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[发明专利]一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品-CN202010487354.9在审
发明人：李昆翔 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品。本申请实施例中，所述双极结型晶体管器件包括基于基底制作形成的第一电极区、第二电极区、以及结终端扩展区。所述结终端扩展区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间并与所述第一电极区邻接。其中，所述结终端扩展区包括间隔分布的多个扩散区域，且该多个扩散区域各自的宽度从所述第一电极区往所述第二电极区的方向依次减小。经试验验证，本申请实施例提供的双极结型晶体管器件相比较传统JTE结构的双极结型晶体管器件，HTRB稳定性更好、制造工艺流程更容易控制、同时电场尖峰强度更低、电压稳定性更好。
一种双极结型晶体管器件及其制造方法电子产品

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156946.2有效
发明人：黄新运;李勇;陶佳佳;张帅;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部为基区；所述鳍部包括相互隔开的第一区和第二区；位于所述第一区上的集电区；位于所述第二区上的发射区。由本发明提供的方法形成的鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[实用新型]一种磷化铟异质结双极型晶体管-CN202023047224.8有效
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合本实用新型利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种磷化铟异质结双极型晶体管

[发明专利]AC性能改进的高电压NPN双极型器件的生产方法-CN02810559.1无效
发明人：杰弗利·约翰森;艾尔文·约瑟夫;维德亚·拉玛查德兰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-05-20 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供一种提高异质结双极型器件的速度，而不会对该器件的耐久性产生负面影响的方法。所述方法包括下述步骤：形成至少包括双极型器件区的结构，所述双极型器件区至少包括形成于下集电区区(12)上的集电极区(14)；和在集电极区内形成n型掺杂区，其中n型掺杂区(18)的垂直宽度小于200纳米(本发明还提供一种制备异质结双极型晶体管器件的方法以及所述器件本身，所述异质结双极型晶体管器件可用在各种应用中，包括用作移动电话机的组件，个人数字助手的组件以及要求速度和耐久性的其它类似应用。
ac 性能改进电压 npn 双极型器件生产方法

[发明专利]通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法-CN201410648464.3有效
发明人：翟向坤;林元;黄晓敏;方烈义 -专利权人：昂宝电子(上海)有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请提供了通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法。该系统包括电流生成器，被配置为向双极结型晶体管输出驱动电流信号以调节流经电源变换器的初级绕组的初级电流。电流生成器还被配置来：输出驱动电流信号以使双极结型晶体管在第一时间段、第二时间段和第三时间段期间导通，第二时间段将第一时间段与第三时间段分离开；在第一时间段和第二时间段期间驱动双极结型晶体管在硬饱和区域中工作；并且在第三时间段期间驱动双极结型晶体管在准饱和区域中工作。
通过调节基极电流驱动双极结型晶体管系统方法

[发明专利]一种高低电压转换电路-CN201810661831.1在审
发明人：许溢允 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种高低电压转换电路，包括双极性结型晶体管；双极性结型晶体管的基极用于与低电压信号的信号端连接，双极性结型晶体管的集电极用于与高电压信号的信号端连接，双极性结型晶体管的发射极用于与低电压信号的接地端和高电压信号的接地端共地本申请所提供的高低电压转换电路，利用双极性结型晶体管在饱和区与截止区的工作状态实现数字信号高低电平的传递，并利用基极‑发射极电压与集电极‑发射极电压实现高、低电压信号的转换，不仅结构简单易实现，而且成本低廉
双极性结型晶体管高低电压转换电路低电压信号发射极电压高电压信号集电极接地端信号端高低电平数字信号饱和区发射极截止区共地申请传递转换

