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[发明专利]半导体装置-CN201910514927.X在审
发明人：梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
发射极层欧姆接触发射极电极尺寸差半导体装置双极晶体管俯视观察过渡电压集电极层基极层长边基板配置

[发明专利]改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法-CN201010172759.X无效
发明人：陈乐乐;孙洪福;曼纽拉·奈耶尔 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法。该方法是在形成发射极层之后对该发射极层进行反刻蚀，利用反刻蚀改善所述发射极层的表面形貌，从而改善淀积于所述发射极层表面上的硅化物层，使发射极金属互连与发射极良好接触，提高双极管的工作性能。
改善极性晶体管发射极表面硅化物层方法

[发明专利]沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管-CN202210778209.5在审
发明人：李磊;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李哲锋 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管。其包括N型衬底以及阴极电极；在所述N型衬底的正面制备沟槽型发射极，沟槽型发射极包括N型埋层、位于所述N型埋层上的P型层、位于所述P型层上的发射极金属层以及若干发射极沟槽，其中，对任一发射极沟槽，所述发射极沟槽贯穿P型层以及N型埋层，发射极沟槽的槽底位于N型埋层的下方，所述发射极沟槽的内壁覆盖沟槽绝缘氧化层，在覆盖有沟槽绝缘氧化层的发射极沟槽内填充有发射极导电多晶硅；所述发射极金属层与P型层以及发射极沟槽内的发射极导电多晶硅欧姆接触
沟槽发射极载流子注入控制恢复二极管

[发明专利]半导体装置-CN200910166647.0有效
发明人：高桥和也 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
半导体装置

[发明专利]一种自对准异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201810352890.0有效
发明人：刘洪刚 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准异质结双极型晶体管及其制造方法，能够避免E‑B短路，提升射频特性。一种自对准异质结双极型晶体管，包括：基区层；第一发射区层，形成于基区层上表面；发射极结构，形成于第一发射区层上表面，发射极结构包括上下设置的发射极阻挡层及发射极接触层；及基极金属层；自对准异质结双极性晶体管还包括：发射极钝化边沿结构，形成于发射极结构侧部及第一发射区层的上表面，发射极钝化边沿结构环绕发射极结构设置；基极金属层包括形成于基区层上表面的第一基极金属层和形成于发射极结构上表面的第二基极金属层，第一基极金属层设于发射极钝化边沿结构的侧方以通过发射极钝化边沿结构将发射极接触层和第一基极金属层间隔
一种对准异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911347505.4在审
发明人：长田尚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具体地，该半导体器件包括：条状沟槽栅极、条状沟槽发射极、N型发射极层、P型基极层和P型基极接触层，该条状沟槽发射极布置为面向沟槽栅极，该N型发射极层和该P型基极层被该沟槽栅极和该沟槽发射极包围，并且P型基极接触层布置在形成在半导体衬底中的沟槽发射极的一侧上P型基极接触层、发射极层和沟槽发射极与发射极电极共同地连接，并且沟槽发射极在半导体衬底的厚度方向上形成得比沟槽栅极更深。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率放大器模块-CN201811182641.8有效
发明人：近藤将夫;柴田雅博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：在活性区域上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。由层间绝缘膜覆盖集电极层、基极层以及发射极层。垫片与元件分离区域热耦合。在层间绝缘膜上配置有发射极凸块。发射极凸块经由设置于层间绝缘膜的导通孔与发射极层电连接，并且也与垫片电连接。在俯视时，发射极凸块与发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。
功率放大器模块

[发明专利]功率半导体装置及相应模块-CN201480014225.0在审
发明人： M.拉希莫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：包括导电门极层(72)和绝缘层(74)，层按照下列顺序设置在集电极与发射极侧(27、22)之间：p掺杂集电极层(6)；(n-)掺杂漂移层(5)；n掺杂增强层(52)；p基基层(4)，包括第一和第二基区(42、44)；以及(n+)掺杂第一和第二发射极层，发射极电极(2)在发射极接触区(21)接触第一发射极层(3)和第一基区(42)，其中第二发射极层(35)通过绝缘层(74)来绝缘以免直接接触到发射极电极(2)，并且第二发射极层(35)通过基层(4)与第一发射极层(3)分隔，增强层(52)设置在第一基区(42)与漂移层(5)之间，将第一基区(42)与第二基区(44)和漂移层(5)隔离，并且接触第二发射极层(35)，IGBT沟道(100)可从第一发射极层(3)经由第一基区(42)到漂移层(5)形成，晶闸管沟道(12)可从第二发射极层(35)经由第二基区(44)到漂移层(5)形成，MOS沟道(140)可从第一发射极层(3)经由第一基区(42)到第二发射极层(35)形成。
功率半导体装置相应模块

