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[发明专利]功率器件及其成型方法-CN202010160720.X在审
发明人：李东升;章剑锋;朱林佩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件及其成型方法，功率器件包括：外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且一个栅极沟槽设置于相邻两个发射极沟槽之间，发射极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度；栅极，设置于栅极沟槽并在栅极沟槽与外延层绝缘设置；冗余发射极，设置于发射极沟槽并在发射极沟槽与外延层绝缘设置。
功率器件及其成型方法

[实用新型]功率器件-CN202020283778.9有效
发明人：李东升;章剑锋;朱林佩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件，功率器件包括：外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且一个栅极沟槽设置于相邻两个发射极沟槽之间，发射极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度；栅极，设置于栅极沟槽并在栅极沟槽与外延层绝缘设置；冗余发射极，设置于发射极沟槽并在发射极沟槽与外延层绝缘设置。
功率器件

[发明专利]一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法-CN201911408282.8有效
发明人：任春江;程伟 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟双异质结双极型晶体管的制造方法，包括：形成发射极电极后以其为掩膜进行选择性腐蚀获得比发射极电极缩小后的发射极台面；填充第一介质层到发射极电极下发射极台面的侧壁形成对发射极电极的支撑保护；制作基极电极，制作比基极电极缩小后的基极台面；填充第二介质层到基极电极下基极台面的侧壁形成对基极电极的支撑保护；制作集电极电极，以第三光刻胶层为掩膜进行选择性腐蚀并去除第三光刻胶层获得隔离台面完成器件制作本发明有助于提升磷化铟双异质结双极型晶体管性能的同时保证最终成品率，且可操作性和通用性强，适用于微米级到亚微米级等各种发射极尺寸的磷化铟双异质结双极型晶体管制造。
一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200710006342.4有效
发明人：幡手一成 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：设于发射极电极(21)下部的n+发射极层(6)由以预定间隔配置的凸部(6b)和将这些凸部连接的本体部(6a)构成。在凸部区域中，与发射极电极相接触并以高于p基极层(5)的高浓度至少在发射极层的下方设置p+层(20)。能够改善横式结构的功率晶体管中抗寄生闸流管闭锁的能力，并能够缩短断开时间。
半导体装置

[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN200510005992.8无效
发明人：村山启一;太田顺道;田村彰良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-01 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n⁺型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由In_xGa_1－xP(0＜x＜1)制成。
异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]具有可控击穿电压的二极管-CN201210460506.1在审
发明人： F·希尔勒;J·韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及具有可控击穿电压的二极管。公开了一种二极管。二极管的实施例包括半导体本体、第一导电类型的第一发射极区域、第二导电类型的第二发射极区域以及被布置在第一与第二发射极区域之间且具有比第一和第二发射极区域更低的掺杂浓度的基极区域。二极管进一步包括仅仅被电耦合到第一发射极区域的第一发射极电极、与第二发射极区域电接触的第二发射极电极以及包括第一控制电极部和被布置在第一控制电极部与半导体本体之间的第一介电层的控制电极装置。至少一个pn结延伸到第一介电层或者被布置成距离第一介电层小于250nm。
具有可控击穿电压二极管

[发明专利]一种沟槽栅RC‑IGBT及其制备方法-CN201710464021.2在审
发明人：马丽;李佳豪;谢加强;康源 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅RC‑IGBT，包括从上到下依次设置的N+发射极、P+发射极、P‑base区、N‑层，P‑base区上表面还设置有P+发射极，P+发射极与N+发射区并排设置，N‑层上表面刻蚀有若干个沟槽，沟槽内设置有SiO2栅氧层，SiO2栅氧层上淀积有多晶硅栅，P+发射极、N+发射极及P‑base区位于沟槽的同侧，N+发射极及P‑base区的侧壁均与沟槽侧壁外表面相接触，N‑层的背面设置有N缓冲层，N缓冲层的背面设置有P+集电极，P+集电极的一侧设置有N+集电极，N+集电极的上表面设置有若干个P柱区。
一种沟槽 rc igbt 及其制备方法

[实用新型]绝缘栅极晶体管、智能功率模块及空调器-CN201921350198.0有效
发明人：冯宇翔;刘利书 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该绝缘栅极晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；发射极区，设置在P阱区远离漂移区的一侧；发射极，设置在发射极区远离P阱区的表面；栅氧化层，设置在发射极区和P阱区远离漂移区的表面；栅极，设置在栅氧化层远离栅氧化层的表面；二极管，其阳极与发射极电连接，其阴极与栅极电连接。本实用新型所提出的平面栅型绝缘栅极晶体管，通过将二极管的阴极与栅极电连接、阳极与发射极电连接，从而有效防止意外高压将栅极与发射极之间被击穿损坏，进而使平面栅型绝缘栅极晶体管的使用寿命更长。
绝缘栅极晶体管智能功率模块空调器