[发明专利]一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810137194.8有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
一种高速横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]基于原边反馈的反激式电源转换器-CN202211391942.8在审
发明人：张秀红;夏正兰;林武平 -专利权人：昂宝电子（上海）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：提供了基于原边反馈的反激式电源转换器，包括变压器、功率开关管、双极结型晶体管、模拟电路供电电源、电流源、第一、第二、第三、和第四开关管、以及开关控制电路，其中：第一、第二、第三、和第四开关管的第一电极分别连接到开关控制电路的第一、第二、第三、和第四输出端，第一开关管的第二电极连接到模拟电路供电电源、第三电极连接到第二开关管的第二电极和功率开关管的栅极，第二开关管的第三电极连接到双极结型晶体管的基极或接地，第四开关管的第二电极连接到双极结型晶体管的基极、第三电极接地，电流源在第三开关管的控制下连接到双极结型晶体管的基极，功率开关管的漏极连接到变压器的原边绕组、源极连接到双极结性晶体管的基极。
基于反馈反激式电源转换器

[实用新型]基于原边反馈的反激式电源转换器-CN202222971493.6有效
发明人：张秀红;夏正兰;林武平 -专利权人：昂宝电子（上海）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：提供了基于原边反馈的反激式电源转换器，包括变压器、功率开关管、双极结型晶体管、模拟电路供电电源、电流源、第一、第二、第三、和第四开关管、以及开关控制电路，其中：第一、第二、第三、和第四开关管的第一电极分别连接到开关控制电路的第一、第二、第三、和第四输出端，第一开关管的第二电极连接到模拟电路供电电源、第三电极连接到第二开关管的第二电极和功率开关管的栅极，第二开关管的第三电极连接到双极结型晶体管的基极或接地，第四开关管的第二电极连接到双极结型晶体管的基极、第三电极接地，电流源在第三开关管的控制下连接到双极结型晶体管的基极，功率开关管的漏极连接到变压器的原边绕组、源极连接到双极结性晶体管的基极。
基于反馈反激式电源转换器

[发明专利]一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法-CN201811284929.6有效
发明人：郭佳衢;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的在线健康管理装置和方法-CN201510745148.2有效
发明人：刘文业;杨进锋;胡家喜;李彦涌;罗剑波;傅航杰 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的在线健康管理装置，属于电子电路技术领域，以解决现有技术中无法在IGBT工作的过程中对IGBT的寿命进行检测的技术问题。该在线健康管理装置包括：电热检测模块，用于根据所述绝缘栅双极型晶体管的运行工况参数，结合所述绝缘栅双极型晶体管的结构，检测所述绝缘栅双极型晶体管的结温和温升；退化检测模块，用于根据所述运行工况参数、所述绝缘栅双极型晶体管的结构和所述结温和温升，检测所述绝缘栅双极型晶体管的性能退化程度；寿命检测模块，用于根据所述性能退化程度，检测所述绝缘栅双极型晶体管的消耗寿命。
绝缘栅双极型晶体管健康管理装置检测检测模块性能退化运行工况温升电子电路技术寿命检测电热退化消耗

[发明专利]漏电检测报警指示器-CN202110308968.0在审
发明人：谢建国;石洋;刘玥;潘仁镇;李剑英 -专利权人：珠海华发建筑设计咨询有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：一种漏电检测报警指示器，包括双极结型三极管、导电块、警示灯、第一电阻、第二电阻以及电源，所述双极结型三极管的集电极与所述第一电阻的输出端连接，所述双极结型三极管的基极与所述第二电阻的输出端连接，所述双极结型三极管的发射极与所述电源的负极连接且共同连接到地极中
漏电检测报警指示器

[实用新型]漏电检测报警指示器-CN202120588508.3有效
发明人：谢建国;石洋;刘玥;潘仁镇;李剑英 -专利权人：珠海华发建筑设计咨询有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：一种漏电检测报警指示器，包括双极结型三极管、导电块、警示灯、第一电阻、第二电阻以及电源，所述双极结型三极管的集电极与所述第一电阻的输出端连接，所述双极结型三极管的基极与所述第二电阻的输出端连接，所述双极结型三极管的发射极与所述电源的负极连接且共同连接到地极中
漏电检测报警指示器

[发明专利]用于荧光检测的双结深光电二极管-CN201310118464.8有效
发明人：施朝霞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出。
用于荧光检测双结深光电二极管