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[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810986580.4在审
发明人：刘埃森;蔡滨祥;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘体上有半导体基底、高电子迁移率晶体管元件以及金属氧化物半导体场效晶体管元件。绝缘体上有半导体基底，包括：第一半导体层、第二半导体层以及绝缘层。第二半导体层位于第一半导体层上。绝缘层位于第一半导体层与第二半导体层之间。高电子迁移率晶体管元件位于第一半导体层上。金属氧化物半导体场效晶体管元件位于第二半导体层上且与高电子迁移率晶体管元件电连接。高电子迁移率晶体管元件的顶面与第二半导体层的顶面共平面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体模块装置-CN202010786635.4在审
发明人： C·R·米勒;A·科尔维罗席特勒;D·多梅斯;A·伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/049 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体模块装置，其包括：壳体；布置在壳体内部的第一半导体衬底；布置在壳体内部的第二半导体衬底；第一多个可控半导体元件；以及第二多个可控半导体元件。在半导体模块装置的操作期间，第一多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗，其中，开关损耗大于导通损耗，并且，在半导体模块装置的操作期间，第二多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗第一多个可控半导体元件的至少第一子组布置在第一半导体衬底上，并且第二多个可控半导体元件的至少第一子组布置在第二半导体衬底上。
半导体模块装置

[发明专利]用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法-CN202110243153.9在审
发明人： A·布罗克迈尔;S·黑尔比希;A·科勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：根据本公开的各实施例涉及用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法。一种方法包括生产半导体晶圆。半导体晶圆包括多个MEMS半导体芯片，其中MEMS半导体芯片具有：被布置在半导体晶圆的第一主表面处的MEMS结构、被布置在第一主表面处的第一半导体材料层、以及被布置在第一半导体材料层下方的第二半导体材料层，其中第一半导体材料层的掺杂大于第二半导体材料层的掺杂。该方法还包括：去除在相邻的MEMS半导体芯片之间的区域中的第一半导体材料层。该方法还包括：从半导体晶圆的第一主表面并且在相邻的MEMS半导体芯片之间应用隐形切割工艺。
用于制造 mems 半导体芯片具有隐形切割工艺方法

[发明专利]基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料及其制备方法和光电导天线结构-CN202011471933.0在审
发明人：芦红;张克冬;李晨;孟亚飞;李艺文;王枫秋;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料，包括半绝缘的半导体衬底以及依次设于所述半导体衬底上的下层半导体层、半金属层、上层半导体层。本发明还公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线结构，由基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料以及偶极天线组成。基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料无需低温生长，具有高晶体质量，由半导体/半金属之间的界面态以及半金属的价带提供快速弛豫通道，可在1550nm波段实现亚皮秒量级的超快弛豫；基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线可用作1550nm激发的太赫兹光源和太赫兹探测器。
基于半导体金属异质结光电材料及其制备方法电导天线结构

[发明专利]一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法-CN202110018473.4在审
发明人：李焕珪;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法，涉及半导体加工技术领域，以提高半导体处理件的清洗效率。半导体处理腔室，用于对半导体处理件进行氢等离子体清洗处理。该半导体处理腔室包括腔室本体。该半导体处理腔室还包括与加热组件通信连接的控制组件。控制组件用于在半导体处理件处于氢等离子体清洗阶段时，控制加热组件，使腔室本体内的温度达到预设温度，以减少半导体处理件的清洗时间。上述半导体处理设备包括上述半导体处理腔室。上述半导体处理方法应用于上述半导体处理腔室及上述半导体处理设备。
一种半导体处理设备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202211535330.1在审
发明人：焦闵;蔡济印;林大文;周鸿儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供的方法包括接收半导体基板，其具有第一半导体材料的半导体表面；形成抗击穿结构于半导体基板中；在第一温度T1对半导体基板进行预烘烤工艺；在第二温度T2外延成长第一半导体材料的未掺杂的半导体层于半导体基板上，且未掺杂的半导体层具有第一厚度t1；在第三温度T3外延成长半导体层堆叠于未掺杂的半导体层上，且第三温度T3小于第二温度T2；图案化半导体基板与半导体层堆叠以形成沟槽，进而定义与沟槽相邻的主动区；形成隔离结构于沟槽中；选择性移除第二半导体层；以及形成栅极结构以包覆每一第一半导体层。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有序列号的安全芯片-CN202310629320.2在审
发明人： J·C·J·德兰根;M·N·J·范科温克;V·S·凯珀 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有半导体芯片都相同的公共结构的集合以及非公共结构的集合，子集中的半导体芯片的非公共结构不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共结构。至少非公共结构的第一部分和公共结构的第一部分形成第一非公共电路，并且每个子集中的半导体芯片的第一非公共电路不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共电路。
具有序列号安全芯片

