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[发明专利]激光器及其制备方法-CN202310308102.9在审
发明人：郑婉华;徐传旺;齐爱谊;王炬文;渠红伟;周旭彦;王亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：该激光器包括N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、反型层和P面电极层，该反型层包括至少一个反型层单元，P面电极层还与所述欧姆接触层接触。本公开通过在传统外延结构上继续外延生长一层反型层，仅需一次光刻实现区域电流注入，无需沉积绝缘层或者离子注入，大大简化了芯片的制作过程，提升了制备效率。同时通过欧姆接触层或P型限制层与反型层之间形成的凹凸结构，有助于P面电极层的金属扩展，增加了芯片与金属之间的粘合力。且多个反型层单元的设置，可以实现不同反型层单元之间的相互耦合，进而改善光束质量。
激光器及其制备方法

[发明专利]锥形半导体激光器及其制作方法-CN202110045443.2在审
发明人：曼玉选;仲莉;马骁宇;刘素平;井红旗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。
锥形半导体激光器及其制作方法

[实用新型]反熔丝型存储器组件的结构-CN200420067254.7无效
发明人：林智明;汪坤发;刘家成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝型存储器组件的结构，其包括：一金属硅化物层、一第一型导电层于金属硅化物层上、一反熔丝层于该第一型导电层上、以及一第二型导电层于该反熔丝层上。依本实用新型的结构，由于其比现有技术减少一多晶硅层，故其多晶硅和硅化物层的总体阻质较低，可增加反熔丝型存储器组件的驱动电流。
反熔丝型存储器组件结构

[实用新型]N型双面电池-CN201520028371.0有效
发明人：魏青竹;陆俊宇;连维飞;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型双面电池，其包括：N型硅片衬底、P型层、第一钝化减反膜、N+层、第二钝化减反膜、栅线电极；P型层、第一钝化减反膜依次设置于N型硅片衬底的上表面，第一钝化减反膜包括氧化铝和氮化硅，氧化铝和氮化硅依次层叠设置于P型层上；N+层、第二钝化减反膜依次设置于N型硅片衬底的下表面，第二钝化减反膜为氮化硅钝化减反膜；栅线电极为若干条，栅线电极分别分布于第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上。本实用新型的N型双面电池效率高、使用寿命长，且其采用效果更好的氧化铝与氮化硅叠层钝化的方式，其中，氧化铝起到钝化作用，氮化硅起到保护及调整光学参数，降低反射率的作用。
双面电池

[发明专利]超高压LDMOS器件的结构及制备方法-CN201110442737.5无效
发明人：宁开明;董科;马栋 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压LDMOS器件的结构，包括源端、漏端、栅极沟道和高压漂移区，其中，高压漂移区有一深阱，深阱中注入有反型层，在该反型层的上方设计有一个碳注入层。本发明还公开了上述结构的LDMOS器件的制备方法，该方法在做完反型层注入后，使用与反型层相同的光刻掩膜板，在反型层上方再做一次碳注入。本发明通过在LDMOS的上通道区增加一次碳注入，在不影响通道导电性能的同时，有效地抑制了反型层中的杂质在漏端漂移区的扩散，从而增加了上通道的宽度，降低了LDMOS器件的导通电阻。
超高压 ldmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法-CN201611059411.3在审
发明人：叶振华;陈奕宇;孙常鸿;刘棱枫;邢雯;马伟平;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。
一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度方法

[发明专利]一种硅异质结电池及其制作方法-CN202010827798.2有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。第一透明导电层形成在界面反型层上。该界面反型层包含极性有机分子。极性有机分子与P型掺杂硅层中的硅原子成键。界面反型层具有从透明导电层指向P型掺杂硅层的偶极矩。
一种硅异质结电池及其制作方法

[发明专利]固态成像器件及其制造方法-CN200610082499.0无效
发明人：田中晶二;宫川良平 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在(a)沿用于隔离像素单元的沟槽表面形成的缺陷控制层和(a)光电二极管之间的边界的部分中形成反型层。缺陷控制层为P型，光电二极管和反型层为N型。这里，反型层中的杂质浓度是光电二极管中杂质浓度的至少两倍。
固态成像器件及其制造方法

[发明专利]抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法-CN201610841682.8有效
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;吴建伟;朱少立;徐静;刘佰清 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。
辐射 pip ono 反熔丝结构 cmos 工艺集成

