专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种数控龙门横梁挠度调整与减振结构-CN202221791848.7有效
  • 马吉波 - 青岛永基重型机床有限公司
  • 2022-07-11 - 2022-12-06 - B23Q1/01
  • 本实用新型公开了一种数控龙门横梁挠度调整与减振结构,涉及龙门机床技术领域,包括横梁,横梁为铸件薄壁结构,横梁左右两端分别设有底座,两个底座之间设有防挠机构;防挠机构包括螺杆组,螺杆组沿横梁长度方向按照左中右的次序设置在所述底座间,螺杆组设有第一螺杆和第二螺杆,所述第一螺杆和第二螺杆之间进行套连接,第一螺杆和第二螺杆的前后两端均设有螺纹,在使用时通过设置第一螺杆、第二螺杆套,对机床在使用前作用一个预拉力,产生向上的挠度,
  • 一种数控龙门横梁挠度调整结构
  • [发明专利]存储器、器件及其制造方法-CN201910829452.3在审
  • 冯鹏;李雄 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-09-03 - 2021-03-05 - H01L23/525
  • 本发明公开一种存储器、器件及其制造方法。该器件包括:电极,由金属材料制成;第一掺杂区,设置于所述基底内;层,夹设于所述电极与所述第一掺杂区之间;第二掺杂区,设置于所述基底内且紧邻于所述第一掺杂区;其中,所述第一掺杂区、所述电极和所述第二掺杂区均为P型掺杂或均为N型掺杂,所述层具有绝缘性,所述绝缘层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。这种器件的击穿电压低、更容易被击穿,在层被击穿后由于其击穿区域变大,层被击穿后击穿效果更明显。
  • 存储器反熔丝器件及其制造方法
  • [发明专利]单元及阵列-CN202010271766.9在审
  • 刘志拯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-04-08 - 2021-10-12 - H01L23/525
  • 本发明涉及一种单元及阵列,单元包括器件和二极管;器件的正极与位线电连接,器件的负极与二极管的正极电连接,二极管的负极与字线电连接。通过上述技术方案,去除了单元中晶体管的部分,使得在考虑编程效率时不需要再考虑选择晶体管宽度与尺寸小型化之间的矛盾,二极管的使用使得单元的结构变得简单,且尺寸能够达到更小的程度,阵列紧凑的排布也能够令阵列进一步的小型化
  • 反熔丝单元阵列
  • [发明专利]具有组的半导体存储装置及其重复编程方法-CN202210798525.9在审
  • 请求不公布姓名 - 提米芯创(上海)科技有限公司
  • 2022-07-08 - 2023-09-08 - G11C17/16
  • 本申请提供了一种具有组的半导体存储装置及其重复编程方法。所述装置包括:多个组,每一所述组包括多个冗余单元,一目标冗余单元响应于一组选择信号被选中;多个驱动器组,每一所述驱动器组连接至一所述组,且所述驱动器组中的每一驱动器连接一所述冗余单元;以及一驱动器选择模块,响应于所述组选择信号选择与所述目标冗余单元连接的目标驱动器,以对所述目标冗余单元进行编程;当对所述目标冗余单元编程失败时,选择所述目标驱动器所对应的目标驱动器组中的下一驱动器,以对所述下一驱动器所对应的冗余单元进行编程。
  • 具有反熔丝组半导体存储装置及其重复编程方法
  • [发明专利]一种单元可靠性测试方法-CN202011484729.2有效
  • 刘旸;杜海军;吴会利;唐冬 - 中国电子科技集团公司第四十七研究所
  • 2020-12-16 - 2023-07-18 - H01L21/66
  • 本发明属于FPGA产品测试领域,具体说是一种单元可靠性测试方法,可以在PCM测试时实现FPGA门阵列的查空测试,以及时发现FPGA产品的可靠性问题。在未对单元编程前,通过对PAD点施加电压,测量单元输出的电流,实现单元的可靠性测试,包括以下步骤:将一组阵列作为测试样管,分别将阵列中的平行布线和垂直布线并联,每一个交点构成一个单元;分别将并联的平行布线和垂直布线引出,并连接至PAD窗口;通过探针对PAD窗口施加电压,使电压施加在每个单元上,读取反熔阵列输出电流;若输出电流小于电流阈值,则该测试样管可靠,反之则该测试样管不可靠
