭泽林;陶雷;张文鹏;杨光;冯泽宇 -专利权人：孝感华工高理电子有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：所述正温度系数加热器包括：壳体、压板和绝缘栅双极型晶体管，所述壳体与所述压板连接，所述壳体包括散热面，所述绝缘栅双极型晶体管被夹持在所述壳体和所述压板之间，且所述绝缘栅双极型晶体管与所述散热面贴合；所述压板和所述绝缘栅双极型晶体管上对应设置有限位结构，所述限位结构用于阻止所述绝缘栅双极型晶体管与所述压板在平行于所述散热面的平面上发生相对运动；所述压板和所述壳体上对应设置有定位结构，所述定位结构用于将所述压板定位在所述壳体的预设位置上。
温度系数加热器

[实用新型]电动车动力系统及其电控装置-CN202321119655.1有效
发明人：林楚辉;林建洪 -专利权人：广东金霸智能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：所述电控装置(20)包括逆变器，所述逆变器包括若干绝缘栅双极型晶体管；所述电控装置(20)内部设置有第一冷却通道，冷却导流模块位于所述第一冷却通道；所述冷却导流模块包括若干导流件(333)，所述若干导流件(333)之间的空间作为所述第一冷却通道的一部分；所述导流件(333)由对应的绝缘栅双极型晶体管形成，或者由绝缘栅双极型晶体管的散热件形成。本实用新型将电控装置的绝缘栅双极型晶体管形成导流件，或者由绝缘栅双极型晶体管的散热件形成导流件，改善了电控装置的散热。
电动车动力系统及其装置

[发明专利]一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法-CN201911416568.0在审
发明人：张亦斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电子束负胶的T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法及T型栅制作方法；其步骤包括：在制备器件所需的外延层表面旋涂负性电子束光刻胶，用电子束直写所需T型栅两侧区域并显影获得正梯形的栅脚结构，通过控制电子束直写计量调节栅脚图形根部腔壁的角度然后，利用正性电子束光刻胶直写栅帽，或者通过传统光刻曝光光刻栅帽，形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极。本发明采用电子束负胶不仅能够获得正梯形的栅脚结构，显著提高栅的稳定性，同时由于该方法不需要直写栅终端的大面积区域，有效提高直写速度；该工艺在制作氮化镓基、铟磷基、砷化镓基等材料的高频器件工艺中具有重要意义
一种光刻图形根部角度调整制作方法

[发明专利]一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法-CN202111599208.6在审
发明人：王军;王新宇;詹国清;李栋;王桂东 -专利权人：上海应用技术大学;江苏亚邦染料股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机场效应晶体管器件技术领域，尤其是涉及一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法。本发明中的双极型有机场效应晶体管由栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层和源/漏电极组成；栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层依次叠放；源/漏电极与栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层构成底栅底、底栅顶、顶栅底或顶栅顶结构的双极型有机场效应晶体管。本发明制备得到的双极型有机场效应晶体管实现了真正的双极型OFET。
一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202110460558.8在审
发明人：芮强;张须坤;李巍;贾鹏 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开提供一种绝缘栅双极型晶体管及绝缘栅双极型晶体管的制备方法。该绝缘栅双极型晶体管的制备方法包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；在所述沟槽侧壁形成具有第一导电类型的掺杂层，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述半导体衬底的掺杂浓度；通过推阱工艺使所述掺杂层中的掺杂元素横向扩散本公开能够降低绝缘栅双极型晶体管的导通电阻。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法