“杭州立昂东芯微电子有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法-CN202010066736.4有效
发明人：司庆玲;左亚丽;黄建华;程岸;王彦硕;汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法。本发明解键合辅助载盘包括一层以上的载片，载片有空隙，下层载片的孔隙孔径大于上层载片，各层载片可以将解键合机形成的真空吸力和热量逐层均匀化，大大的提高了晶圆的破片率，同时只要更换被键合胶污染的上层载片即可进行一个解键合操作，而不需要更换下层载片。本发明提高了晶圆解键合过程中的破片率，降低了企业的成本，提高了工作效率，设计巧妙，操作方便，经济实用。
一种晶圆解键合辅助解键合机解键合方法

[发明专利]一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法-CN201811592435.4有效
发明人：任华;汪文宇 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及材料加工领域，公开了一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法，包括：1）在低导热导电材料基板的背面镀上导电薄膜；2）在低导热导电材料基板的正面涂布光刻胶；3）曝光、显影；4）将低导热导电材料基板装入基板托盘，通过电感耦合等离子体干刻设备进行干刻，重复步骤2）步骤和3）以实现多层图形复制，并完成从简单到复杂，从均一深度到多层不等深度的各种图形的复制；其中刻蚀气体选自CF4、CHF3、CF4/CHF3、C4F8/CF4或C4F8/CHF3；辅助刻蚀气体选自O2、H2、Ar或N2；5）将光刻胶剥离；6）将金电薄膜去除。本发明工艺流程简单，加工精度高，零缺陷，良率高，并可迅速量产。
一种适用于导热导电材料器件制成方法

[发明专利]一种砷化镓器件金属保护环-CN202010110737.4在审
发明人：沈留明;程岸;王彦硕;汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓器件金属保护环。本发明砷化镓器件金属保护环围绕管芯设置并包括至少三层金属层，第一层金属层设置在衬底上，第二层以上金属层包括连接在一起的连续部和断开部，连续部围绕管芯，连续部的上方和上一层金属层连接，断开部分段设置，断开部下方和下一层金属层连接，第二层以上相邻两层金属层的断开部互相错开设置，金属保护环两侧及相邻的两个断开部之间为介电材料。本发明使得第二、第三层金属层之间不容易残留BCB有机介电材料，提高了器件可靠性。由于金属层连续部和断开部形成类似桥墩型结构，使得器件在保护环处更加稳定，提供器件良率，也使得电镀金使用量减少，降低了成本，本发明设计巧妙，加工方便，具有极好的效果。
一种砷化镓器件金属保护环

[发明专利]一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型-CN201610135225.7有效
发明人：朱恒;童华清;徐秀琴;许慧;屠志晨;王志宇;尚永衡;郁发新 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面，其长度和宽度与栅极一致，厚度为0.1微米，其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT工艺的MMIC管芯热分布，为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。
一种基于 phemt 工艺 mmic 等效管芯模型

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺-CN201610174316.1有效
发明人：任华;汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：（1）将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上；（2）将步骤（1）中的砷化镓半导体基片进行机械减薄；（3）将步骤（2）中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐蚀；（4）将化学腐蚀后的砷化镓半导体基片取出后经清洗、干燥，直接进行后端光刻及后续加工即可。本发明工艺步骤简单，可操作性强，处理成本低，能有效去除受损晶体加工表面并释放内部应力，打破了需要购买专业工艺设备及安装配套化学废物处理系统的限制，大大缩短了后端加工工艺流程，更加有利于扩大产能，降低制造成本，提高产品的价格竞争力。
一种砷化镓半导体湿法刻蚀工艺