  • 一种反熔丝单元可靠性测试方法
  • [发明专利]一种汽车底盘悬架车轮可伸缩调整U型支臂结构-CN201010107313.9有效
  • 崔占凯 - 洛阳市凯涛金属有限公司
  • 2010-02-09 - 2010-07-14 - B60G3/02
  • 一种汽车底盘悬架车轮可伸缩调整U型支臂结构,涉及一种车轮调整支臂;在一体结构的“J”型座(2)的一侧设有一侧连接螺杆(3),另一侧设有“I”型连接头(11),连接螺杆(3)活动接连接螺套(6)一侧,连接螺套(6)的另一侧接另一侧连接螺杆(8)形成一个间距调节机构,另一一侧连接螺杆(3)上的“I”型连接头(11)活动连接,其它机构设置相同,所述每一连接螺套(6)两端设置的螺丝孔(17)其中一端为正,另一端为,在两个另一侧连接螺杆(8)的外端分别连接橡胶套套环(13);本发明能有效的解决外倾角、束角、主销后倾角、推力角出现的多种问题。
  • 一种汽车底盘悬架车轮伸缩调整型支臂结构
  • [发明专利]一种提高大容量存储器成品率的方法-CN201310717721.X在审
  • 李孝远;罗春华;邱嘉敏;陈益冬 - 深圳市国微电子有限公司
  • 2013-12-23 - 2015-06-24 - G11C17/16
  • 本发明提供了一种提高大容量存储器成品率的方法,包括根据存储器的结构确定存储器编程和读取环路;确定置换修复功能电路;通过对存储器成品率的预估确定存储器的置换修复功能电路的规模;通过对存储器的数据进行校验来判断是否需要对存储器进行修复,若是,则选择相应规模的置换修复功能电路对存储器的错误存储位或有缺陷存储位进行置换修复;根据存储器的成品率调整置换修复功能电路的规模,并采用调整后的置换修复功能电路对存储器的错误存储位或有缺陷存储位进行置换修复。本发明采用硬件电路有效提高大容量存储器的成品率。
  • 一种提高容量反熔丝存储器成品率方法
  • [发明专利]阵列结构及存储器-CN202111093649.9在审
  • 池性洙 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-17 - 2023-03-21 - H01L23/525
  • 本申请实施例涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种阵列结构及存储器,包括:多个集成结构,在位线延伸方向和字线延伸方向排列成矩阵,位线延伸方向和字线延伸方向相互垂直;每一集成结构与两条编程导线以及两条字线相连接;在字线的延伸方向上,每一集成结构与相邻集成结构共同连接相同编程导线和字线;在位线延伸方向上,每一集成结构与相邻集成结构共同连接在其中一条编程导线上。通过提供一种新的阵列的布局方式,以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积,从而在原有布局面积的基础上,增大存储单元之间的间距,保证存储单元之间电气元件的电隔离效果。
  • 反熔丝阵列结构存储器
  • [发明专利]阵列结构及存储器-CN202111095281.X在审
  • 池性洙 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-17 - 2023-03-21 - H10B20/25
  • 本申请实施例涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种阵列结构及存储器,包括:多个集成结构,在位线延伸方向和字线延伸方向排列成矩阵;每个集成结构设置在同一有源区内,有源区的延伸方向与位线延伸方向相同;集成结构包括:第一存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二存储MOS管;第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制,第一存储MOS管和第二存储MOS管分别通过相邻两根编程导线控制,且编程导线还用于控制相邻集成结构。以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积,从而在原有布局面积的基础上,增大存储单元之间的间距。
  • 反熔丝阵列结构存储器

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