专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单晶炉内一种控生长的装置-CN200910099710.3无效
  • 江国庆 - 江国庆
  • 2009-06-10 - 2010-12-22 - C30B15/14
  • 本发明属于半导体分离技术领域,特别是涉及一种生产、分离单晶硅时的一种控生长的装置。该装置是在单晶炉中对加热器、导流筒、下保温系统作改革;降低了加热器的叶片高度,使坩埚底部的热源面积减少,使石英坩埚底部受热少,在生产过程中产生的比较少;对密封导流系统进行了改革,在上盖板上再增加一个加密式导流筒,新的导流装置能加速冷却速度,对炉内下保温系统进行改革,加强了下保温筒的保温效果,可从晶体和熔体界面,带走更多的,降低氧含量,减少产生的硼复合体,本发明能有效的减少生产过程中的产生、滞留,它结构简单、造价低廉、安装、使用操作方便、能有效控制的生成、输送,减少了进入单晶的过程和数量。
  • 单晶炉内一种生长装置
  • [实用新型]有利于增加直拉单晶硅棒含量的加热器-CN201920964536.3有效
  • 丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨;河野贵之 - 宁夏银和新能源科技有限公司
  • 2019-06-25 - 2020-02-21 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种有利于增加直拉单晶硅棒含量的加热器,属于单晶硅生产设备技术领域。包括加热器本体,所述加热器本体由若干加热片首尾依次连接而成,所述加热片上端的横截面积大于下端的横截面积。减小所述加热片底端的横截面积,在同等电流状态下,所述加热片底端由于横截面积小,故而在所述加热器本体的底端提供较高的加热功率,从而使得石英坩埚的底部弧角处受热增强,对于相同体积的硅业,在石英坩埚的底部弧角处释放出的增多,实现在不改变液位线温度、不改变拉制氛围的状态下增加单晶硅硅棒的含量。直拉单晶拉晶后,整体硅棒含量增加1个ppm以上。
  • 有利于增加单晶硅含量加热器
  • [发明专利]一种单晶硅棒切片装置-CN202010428169.2有效
  • 邓筑蓉 - 新疆东方希望光伏科技有限公司
  • 2020-05-20 - 2021-09-24 - B28D5/04
  • 本发明公开了一种单晶硅棒切片装置,其结构包括配电箱、切割、导入装置、加工台、固定座、底座,固定座安装在底座上,固定座上设有加工台,切割与导入装置相配合,本发明的有益效果:利用夹合头上的夹合层与单晶硅棒相接触时,两个磁块的磁性相异,相互吸引加固了夹合的夹合力,双重作用下使得夹合可以将单晶硅棒夹合并固定,并且两个活动槽可以随着单晶硅棒的直径大小而被顶出更替并适配单晶硅棒的尺寸,当两个活动槽与两个固定槽处于同一弧线上时,停止向外运动,并同时对单晶硅棒施加力,使得单晶硅棒被固定,从而防止单晶硅棒在线锯的冲击力下发生位移,保障单晶硅棒加工过程中位置的相对固定,进一步保障单晶硅棒的切片质量。
  • 一种单晶硅切片装置
  • [发明专利]外延片的制造方法及外延片-CN202080092094.3在审
  • 铃木克佳;铃木温 - 信越半导体株式会社
  • 2020-11-24 - 2022-08-19 - H01L21/205
  • 本发明提供一种外延片的制造方法,其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法,其包括:在含氢气氛下,去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序;在去除所述自然氧化膜之后,使所述晶圆氧化,从而形成原子层的工序;及在形成所述原子层之后,使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序,并且在该制造方法中,将所述原子层的的平面浓度设为4×1014氧原子层稳定且简便地导入至外延层,并具有优质单晶硅的外延层的外延片的制造方法。
  • 外延制造方法
  • [发明专利]一种单晶炉排气管路自清洁系统及其装置-CN202111307513.3在审
  • 黄晶晶;吴刚;鞠贵冬;王新强 - 双良硅材料(包头)有限公司
  • 2021-11-05 - 2022-02-08 - B08B9/051
  • 本发明公开了一种单晶炉排气管路自清洁系统及其装置,其中,单晶炉排气管路自清洁装置包括壳体、闸板阀、清洁、第一驱动机构和第二驱动机构;壳体第一端为开口结构;闸板阀第一端用于连接排气管道的工艺孔,第二端与壳体第一端连接;清洁设置于壳体内;第一驱动机构用于在闸板阀打开时,驱使清洁由壳体内伸入排气管道内;第二机构用于驱使清洁旋转。在本方案中,通过第一驱动机构将清洁带入排气管道内,并通过第二驱动机构带动清洁进行旋转清洁,以实现排气管道内挥发物的清洁,确保排气管道通畅,加快挥发物排出速率,进而降低了挥发物在硅液中的溶解几率,从而有效降低了含量
  • 一种单晶炉排气管路清洁系统及其装置

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