[发明专利]光电转换器件和成像系统-CN201410347610.9有效
发明人：桑原英司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换器件包含包含第一导电类型的第一半导体区域的光电转换元件；被设置为与第一半导体区域接触的第一导电类型的第二半导体区域；被设置为与第二半导体区域分开的第一导电类型的第三半导体区域；被设置在第二与第三半导体区域之间的第二导电类型的第四半导体区域；以及被设置为与第三半导体区域分开的第一导电类型的第五半导体区域，其中，第三半导体区域的杂质浓度比第五半导体区域的杂质浓度低，并且第三半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度大于第五半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度
光电转换器件成像系统

[发明专利]绝缘隔离半导体器件及其制造方法-CN201510980166.9有效
发明人：张常军;季锋;王平;陈祖银 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种绝缘隔离半导体器件及其制造方法。所述绝缘隔离半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。所述绝缘隔离半导体器件无需使用SOI，从而可以降低制造成本。
绝缘隔离半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体存储装置-CN201110114256.1有效
发明人：梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。
半导体器件半导体存储装置

[发明专利]具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法-CN200410005258.7有效
发明人： A·蒂尔科;W·克莱恩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该第二半导体层上，pn接合面形成于半导体区域及第二半导体层之间，及一凹陷，其系位于包含第一掺杂型态之半导体材料之埋藏第一半导体层中低于半导体区域之位置，并可较埋藏第一半导体层之掺杂少，且其与在第二半导体层上之第二掺杂型态之半导体区域间之距离较大，因此穿越pn接合面之击穿电压高于未提供该凹陷之状况
增加击穿电压半导体结构制造方法

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201510213839.8有效
发明人：吕函庭;陈威臣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：区块包括多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且，多个选择栅极结构设置于半导体条叠层上，且位于半导体条上的半导体接触垫和存储单元之间。再者，这些选择栅极结构中的不同者将半导体条叠层中的不同的半导体条耦合在这些层中的半导体接触垫上。更进一步，一辅助栅极结构设置在半导体条叠层之上，且位于选择栅极结构和半导体接触垫叠层之间。
存储装置及其制造方法

[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件-CN201710011200.0有效
发明人： A·卡佩拉尼;P·G·托尔钦斯基;K·J·库恩;G·A·格拉斯;V·H·勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：描述了具有纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件和用于形成这种共衬底器件的方法，其中所述纳米线或半导体主体具有不同材料取向或组成。例如，半导体结构包括具有设置于结晶衬底之上的第一纳米线或半导体主体的第一半导体器件。所述第一纳米线或半导体主体由具有第一全局晶体取向的半导体材料组成。所述半导体结构还包括具有设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线或半导体主体的第二半导体器件。所述第二纳米线或半导体主体由具有不同于所述第一全局取向的第二全局晶体取向的半导体材料组成。所述第二纳米线或半导体主体通过设置于所述第二纳米线或半导体主体与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。
具有包含不同材料取向组成纳米半导体主体衬底半导体器件

[发明专利]半导体部件以及半导体部件的制造方法-CN200710127113.8有效
发明人： A·梅瑟;W·哈特纳;H·格鲁伯;D·博纳特;T·格罗斯 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体部件以及半导体部件的制造方法。半导体部件包括半导体本体，其中形成：第一导电类型的衬底、布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层和布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层，在所述功能单元半导体层中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分，所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘。所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触，所述与衬底的接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。
半导体部件以及制造方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法-CN200810173930.1有效
发明人：古山将树;井坂史人;下村明久;桃纯平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。
半导体衬底及其制造方法以及装置