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[发明专利]薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置-CN200810175142.6无效
发明人：山口弘高;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。本发明提供一种薄膜晶体管，包含：在玻璃基板上的结晶化的半导体薄膜上设置的源区和漏区；在上述半导体薄膜上在上述源区和漏区间设置的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上设置的栅电极；在上述栅电极、上述源区和漏区上设置的第2绝缘膜；以及在该第2绝缘膜中设置的、设置有用于与上述栅电极、上述源区和漏区的至少一个取得电接触的导电体层的接触孔，其特征在于：上述接触孔的剖面形状是长方形状，该接触孔的剖面形状的长边方向的长度尺寸大于等于其短边方向的长度尺寸的1.4倍。
薄膜晶体管集成电路液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和使用了网目调型掩模的曝光方法-CN200810175143.0无效
发明人：山口弘高;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显影而在上述抗蚀剂上形成接触孔的工序，使用i线作为上述光线。
薄膜晶体管制造方法使用网目调型掩模曝光

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188142.X有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188143.4有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]结晶设备、结晶方法及调相装置-CN200810167902.9无效
发明人：加藤智也;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜(5)，从而使该膜结晶，并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置(1)，以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成像系统(4)。所述调相装置的每个单位区域包括具有特定相位的基准面；布置在每个单位区域中央附近并且相对于所述基准面具有第一相位差的第一区域；以及布置在所述第一区域附近并且相对于所述基准面具有与所述第一相位差基本相同的相位差的第二区域。
结晶设备方法调相装置

[发明专利]光学装置和结晶装置-CN200710165750.4无效
发明人：大野隆;东和文;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：一种光学装置，包括：第一柱面透镜阵列(33a、34a)，其中设置多个第一透镜部分(L)，每个所述第一透镜部分具有第一曲率半径和第一宽度以便将激光分成多个光分量；以及多个第二透镜部分(S、S1、S2)，每个所述第二透镜部分具有第二曲率半径和第二宽度，并设置在第一柱面透镜阵列中的至少一个位置上以便将其设置在相邻的第一透镜部分(L)之间。
光学装置结晶

[发明专利]结晶装置和结晶方法-CN200710096523.0无效
发明人：谷口幸夫;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种结晶装置，它包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
结晶装置方法

[发明专利]退火方法-CN200710097035.1无效
发明人：十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。
退火方法

[发明专利]半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置-CN200710097036.6无效
发明人：十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。
半导体装置退火方法显示装置

[发明专利]光照射和结晶的装置及方法，半导体器件和光调制元件-CN200710084729.1无效
发明人：谷口幸夫;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种光照射装置包括光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面。所述光调制元件在一个单元区内有包括第一面积比改变结构和第二面积比改变结构的多个面积比改变结构。所述第一面积比改变结构具有其中面积份额比在第一方向变化的至少一个第一相位调制区。并且所述第二面积比改变结构具有其中面积份额比在不同于所述第一方向的第二方向上变化的至少一个第二相位调制区。
照射结晶装置方法半导体器件调制元件

[发明专利]移相掩模-CN200610144785.5无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;木村嘉伸 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光线用的移相掩模，其中，掩模图形具有至少由不少于3条的移相线构成的交点，以该交点为中心的圆形区域的复数透射率的积分值大致为0。
移相掩模

[发明专利]半导体器件、基片、液晶显示器及其制造方法-CN200610128085.7无效
发明人：木村嘉伸;松村正清;山元良高;西谷干彦;平松雅人;十文字正之;中野文树 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-04-14 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，每个单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。
半导体器件液晶显示器及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法-CN200610084254.1有效
发明人：加藤智也;松村正清;中崎能彰 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有高迁移率并且迁移率或阈电压特性波动很小的薄膜晶体管。厚度小于50nm并且设置在绝缘衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的尺寸的带状晶粒(4)，在宽度方向彼此相邻地排列形成晶粒阵列(5)。形成TFT的源区(S)和漏区(D)，使得电流在包括该晶粒阵列(5)的多个晶粒(4)的区域内在所述晶体生长方向流过。
薄膜晶体管半导体器件显示器结晶方法制备

[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及使用薄膜晶体管的显示器-CN200610151501.5无效
发明人：中崎能彰;河内玄士朗;蕨迫光纪;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供呈现出更高电子或空穴迁移率的薄膜晶体管(TFT)、用于制造该薄膜晶体管的方法以及使用该薄膜晶体管的显示器。因此，本发明提供一种薄膜晶体管，其在半导体薄膜(4a)中具有源极区(S)、沟道区(C)和漏极区(D)，该半导体薄膜(4a)具有沿水平方向生长晶体的结晶区，该薄膜晶体管在沟道区(C)上具有栅绝缘膜(11)和栅电极(12)，其中，将与沟道区(C)相邻的漏极区(D)的漏极边缘(10)形成在晶体生长结束位置(8)附近。
薄膜晶体管制造方法以及使用显示器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及使用薄膜晶体管的显示器-CN200610151400.8无效
发明人：中崎能彰;河内玄士朗;蕨迫光纪;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供呈现出较高电子(或空穴)迁移率的薄膜晶体管、用于制造薄膜晶体管的方法、以及使用该薄膜晶体管的显示器。本发明提供一种薄膜晶体管，其在晶体沿水平方向生长的半导体薄膜(4a)中具有源极区(S)、沟道区(C)和漏极区(D)，该薄膜晶体管在沟道区(C)上具有栅绝缘膜(11)和栅电极(12)，其中将与沟道区(C)相邻的漏极区(D)的漏极边缘(10)形成在晶体生长结束位置(8)的附近。
薄膜晶体管及其制造方法以及使用显示器

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