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[实用新型]一种手持式电子芯片清理设备-CN202320009589.6有效
发明人：刘跃强 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子芯片清理技术领域，且公开了一种手持式电子芯片清理设备，包括主壳体，固定安装在所述主壳体顶部的把手，以及包括设置在主壳体内部的清理机构，所述主壳体内壁固定连接有第一斜面柱，所述第一斜面柱远离主壳体内壁的一端与第二斜面柱相接触，所述清理机构包括安装在第一斜面柱下方的振动机构，所述振动机构下方安装有清尘机构，通过振动机构中的第一斜面柱与第二斜面柱之间的接触挤压，当电机转动带动固定框架进行转动，此时第二斜面柱便会转动，同时会与第一斜面柱进行斜面挤压，这样便会推动固定框架与转轴向下移动，当两者不接触时，第一弹簧与第二弹簧便会进行反弹，推动转轴向上移动，以此上下振动完成清尘工作。
一种手持电子芯片清理设备

[发明专利]半导体存储装置及其修复方法-CN202210900364.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及其修复方法。所述装置包括存储单元、ECC逻辑单元、以及修复控制单元，所述ECC逻辑单元用于对存储单元执行错误纠正检测；修复控制单元根据ECC逻辑单元的检测结果对存储单元进行修复；所述半导体存储装置还包括ECC计数单元；所述ECC计数单元为存储单元中的每个地址匹配一计数器，所述计数器在ECC测试的过程中发生位反转时计数递增；所述修复控制单元根据每个地址的计数结果对存储单元的多个地址进行选择性修复。上述技术方案为ECC检测匹配了计数器，并选取计数结果最大的地址进行修复。能够降低硬修复的压力，可以避免由于不断增加的错误而导致ECC修复的压力过大。
半导体存储装置及其修复方法

[发明专利]具有封装后修复功能的存储设备及其修复方法-CN202211562810.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有封装后修复功能的存储设备及其修复方法，所述具有封装后修复功能的存储设备，包括存储单元，所述存储设备还包括：置于所述存储设备内的FAM寄存器组，所述FAM寄存器组中的每一FAM寄存器用于根据外部命令记录一失效的存储单元的地址；嵌入式处理器，包括：编程控制器及FAM计数器，所述FAM计数器用于在程序执行开始时依次选择所述FAM寄存器组中的所述FAM寄存器，所述编程控制器用于根据所述FAM计数器所选择的FAM寄存器的地址位信息对相应的失效的存储单元进行封装后修复，直至所有所述FAM寄存器的地址位信息输出完毕。上述技术方案，使所述存储设备执行一个外部命令即可对多个存储单元进行封装后修复，大大提高了修复的效率。
具有封装修复功能存储设备及其方法

[发明专利]存储器布线结构及其布线方法-CN202210615645.0在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器布线结构及其布线方法。所述存储器布线结构包括：相邻的第一信号线路与第二信号线路，所述第一信号线路接收第一信号，所述第二信号线路接收第二信号；布线选择器，响应于使能信号，控制所述第二信号输入所述第一信号线路以对所述第一信号线路进行补偿，并控制所述第一信号输入所述第二信号线路以对所述第二信号线路进行补偿，从而改善所述第一信号线路与所述第二信号线路之间的动态耦合。本申请避免了相邻的信号线路之间由于信号耦合造成的输出信号失真，避免了存储器在存储或读取时的数据错误，在不增加掩膜层的基础上减少耦合效应，且满足小芯片尺寸和低制造成本。
存储器布线结构及其方法