[发明专利]用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法-CN201710457292.5有效
发明人： C.达尔;D.A.楚马科夫 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。在第一步骤中提供叠层，叠层包括：半导体衬底，具有沟槽隔离；隔离层，布置在半导体衬底上，其中第一隔离层包括形成发射极窗口的凹槽；侧向间隔物，布置在发射极窗口的侧壁上；基极层，布置在半导体衬底上的发射极窗口中；和发射极层，布置在隔离层、侧向间隔物和基极层上。在第二步骤中，牺牲层被提供在发射极层上，由此过度填充由于发射极窗口而由发射极层形成的凹槽。在第三步骤中，牺牲层被选择性地去除直至发射极层，同时保持牺牲层的对发射极层的凹槽填充的部分。在第四步骤中，发射极层被选择性地去除直至隔离层，同时保持发射极层的填充的凹槽。
用于制造高速异质结双极晶体管发射极方法

[发明专利]一种晶体管激光器及其制备方法-CN202210195349.X在审
发明人：梁松 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶体管激光器及其制备方法，该晶体管激光器包括：衬底；集电层材料层、基极材料层、基极高Al组份材料层、量子阱材料层、发射极高Al组份材料层、发射极材料层依次生长于衬底上；发射极材料层、发射极高Al组份材料层、量子阱材料层及基极高Al组份材料层被刻蚀形成发射极波导；基极电极设于基极材料层上，与发射极波导不相连；发射极电极设于发射极材料层上；集电极设于衬底下表面；其中，基极高Al组份材料层、发射极高Al组份材料层中的至少一层靠近发射极波导两侧壁的区域被氧化。该晶体管激光器可以有效减少发射极波导侧壁非辐射复合中心的不利影响，从而显著改善晶体管激光器的性能。
一种晶体管激光器及其制备方法

[发明专利]一种InP HBT器件侧墙的制备方法-CN201110165262.X无效
发明人：郭建楠;金智;苏永波;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法包括在InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向InGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将发射极金属生长区域之外的金属剥离；对InGaAs盖帽层进行腐蚀，使残留的InGaAs盖帽层与发射极金属层重合；对InP发射极层进行刻蚀，使残留的InP发射极层与残留的InGaAs盖帽层重合；从而，发射极金属层，残留的InGaAs盖帽层，以及，残留的InP发射极层堆迭后的侧壁形成发射极台面；在发射极台面侧面生长一层保护介质，并对保护介质进行刻蚀，从而形成发射极台面侧墙。
一种 inp hbt 器件制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202010376529.9在审
发明人：梅本康成;小屋茂树;大部功;井手野馨 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
半导体装置

[发明专利]一种异质结双极晶体管发射极结构和发射极的薄化方法-CN201811589623.1有效
发明人：颜志泓;魏鸿基 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，发射极层和发射极盖帽层之间还具有由上至下层叠设置的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层对不同蚀刻液的选择蚀刻比不相同；薄化过程包括如下步骤：1)在发射极盖帽层上沉积发射极金属后，蚀刻发射极盖帽层；2)蚀刻第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层不受影响；3)蚀刻第二蚀刻停止层和发射极盖帽层，第一蚀刻停止层不受影响；4)蚀刻第一蚀刻停止层和发射极层，第二蚀刻停止层不受影响；5)在基电极层沉积基电极金属。从而在不需外加光刻胶或介电层(dielectric)材料做薄化刻蚀掩膜条件下,完成发射极薄化工艺。
一种异质结双极晶体管发射极结构方法

[实用新型]触控屏-CN201621262507.5有效
发明人：李学才;李明麟;王榕;郭永龙;陆昶明 -专利权人：意力（广州）电子科技有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开一种触控屏，包括基板、发射极线路层及接收极线路层，所述发射极线路层与所述接收极线路层均位于所述基板的同一侧，所述发射极线路层设于所述基板一侧的侧面上，所述接收极线路层设于所述发射极线路层远离所述基板的一侧的侧面上；或所述接收极线路层设于所述基板一侧的侧面上，所述发射极线路层设于所述接收极线路层远离所述基板的一侧的侧面上。上述触控屏只设有一层基板，同时发射极线路层与接收极线路层分别用于发射与接收信号，相对于设有多层基板的触控屏，厚度减少，触控屏的耐弯折性更好，此外将发射极线路层与接收极线路层分别设置，降低了发射极线路层与接收极线路层之间的互相干扰
触控屏

[实用新型]一种功率放大器-CN202121790130.1有效
发明人：唐东杰;周勇;金冬;王聪聪 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本申请提供一种功率放大器，涉及通信技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的电极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一发射极和第二发射极通过发射极互连金属层连接，辅助互连金属层与发射极互连金属层连接，如此，在实现第一发射极和第二发射极的连接中，增加了第二金属层的辅助互连金属层，使得第一发射极和第二发射极的互连金属的厚度增大，从而有效提高功率放大器的发射极的过电流能力，也即能够有效提高功率放大器的输出功率，从而提高器件性能，使得器件有着更优的表现。
一种功率放大器

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