[发明专利]快速恢复二极管及其制造方法-CN202011051596.X在审
发明人：郝瑞红;曹群 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本申请公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，其中，快速恢复二极管包括层叠设置的第一金属电极层、第一导电类型阴极层、第一导电类型外延层、第二导电类型阳极层及第二金属电极层，所述第二导电类型阳极层朝向第二金属电极层的一侧，至少部分区域形成有第一导电类型反型区，第一导电类型反型区形成有第二导电类型反型区，第一导电类型反型区的深度大于第二导电类型反型区的深度，第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触。该方案，由于第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触，保证了该快速恢复二极管的正面欧姆接触性能，从而在不增加正向压降VF的情况下，降低阳极的注入效率，减少关断时间，提高了产品工作频率。
快速恢复二极管及其制造方法

[发明专利]双结单光子雪崩二极管及其制作方法-CN201611245601.4在审
发明人：卫振奇;张钰;王伟 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明方法对p‑衬底层掺杂形成p阱电荷层；p阱电荷层外端掺杂反型深n阱；反型深n阱内端掺杂p掺杂控制区域；反型深n阱外端掺杂n阱电荷层；n阱电荷层外围掺杂p‑型半导体层；n阱电荷层外端掺杂p+型光吸收层；阳极电极置于p+型光吸收层外端；p‑型半导体层外围掺杂n阱层和n+型半导体层，n+型半导体层掺入n阱层内；n+型半导体层外端设置阴极电极；反型深n阱外端掺杂p阱层和p+型半导体层，p+型半导体层掺入p阱层内；p+型半导体层外端设置GND电极。
双结单光子雪崩二极管及其制作方法

[发明专利]一种房屋建筑基底排水减压设计结构-CN201710610658.8有效
发明人：刘保材 -专利权人：刘保材
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： E02D31/12 文献下载
摘要：本发明涉及建筑减压排水系统，具体涉及一种房屋建筑基底排水减压设计，包括一层铺设在建筑基底透水层上表面的Ⅱ型反滤层；沿着所述Ⅱ型反滤层向下挖出的基坑；沿着所述基坑坑底铺设有一层混凝土隔水层；沿着所述混凝土隔水层表面设有一层瓜米石层；位于所述隔水层上部且在所述Ⅱ型反滤层与瓜米石层之间并排设有I型反滤层一和I型反滤层二；所述集水槽的底部也竖直设有若干连通所述瓜米石层的出水管。
一种房屋建筑基底排水减压设计

[发明专利]一种FinFET沟道掺杂方法-CN201210219760.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET的沟道掺杂方法，该方法在半导体衬底的表面进行反型掺杂形成反型层后，刻蚀形成顶部具有反型层的鳍片，接着对Fin的两个侧壁分别进行大角度的离子注入，由于N反型层中的反型掺杂与两次离子注入的掺杂离子之间的复合作用
一种 finfet 沟道掺杂方法

[发明专利]带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法-CN201110257575.8有效
发明人：柴常春;宋坤;杨银堂;贾护军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种应用于微波射频电路的带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的反型隔离层、源极帽层、漏极帽层以及源、漏、栅电极。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长同质P型的缓冲层和同质N型的沟道层。在沟道层上生长同质P型的反型隔离层。对反型隔离层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层。刻蚀掉反型隔离层对应于栅电极位置的部分，形成一个凹槽，使沟道层露出于表面。在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在凹槽内的沟道层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波射频电路的功率密度和增益。
带反型隔离结构金属半导体场效应晶体管制作方法

[实用新型]一种预铺反粘型防水卷材及建筑防水结构-CN201820715427.3有效
发明人：曾新龙;李世财 -专利权人：中油佳汇防水科技（深圳）股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： B32B13/02 文献下载
摘要：为克服现有预铺反粘型沥青防水卷材存在上自粘层容易被污染，导致与水泥砂浆的剥离强度变低，出现漏水的问题，本实用新型提供了一种预铺反粘型防水卷材，包括水泥砂浆纤维布层、上自粘层、胎基层和下自粘层，所述上自粘层粘附于所述胎基层的上表面，所述下自粘层粘附于所述胎基层的下表面，所述水泥砂浆纤维布层粘附于所述上自粘层背离所述胎基层的一面上。本实用新型还提供了包括上述预铺反粘型防水卷材的建筑防水结构。本预铺反粘型防水卷材有效地提高了预铺反粘型防水卷材和水泥砂浆之间的剥离强度，提高防水效果。
自粘层粘型防水卷材水泥砂浆胎基层粘附本实用新型建筑防水纤维布层剥离沥青防水卷材防水效果上表面下表面有效地漏水背离污染

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