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[实用新型]一种电机制造用模具高效打磨装置-CN202023047046.9有效
发明人：左海军;李尚斌 -专利权人：合肥瑞邦机械模具有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B24B19/20 文献下载
摘要：且支撑架的侧面在滑轨的正上方活动安装有压板，所述压板的上表面固定安装有伺服电机，且压板的下表面在伺服电机的传动端固定安装有驱动杆，所述驱动杆在远离伺服电机的一端固定安装有打磨片，通过转动调节环带动缓冲管段两端的正丝筒和反丝筒同时转动，带动正丝筒和反丝筒内部的螺杆从两侧向缓冲管段移动，同时螺杆拉动滑块，并由滑块带动夹板在滑轨内从两侧向中间移动，对被打磨件进行定位。
一种电机制造模具高效打磨装置

[实用新型]一种防松螺栓组件-CN202222557965.3有效
发明人：林晓波;田宝华;谭斌;刘延龙;郭俊峰;李大源;陈弘毅;李晓静;徐闯 -专利权人：中铁二十三局集团轨道交通工程有限公司;中铁二十三局集团有限公司;中国铁建股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F16B35/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防松螺栓组件，该防松螺栓组件包括有主螺母、主螺栓、附螺栓和旋转孔盖，在主螺母内设有同轴的主螺母正丝和主螺母顶孔反丝；所述的主螺栓上设有主螺杆正丝，在主螺栓轴心设有主螺栓通孔；所述的附螺栓上设有附螺栓反丝
一种螺栓组件

[实用新型]大电流导线连接构件-CN201420586311.6有效
发明人：邓晓廉;刘军志;陈芳 -专利权人：国家电网公司;国网湖南省电力公司;国网湖南省电力公司培训中心
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01R11/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大电流导线连接构件，包括中间连接头，还包括与该中间连接头连接的接线鼻，所述中间连接头为一内螺纹管，该内螺纹管内具有正丝螺纹段和反丝螺纹段，内螺纹管的外壁有主扳手位；所述接线鼻包括无螺纹管段和螺杆段，该螺杆段与中间连接头的内螺纹相配合，在螺杆段和无螺纹管段之间有辅助扳手位。
电流导线连接构件

[发明专利]测试方法-CN202310586906.5在审
发明人：覃煜 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。
测试方法

[发明专利]反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法-CN201710946826.0有效
发明人：吴孟益;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法，该电路包括：一第一子反熔丝单元、一第二子反熔丝单元、一连接电路、一第一拷贝电路与一读取电路。第一子反熔丝单元包括一第一反熔丝晶体管。第二子反熔丝单元包括一第二反熔丝晶体管。连接电路连接至该第一反熔丝晶体管的一源极/漏极端以及该第二反熔丝晶体管的一源极/漏极端。第一拷贝电路连接至该第一子反熔丝单元，且该第一拷贝电路包括一第三反熔丝晶体管。第一读取电路连接至该第一拷贝电路，用以根据该第三反熔丝晶体管的状态产生一随机码。
反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法

[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法-CN202110852260.1在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法。一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层和反熔丝膜层，所述上阻挡层设置在所述反熔丝膜层上，所述反熔丝膜层设置在二氧化硅介质层上，且位于钨塞柱的上方。本发明提供的一种反熔丝单元结构优化了反熔丝单元的底部结构，去除反熔丝单元结构的下极板阻挡层，使得反熔丝叠层腐蚀工艺容宽显著扩大，对工艺过程中的缺陷耐受能力增强，提升反熔丝单元结构的良率。
一种反熔丝单元结构制备方法电极

[发明专利]半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法-CN201711259511.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝。两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。
半导体器件反熔丝结构及其写入读取方法

[实用新型]半导体器件反熔丝结构-CN201721659200.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件反熔丝结构，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。
反熔丝反熔丝单元绝缘层半导体器件导电层隔离层减小熔丝芯片本实用新型第二导电层第一导电层绝缘层形成高度集成矩阵结构源区占据配置

[发明专利]一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器-CN202210255882.0在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器，其中，所述反熔丝存储阵列电路，包括：至少一个反熔丝存储阵列，所述反熔丝存储阵列包括多个反熔丝存储单元；编程控制模块，连接所述至少一个反熔丝存储阵列，用于在对所述反熔丝存储单元进行编程时提供固定的编程电流。
一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器