[发明专利]存储器系统-CN202210433005.8在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C29/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器系统，包括：至少一堆栈存储器；贯穿所述堆栈存储器的硅通孔组，用于各堆栈存储器之间的信号传输，其中所述硅通孔组中的每一硅通孔的第一端用于选择接收一输入信号，其第二端用于输出一相应的输出信号；故障识别模块，用于根据所述输出信号识别出故障硅通孔；控制模块，用于控制所述硅通孔组中各硅通孔所接收的输入信号以及所输出的输出信号。上述技术方案，通过控制模块控制硅通孔组的硅通孔选通相应的输入信号，采用故障识别模块根据所述硅通孔组的输出信号识别出故障硅通孔，以实现快速检测硅通孔的故障；当出现故障硅通孔时，通过控制模块控制故障硅通孔关闭，并选通正常硅通孔，以保障堆栈式芯片或存储器的正常使用。
存储器系统

[发明专利]读取签名信息的结构及方法-CN202210778422.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种读取签名信息的结构及方法。所述结构包括：签名信息存储单元，设置于内存内部，用于存储多个供应商的内存内部签名信息；选择单元，设置于内存内部，响应于第一电平的选择信号，对所述内存内部签名信息进行选择，并根据读取命令从所述签名信息存储单元读出目标内存内部签名信息。上述技术方案，能够从外部读取内存内部签名信息以适应不同的内存供应商对其产品设置的内存内部签名读取协议。
读取签名信息结构方法

[发明专利]具有反熔丝组的半导体存储装置及其重复编程方法-CN202210798525.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有反熔丝组的半导体存储装置及其重复编程方法。所述装置包括：多个反熔丝组，每一所述反熔丝组包括多个冗余反熔丝单元，一目标冗余反熔丝单元响应于一反熔丝组选择信号被选中；多个驱动器组，每一所述驱动器组连接至一所述反熔丝组，且所述驱动器组中的每一驱动器连接一所述冗余反熔丝单元；以及一驱动器选择模块，响应于所述反熔丝组选择信号选择与所述目标冗余反熔丝单元连接的目标驱动器，以对所述目标冗余反熔丝单元进行编程；当对所述目标冗余反熔丝单元编程失败时，选择所述目标驱动器所对应的目标驱动器组中的下一驱动器，以对所述下一驱动器所对应的冗余反熔丝单元进行编程。以实现对所述装置进行多次编程。
具有反熔丝组半导体存储装置及其重复编程方法

[发明专利]缩短击穿程序时间的存储设备及其方法-CN202211562781.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种缩短击穿程序时间的存储设备及缩短存储设备击穿程序时间的方法。所述存储设备包括：具有多个存储单元的存储单元阵列；还包括：地址寄存器、控制模块及地址计数器，所述地址寄存器用于存储所述存储单元的待编程位信息；当从所述地址寄存器读取的待编程位信息为第一值时，所述控制模块根据所述地址计数器的计数值对应的地址位信息对目标存储单元执行击穿程序，并控制所述地址计数器更新计数值；当从所述地址寄存器读取的待编程位信息为第二值时，所述控制模块直接控制所述地址计数器更新计数值。上述技术方案对于从地址寄存器读取的不同待编程位信息设置了不同的执行方式，减少不必要的程序时间消耗。
缩短击穿程序时间存储设备及其方法

[发明专利]具有多温度传感器的存储设备及其温度管理方法-CN202210747955.8在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多温度传感器的存储设备及其温度管理方法。本发明通过在存储设备内部的不同位置设置多个温度传感器以检测获取多个温度，并响应于外部温度选择信号选择相应的温度信息、响应于外部温度输出信号将所选中的温度信息输出，可以输出准确的存储设备内部的温度，利于维持存储设备的稳定操作。
具有温度传感器存储设备及其温度管理方法

[发明专利]刷新控制电路、方法及存储设备-CN202210783548.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 提米芯创（上海）科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了一种刷新控制电路、方法及存储设备。本发明改进了刷新控制方式，当需执行RH刷新的受害者行或字线地址与正常刷新之前及之后的行或字线地址不同时，执行相应的RH刷新；当需执行RH刷新的受害者行或字线地址与正常刷新之前或之后的行或字线地址相同时，则跳过相应的RH刷新的执行，从而避免执行RH刷新造成刷新窗口时间增加。
刷新控制电路方法存储设备

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