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[发明专利]一种单晶LiNbO3-CN201911364219.9有效
发明人：帅垚;梁翔;王杰军;乔石珺;秦霞;杨小妮 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
一种 linbo base sub

[发明专利]N型直拉硅单晶的工艺方法-CN201110171512.0有效
发明人：高文宽;郭凯;王辉;刘磊 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种N型直拉单晶硅的工艺方法，采用的工艺条件包括：等径过程中的埚转为6-7rpm。通过控制该工艺等径过程中的埚转，有效地降低了生长的硅单晶棒的头部氧含量，提高了其头部的品质，从而提高硅单晶棒的利用率，节约了成本。
型直拉硅单晶工艺方法

[发明专利]单晶转运测量方法及系统-CN202211522682.3在审
发明人：毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶转运测量方法及系统，属于半导体制造技术领域。单晶转运测量系统包括：用于转运单晶硅棒的晶棒搬运车；设置在所述晶棒搬运车上的检测装置，用于在将所述单晶硅棒装载到所述晶棒搬运车上的过程中，对所述单晶硅棒进行直径检测、长度检测、氧含量检测和外观三维扫描中的至少一项本发明的技术方案能够缩短单晶硅棒从炉室中取出到检测物理数据的时间，提高单晶硅棒的生产效率。
转运测量方法系统

[实用新型]新型单晶棒磨头-CN201120496529.9有效
发明人：曾磊;王倩 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B24B41/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏硅片制造领域中的一种设备配件，具体是涉及单晶棒滚圆机上用到的一种新型单晶棒磨头。技术方案：包括磨头体，其特征是：将所述磨头体的磨头分为3组，3组磨头的粗糙度依次逐渐减小。有益效果：经过对单一粗糙度的磨头改为3组组合磨头，且3组磨头的粗糙度依次逐渐减小，使单晶棒在初滚磨时分别经粗、中、细磨圆，试用结果是表面光滑，无花纹型刀痕，且磨头寿命增加，达到预期的目的。
新型单晶棒磨头

[发明专利]磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备-CN201410682106.4在审
发明人：邓浩;周锐;李定武 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开的磁场装置，用于在单晶炉中产生磁场，磁场装置套设于单晶炉外，磁场装置包括磁体和内导磁板，内导磁板位于单晶炉和磁体之间，且与单晶炉的外炉筒壁相接触；本发明公开的具有该磁场装置的单晶生长设备包括上述磁场装置以及套设于磁场装置内部的单晶炉本发明的磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备中的磁场装置不仅结构简单、占用空间少，还尽可能缩短了磁场装置与单晶炉的间距，避免了磁场强度的损失，可向单晶炉提供强度最理想的磁场；而具有该磁场装置的单晶生长设备由于磁场装置的作用，其能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面温度波动，从而降低晶体中的氧含量并减少光致衰减现象，减少黑心低效片的产生几率。
磁场装置具有生长设备

[发明专利]一种单晶炉氩气节能供应方法-CN201811456192.1在审
发明人：李德建;申朝伦;张志耀 -专利权人：邢台晶龙新能源有限责任公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉氩气节能供应方法，包括以下步骤，步骤一：在单晶制备过程的前期，采用80L/min的供给量对单晶炉炉膛内供应氩气，去除高温环境下硅和石英坩埚发生化学反应产生的氧；步骤二：当单晶生长至400mm后进入水冷系统时，此时调节氩气的供应量减小至60L/min，节约氩气使用量；步骤三：待单晶生长至1000mm后，此时氩气的供应量减小至40L/min，直至完成单晶制备，调节氩气的供应量减小至40L/min，有效减弱因气流影响造成的单晶晃动。本发明公开了一种单晶炉氩气节能供应方法，有效降低单晶晃动产生的事故隐患，并且降低氩气使用量，降低成本投入。
氩气单晶炉供应量减小单晶生长单晶制备节能单晶晃动化学反应炉膛高温环境供应氩气气流影响石英坩埚事故隐患水冷系统供给量去除节约

[实用新型]一种适用于超高温氧化环境的超声测温传感器-CN202120264977.X有效
发明人：魏艳龙;杨潞霞;李瑛;郝宁;张俊花;张宇峰;杨国权 -专利权人：太原师范学院
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01K11/22 文献下载
摘要：一种适用于超高温氧化环境的超声测温传感器，包括脉冲发生器、压电超声换能器、蓝宝石单晶波导杆、氧化镁单晶敏感头、信号调理器；其中，脉冲发生器的信号输出端与压电超声换能器的信号输入端连接；蓝宝石单晶波导杆呈圆柱形，且蓝宝石单晶波导杆同轴固定于压电超声换能器的前端面中央；氧化镁单晶敏感头呈圆柱形，且氧化镁单晶敏感头的后端面中央开设有圆形盲孔；蓝宝石单晶波导杆的前端插设于圆形盲孔内。
一种适用于超高温氧化环境超声测温传感器

