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- [发明专利]半导体结构-CN202210933727.X在审
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李维中;丘世仰
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南亚科技股份有限公司
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2022-08-04
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2023-10-24
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H10B20/25
- 本发明提供一种半导体结构，包括半导体基板、主动区、晶体管栅极、熔丝栅极、第一介电图案、第二介电图案以及多条金属线。主动区设置于半导体基板中。晶体管栅极具有沿着第一方向延伸穿过主动区的第一线段和第二线段。位于第一线段与第二线段之间的熔丝栅极沿第一方向延伸穿过主动区。第一介电图案设置于主动区和晶体管栅极之间。第二介电图案设置于主动区和熔丝栅极之间。位于晶体管栅极相对两侧的多条金属线电性连接至主动区。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110086754.3有效
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曹先雷
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长鑫存储技术有限公司
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2021-01-22
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2023-09-26
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H10B20/25
- 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制备方法，用于解决反熔丝器件结构的编程电压较高的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底包括核心器件区和反熔丝器件区；形成第一介质层，其覆盖核心器件区和反熔丝器件区；形成第二介质层，其覆盖第一介质层，第二介质层的介电常数大于第一介质层的介电常数；去除反熔丝器件区上的第二介质层；形成导电层，其覆盖反熔丝器件区上的第一介质层和核心器件区上的第二介质层。通过去除反熔丝器件区上的第二介质层，使得反熔丝器件区上位于导电层和衬底之间的膜层厚度较薄且介电常数较小，从而降低后续形成的反熔丝器件结构的编程电压。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]反熔丝阵列结构和存储器-CN202111602098.4在审
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杨桂芬;池性洙
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长鑫存储技术有限公司
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2021-12-24
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2023-06-30
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H10B20/25
- 本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构和存储器，其中，反熔丝阵列结构包括：多个反熔丝集成结构，分别沿位线延伸方向和字线延伸方向设置，其中，位线延伸方向和字线延伸方向相交；其中，在位线延伸方向上，部分反熔丝集成结构与相邻反熔丝集成结构共用同一有源区；第一晶体管，基于相邻反熔丝集成结构共用的有源区设置，通过第一晶体管增大反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果，相比于隔离区第一晶体管所需占用的面积更小；另外，通过设置第一晶体管，使相邻反熔丝集成结构可以设置在同一有源区上，进一步减小反熔丝阵列结构的版图布局面积。
- 反熔丝阵列结构存储器
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