[发明专利]小能带隙III-V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构-CN201610337865.6有效
发明人：莫炯炯;陈华;王志宇;尚永衡;王立平;郁发新 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-05-22 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种小能带隙III‑V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构，属于半导体器件技术领域。本发明通过在源极、漏极引入不同高掺杂漏极、漏极材料结构，并在漏极引入场板、隔离层侧墙结构，在保证源极有足量载流子输入的情况下，在漏极减小最高电场强度，使器件的离子化效应以及隧道击穿效应产生阈值提高，从而减小漏电流。同时，通过隔离层侧墙，漏极寄生电容得以减小，器件的频率特性从而得以提高。本发明能够提高III‑V MOSFET器件截止电压，减小离子化效应及隧道击穿效应，从而降低器件静态漏电流及相应静态功耗；同时通过减小寄生电容提高器件频率特性。
能带 iii mosfet 器件对称型源漏极结构

[发明专利]一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺-CN201610174315.7有效
发明人：汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器，包括砷化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层，底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；绝缘层为厚度为450~950埃的单层氮化硅薄膜；顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。本发明的电容密度是传统电容的电容密度的2‑3倍，均匀性<+/‑10%，质量可靠，能满足不同客户的要求。本发明还公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器制造工艺，工艺步骤简单，可操作性强，制造成本低，精度高，适合批量生产。
底层金属电极顶层金属电极砷化镓器件绝缘层复合金属薄膜制造工艺电容半导体基底氮化硅薄膜传统电容底层金属顶层金属工艺步骤制造成本均匀性砷化镓单层客户生产

[发明专利]一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法-CN201710345312.X在审
发明人：任华;程岸;汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体层间介电导线，其包括由SiNx介电层、BCB有机介电层和金属导电层组成的导线层，其中根据具体需求由一个或多个导线层组成；本发明还公开了一种化合物半导体层间介电导线的制备方法，包括SiNx介电层沉积、BCB有机介电层沉积、SiO2硬掩膜沉积、光刻显影金属导线连接孔槽图形、刻蚀接线柱、溅射金属导线种子层、光刻显影金属导线图形、电镀金属导线和除去金属导线种子层等步骤。本发明中的化合物半导体层间介电导线架构更稳定、电容更低、电延迟更小、集成度高并能够保证高频高功率工作状态下具有更优表现；本发明中的制备方法工艺成熟、可以实现大规模产业化生产制造。
一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法

[发明专利]一种化合物半导体金属接触电极-CN201710266352.5在审
发明人：任华;程岸;汪耀祖;杨斌 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体金属接触电极，将传统的非合金类金属电极Ti/Pt/Au、Pt/Ti/Pt/Au和合金类金属电极AuGe/Ni/Au中的铂Pt和金锗AuGe用钯Pd或钯锗Pd/Ge替代，并将顶层贵重金属Au用铜Cu或者银Ag代替，获得包含金属导电层、粘结层和包含金属导电层、扩散阻隔层、粘接层的两种金属接触电极，其中金属导电层为Cu或Ag层，扩散阻隔层为Pd或Ti/Pd层，粘接层为Ti、Pd或Pd/Ge层。本发明中的化合物半导体金属接触电极具有接触电阻低、本征电导率高、热稳定性好、与半导体连接的粘合力强且生产制造成本低等优点。
一种化合物半导体金属接触电极

[发明专利]一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺-CN201610253584.2在审
发明人：任华;汪耀祖 -专利权人： 杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺，包括以下步骤：（1）将已完成正面器件工艺加工的III‑V族砷化镓半导体基片正面朝下粘附在蓝宝石载体上进行机械减薄及化学湿法刻蚀；（2）利用旋涂法在III‑V族砷化镓半导体基片背面涂上光刻胶并进行固化热处理形成光刻胶掩膜；（3）在光刻胶光刻仪上进行曝光后进行显影，将设计的背孔图形转移复印在III‑V族砷化镓背面的光刻胶掩膜上；（4）利用Plasma‑Therm的Versalock 电感耦合等离子体干法刻蚀机进行背孔刻蚀，之后去除光刻胶并进行表面清洁处理。本发明能有效提高刻蚀背孔质量，同时能大幅提高刻蚀速率以迅速提高产能，适合大规模推广应用。
一种电感耦合等离子体刻蚀砷化镓背孔工艺

1
共 11 条