[发明专利]硅单晶炉摄像头安装支架-CN201110101654.X无效
发明人：惠梦君 -专利权人：无锡市惠德晶体控制设备有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硅单晶炉摄像头安装支架，其包括设置于观察窗上的立板，所述观察窗平行于硅单晶炉筒径向线，所述立板水平面上与硅单晶炉筒径向线平行，且所述立板之上并列设置有第一摄像头和第二摄像头，将第一摄像头和第二摄像头在水平面上放在炉筒径向线上，在垂直面上位置错开，并各自可以调整俯视角，实际装配时，水平面上将立板与炉筒径向线平行，第一摄像头和第二摄像头与径向线重合，然后在垂直面上调制摄像头俯角，上述硅单晶炉摄像头安装支架不仅结构简单，易于实现；而且安装方便，调整容易，摄像头的俯角受观察窗尺寸限制小，适用面宽。
硅单晶炉摄像头安装支架

[实用新型]硅单晶炉摄像头安装支架-CN201120120802.8无效
发明人：惠梦君 -专利权人：无锡市惠德晶体控制设备有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅单晶炉摄像头安装支架，其包括设置于观察窗上的立板，所述观察窗平行于硅单晶炉筒径向线，所述立板水平面上与硅单晶炉筒径向线平行，且所述立板之上并列设置有第一摄像头和第二摄像头，将第一摄像头和第二摄像头在水平面上放在炉筒径向线上，在垂直面上位置错开，并各自可以调整俯视角，实际装配时，水平面上将立板与炉筒径向线平行，第一摄像头和第二摄像头与径向线重合，然后在垂直面上调制摄像头俯角，上述硅单晶炉摄像头安装支架不仅结构简单，易于实现；而且安装方便，调整容易，摄像头的俯角受观察窗尺寸限制小，适用面宽。
硅单晶炉摄像头安装支架

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201611129253.4在审
发明人：江头和幸;齐藤正夫 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：课题由一根单晶锭获取具有多个BMD密度范围的产品区域。解决手段从掺杂有氮的硅熔体中提拉单晶硅的方法，所述方法包括生长位于单晶硅的上部侧的第1产品区域(3c1)的工序，和生长与第1产品区域(3c1)相比位于单晶硅的下部侧、BMD密度的制造规格与第1产品区域(在第1产品区域(3c1)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第1产品区域(3c1)中的BMD密度的制造规格的范围内，且在第2产品区域(3c2)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第2产品区域(3c2)中的BMD
单晶硅制造方法

[发明专利]一种研究有机二氧化硅聚合物组装规律的方法-CN202010428827.8在审
发明人：吴玲;何春阳;冒嘉顺 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种研究有机二氧化硅聚合物组装规律的方法，主要包括以下几个步骤：1）Si‑O键聚合的有机杂化倍半硅氧烷配体的合成；2）配体、金属盐、低沸点醇、碱于干燥条件下加热反应；3）将上一步得到的滤液在无水条件下长金属有机杂化二氧化硅单晶经单晶X射线衍射研究发现升高温度、增加碱浓度、配体上的给电子基会促使有机杂化倍半硅氧烷配体的配位氧增加，配位氧的增加会进一步促使大的硅氧环形成，但温度与碱浓度的同时增加或配位金属离子的增加会使配位氧的减少从而促进更小硅氧环基元的形成
一种研究有机二氧化硅聚合物组装规律方法

[发明专利]单晶硅晶片-CN201610807979.2在审
发明人：星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×10¹⁷原子/cm³(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成
单晶硅晶片

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺-CN201910811428.7在审
发明人：陈国兴 -专利权人：四川骏瑞碳纤维材料有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： D01F9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，包括以下步骤：a、根据尺寸要求将针刺毡切割成型后备用；b、将溶剂高纯盐酸、高纯铵和水混合制得高纯水溶液备用，制得的高纯水溶液中溶剂高纯盐酸重量百分比为0％‑25％，高纯铵重量百分比为0％‑30％；c、将针刺毡送入高纯水溶液浸泡；d、将浸泡后的针刺毡烘干，送入预氧炉进行预氧处理；e、在预氧炉内加入氮气，进行碳化处理；f、加入氩气，将碳化处理后的针刺毡在2500°的环境下石墨化，得到高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。本发明还公开了一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。
高纯针刺毡粘胶基石墨毡高纯半导体单晶炉重量百分比高纯盐酸碳化处理预氧炉溶剂备用送入氮气水溶液浸泡氩气尺寸要求切割成型制备工艺石墨化水混合氧处理烘干浸泡

[发明专利]单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法-CN201010520649.8无效
发明人：胡启方;高成臣;郝一龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C23F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法。单晶硅腐蚀剂的制备方法包括：稀释四甲基氢氧化铵原液，形成四甲基氢氧化铵溶液；在所述四甲基氢氧化铵溶液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚；搅拌所述脂肪醇聚氧乙烯醚，直至完全溶解于所述四甲基氢氧化铵溶液中，形成所述单晶硅腐蚀剂本发明采用了对环境和人体危害小的脂肪醇聚氧乙烯醚作为四甲基氢氧化铵溶液硅腐蚀液的添加剂，实现了抑制晶体硅中除晶面的其他快速腐蚀晶面的腐蚀速率的功能；并且，使用此溶液进行硅腐蚀的时候，无需对凸角结构进行补偿
单晶硅腐蚀剂制备方法凸角硅进行腐蚀