[发明专利]一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件-CN201810320332.6在审
发明人：田敏;王志刚 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的限流电阻对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，保护了反熔丝单元和整个回路；可见，将不对反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流进行限制的限流电阻，与反熔丝单元串联，增大了反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流的电流值，从而在利用该过冲电流编程时，减小了反熔丝单元被击穿后低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元编程后的可靠性，并降低对应用反熔丝单元的电路的逻辑功能的影响。
反熔丝单元击穿编程反熔丝器件低阻状态限流电阻反熔丝电阻串联电压施加器电流编程高阻状态回路电流逻辑功能施加电压同一回路限制电流减小限流电路应用

[发明专利]一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法-CN201610032338.4有效
发明人：王印权;郑若成;徐海铭;洪根深;赵文彬;吴素贞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法，该制备方法是在反熔丝通孔与金属间介质层接触的台阶处增加了反熔丝Spacer，降低了台阶角度，减小了反熔丝介质层厚度的不一致性，提高反熔丝击穿电压的一致性和电路良率，同时能够降低反熔丝上下电极之间反熔丝介质层的有效面积，从而降低MTM反熔丝单元的漏电流。
反熔丝通孔制备反熔丝单元结构介质层金属间介质层反熔丝单元不一致性击穿电压上下电极有效面积漏电流台阶处减小良率电路

[实用新型]管线对口工具-CN201120337025.2有效
发明人：贾书锋;宋其伦;孟先露;王旭东;陈民;卢宪华;王丽敏;谭刚 -专利权人：中国石油化工股份有限公司胜利油田分公司孤岛采油厂
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K37/053 文献下载
摘要：一种管线对口工具，包括：左支架(2)、支撑(3)、顶丝(4)、螺杆(5)，右支架(7)、上铰链(8)、上卡箍(9)、拉紧螺栓(10)、下铰链(11)、下卡箍(12)。10)下部与下铰链(11)铰接，上部穿入上卡箍(9)两端螺栓孔联接；两个上卡箍(9)上部各设有两个上铰链(8)，分别铰接着左支架(2)、右支架(7)，左支架(2)、右支架(7)上部分别设有正扣螺纹孔、反扣螺纹孔，与螺杆(5)两端的正扣螺纹(1)、反扣螺纹(6)相配合；与右支架(7)并列设有直角形支撑(3)，端部设有顶丝(4)。
管线对口工具

[实用新型]CT扫描专用转动头架-CN200520080385.3无效
发明人：吕冀;郑雪梅;陈丽;赵玉红;刘军 -专利权人：吕冀
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： A61B19/00 文献下载
摘要：扫描专用转动头架，由半圆板状头架1、颈椎垫板2构成，在半圆板状头架1的后端中部设有转动轴3，在颈椎垫板2中部前侧设转动孔4，半圆板状头架1的转动轴3插入颈椎垫板2的转动孔4内，在半圆板状头架1的一侧设正、反丝伸缩定位螺杆5、5′，正、反丝伸缩定位螺杆5、5′的外端分别与颈椎垫板2和半圆板状头架1外侧中部连接，内端旋入螺套6内。
ct 扫描专用转动

[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法-CN201710216348.8在审
发明人：刘佰清;刘国柱;洪根深;郑若成 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻
一种反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置-CN201880001105.5在审
发明人：王文轩;沈健;王红超;周红星 -专利权人：深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置，其中，反熔丝包括至少一个反熔丝单元，反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于衬底，并与衬底形成反熔丝电容，第一电极与第一掺杂区连接，通过第二掺杂区与衬底之间的电压差调整以及栅电极的电压调整击穿反熔丝电容，向反熔丝单元写入数据；或者，以通过栅电极的电压调整并对流经第二掺杂区的电流进行检测，确定反熔丝单元是否被写入数据，通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板，可以省略反熔丝单元的一端口。
反熔丝衬底反熔丝单元掺杂区第一电极电容栅电极存储装置电压调整写入数据场效应管电压差省略击穿极板制造检测申请