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[发明专利]液晶显示器件和使用该器件的电子装置及其制造方法-CN201010114798.4有效
发明人：斋藤总一;新冈真也;十文字正之;田边浩;下田雅通 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示器件和使用该器件的电子装置及其制造方法。提供了一种IPS模式的液晶显示器件，其包括像素阵列，通过使多条视频信号线与多条扫描信号线彼此交叉，像素这列在第一基板上排列成矩阵图案。这些像素中的每一个都至少设置有切换元件。在两种信号线上设置透明绝缘膜，并且在该透明绝缘膜上设置多个像素电极、公共电极和公共线。这些公共线被形成为栅格状图案，从而这些公共线中的在一个方向上延伸的第一组由与金属相比对可见光具有更低反射率的第一导体制成，而这些公共线中的第二组由包括金属层的第二导体制成，使得所述第一组与所述第二组沿着所述视频信号线和所述扫描信号线彼此交叉。
液晶显示器件使用电子装置及其制造方法

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188142.X有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188143.4有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]液晶显示装置-CN200810161071.4有效
发明人：森健一;坂本道昭;住吉研;永井博;中谦一郎;十文字正之;田边浩 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：为了抑制暗态时的光泄漏，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置的反射区中的电极可以高精度形成。该液晶显示装置具有在像素内的至少对应于反射板形成部分的反射区，反射区以横向电场模式来驱动并为常白。驱动电极用于向反射区的液晶层形成电场，并利用不透明导电体通过绝缘膜形成在反射板上。
液晶显示装置

[发明专利]退火方法-CN200710097035.1无效
发明人： 十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。
退火方法

[发明专利]半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置-CN200710097036.6无效
发明人： 十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。
半导体装置退火方法显示装置

[发明专利]半导体器件、基片、液晶显示器及其制造方法-CN200610128085.7无效
发明人：木村嘉伸;松村正清;山元良高;西谷干彦;平松雅人;十文字正之;中野文树 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-04-14 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，每个单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。
半导体器件液晶显示器及其制造方法

[发明专利]用于激光退火的移相器-CN200610091812.7无效
发明人： 十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明的目标是提供一种用于激光退火的移相器，其能够有效地防止颗粒的附着。第一层(1)和第三层(3)由石英玻璃制成，并且在这些层(1、3)的表面中形成细沟槽(5、6)的两维图案。将第一层(1)和第三层(3)设置成使得在使设有沟槽(5、6)的表面彼此面对的状态下将第二层(2)夹在这两层之间。第一层(1)的周边边缘部分通过间隔器(4)叠置在第三层(3)的周边边缘部分上。第二层(2)由被引入到第一层(1)和第三层(3)之间的惰性气体形成。
用于激光退火移相器

[发明专利]拾取激光的截面图像的方法-CN200510096528.4无效
发明人： 十文字正之;松村正清;谷口幸夫;平松雅人;小川裕之;秋田典孝 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：将刃状物(30)设置在要拾取截面图像(光强度分布)的截面的高度处，以拦截激光(20)的部分截面。用激光(20)照射刃状物(30)，且激光的截面图像用图像形成光学系统(40)放大，并由CCD(50)拾取。当以这种方式拾取截面图像时，以在被刃状物(30)遮蔽的边界部分中的光强度的梯度具有不小于预置目标值的陡度的这种方式进行图像形成光学系统(40)的聚焦。接下来，从激光的光路缩回刃状物(30)，允许激光经由图像形成光学系统(40)进入CCD(50)，并拾取激光的截面图像。
拾取激光截面图像方法

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200510091162.1有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]结晶设备、结晶方法、器件、光学调制元件和显示装置-CN200510062668.X无效
发明人：谷口幸夫;十文字正之;小川裕之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：第一光学调制元件用光束照射非单晶物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第一光束的强度而获得的在非单晶物质上的第一光强分布。第二光学调制元件用光束照射该物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第二光束的强度而获得的在该物质上的第二光强分布。在通过照射具有第一光强分布的光束而部分地熔化该物质的期间，照明系统使具有第二光强分布的光束进入该物质的熔化部分。
结晶设备方法器件光学调制元件显示装置

[发明专利]结晶装置和结晶方法-CN03809603.X无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭，并具有对应于所述给定波长范围的像差，以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。
结晶装置方法

[发明专利]晶化方法，晶化设备，处理衬底，薄膜晶体管及显示器设备-CN200410064008.0无效
发明人： 十文字正之;小川裕之;松村正清;平松雅人;木村嘉伸;谷口幸夫;加藤智也 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。
方法设备处理衬底薄膜晶体管显示器

[发明专利]薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法-CN200410071612.6无效
发明人：平松雅人;木村嘉伸;小川裕之;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜半导体衬底，包括绝缘衬底(10)、形成在绝缘衬底(10)上的非晶半导体薄膜(14)、以及位于半导体薄膜(14)上并指示晶化参考位置的多个对准标记(MK)。
薄膜半导体衬底制造方法半导体器件

[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法-CN02820338.0无效
发明人：木村嘉伸;松村正清;西谷干彦;平松雅人;十文字正之;山元良高;小关秀夫 -专利权人：株式会社液晶高新技术开发中心
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在此描述一种用于制造薄膜半导体器件的方法。在该方法中，在激光照射步骤之前，在玻璃的基层上淀积的非单晶半导体薄膜层被处理为岛状薄膜层。在该岛状薄膜层上形成绝缘膜层和栅极之后，通过使用栅极作为照射掩膜，执行对非单晶半导体薄膜层的激光照射，从而被该栅极所遮蔽的岛状薄膜层的中央区域被结晶，并且不被该栅极所遮蔽的两侧区域被退火。接着，在被退火区域中形成一个源极和漏极。可以在激光照射之前或之后执行杂质离子的注入。通过上述步骤，与由常规方法所制造的器件相比，可以获得对每个电子电路单位具有少量晶体和较少晶体粒度变化的薄膜半导体器件。另外，可以使得在该器件中的结晶层和绝缘层之间的边界表面平整。
薄膜半导体器件及其制造方法

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