[发明专利]一种砷化镓HBT干法刻蚀斜坡的制作方法-CN202211226350.0在审
发明人：邱子阳;陈岩;步绍姜;王溯源;章军云 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓HBT干法刻蚀斜坡的制作方法，本方法包括：步骤一：提供已完成部分器件制作的晶圆结构；晶圆结构从下至上包括衬底、子集电极外延、自停止层外延、集电极外延、基极外延、发射极外延、基极金属设于发射极外延上、发射极帽层和发射极金属设于发射极帽层上；步骤二：光刻定义集电极台阶的图形，且图形的截面为倒梯形；步骤三：基于光罩图形，湿法腐蚀发射极外延层；步骤四：基于光罩图形，干法刻蚀基极外延层和集电极外延层，控制时间，至自停止层结束；步骤五：去掉集电极台阶的光刻胶；步骤六：光刻定义隔离台阶的图形，且图形截面为倒梯形；步骤七：湿法腐蚀自停止外延层；步骤八：干法刻蚀子集电极外延层，控制时间，至衬底结束；步骤九：去掉隔离台阶的光刻胶
一种砷化镓 hbt 刻蚀斜坡制作方法

[发明专利]一种钝化金属接触的背结太阳能电池的制备方法-CN202010225364.5有效
发明人：陈嘉;赵影文;包杰;季根华;吴伟梁;刘志锋 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化金属接触的背结太阳能电池的制备方法，包括：(1)、在硅片的前表面制备浅掺杂的n+前场；(2)、在浅掺杂的n+前场上制备掩膜层；(3)、在硅片的背表面制备p+发射极，掩膜层能够阻挡制备p+发射极所用的掺杂原子对硅片前表面的n+前场形成反掺杂；在制备p+发射极的过程中，p+发射极上会覆盖硼硅玻璃层；(4)、在硼硅玻璃层和p+发射极上局部开凹槽；(5)、在硅片的背表面制备n+背场，硼硅玻璃层能够阻挡制备n+背场所用的掺杂原子对p+发射极形成反掺杂；(6)、清洗硅片，以去除掩膜层和硼硅玻璃层；(7)、在硅片背面制备隧穿氧化层和多晶硅膜层，并退火处理；(8)、对硅片进行钝化和金属化处理。
一种钝化金属接触太阳能电池制备方法

[发明专利]发光晶体管-CN200710097363.1无效
发明人：文元河;崔昌焕;黄永南 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光晶体管，包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；发射电极，形成于所述发射极层上；第一激活层，形成于所述集电极层与所述基极层之间；以及第二激活层，形成于所述基极层与所述发射极层之间。
发光晶体管

[发明专利]一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法-CN202111145870.4在审
发明人：刘建;张培健;税国华;刘青;朱坤峰;黄磊;王鹏飞;赵明琪 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点
一种微米多晶发射极双极结型晶体管及其制造方法

[实用新型]绝缘栅双极晶体管(IGBT)-CN201620520332.7有效
发明人：细谷拓己 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：所述IGBT包括栅极沟槽；发射极沟槽；电绝缘层，所述电绝缘层耦接至所述发射极沟槽以及所述栅极沟槽并且使所述栅极沟槽与导电层电隔离；以及所述电绝缘层中的开口，所述开口延伸到所述发射极沟槽内并且所述导电层通过所述开口与所述发射极沟槽电耦接；其中所述栅极沟槽、所述发射极沟槽、所述电绝缘层和所述导电层形成所述绝缘栅双极晶体管(IGBT)的至少一部分。
绝缘双极晶体管 igbt

[发明专利]P型石墨烯基晶体管-CN201210599316.8有效
发明人： W·梅尔;J·达布罗斯基;M·莱梅;G·利珀特;G·卢皮纳;J·C·沙耶特 -专利权人： IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：石墨烯基热空穴晶体管包括衬底上的发射极层、集电极层、和包含石墨烯层的基极层，其中在基极层和发射极层之间布置发射极势垒层，以及在基极层和集电极层之间并邻近石墨烯层布置集电极势垒层。
石墨晶体管

[实用新型]一种沟槽型器件-CN202121392315.7有效
发明人：周宏伟;刘杰;潘敏智 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽型器件，包含第一导电类型漂移区衬底，所述第一导电类型漂移区衬底的上设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区内设有介质层；栅极多晶层与发射极多晶层被介质层包裹构成等间距的三沟槽结构；所述阻挡层则位于发射极多晶层下方；在第二导电类型体区表面设有第一导电类型发射极与第二导电类型发射极；所述保护层位于第一导电类型漂移区衬底表面上方；所述金属导电层则位于保护层上方并与第一导电类型发射极、第二导电类型发射极和发射极多晶层相连。通过利用阻挡层，改变空穴流出路径，优化器件内部的载流子分布。增强了载流子注入效应，能够降低IGBT的导通损耗。
一种沟槽器件