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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN201611126760.2有效
发明人：陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一源极/漏极区下的一第一部分。第二阱与第一阱相对设置，并与第二源极/漏极区分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有一第一导电类型。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201710628535.7有效
发明人：张峰溢;李甫哲;詹益旺;廖家樑;童宇诚;陈建豪;王嘉鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包含一材料层，具有一切割道区，一矩形区域位于切割道区中，该矩形区域具有一对第一边缘与该切割道区的宽度方向平行，一对第二边缘与该切割道区的长度方向平行，一对第一图案沿着该对第一边缘埋设在该材料层中
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201810449892.1有效
发明人：廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构，包括：半导体装置、第一导电层以及栅极通路。半导体装置包括上表面、栅极端、源极端以及漏极端。第一导电层放置上表面且耦接至源极端。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201310087323.4有效
发明人：余宗玮;舒芳安;蔡耀州;林冠峄 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关一种半导体结构，包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一介电堆叠层。栅极配置于一基板上。氧化物通道层与栅极彼此上下堆叠。栅绝缘层配置于栅极与氧化物通道层之间。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201210185722.X有效
发明人：张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201210185697.5有效
发明人：朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一金属等离子体产生层设置于所述有源层的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离有源层的一侧所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201410042543.X有效
发明人：张何伟 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括承载盘、芯片、第一接地焊线及第二接地焊线。承载盘具有第一表面及第二表面，第一表面与第二表面具有高度差。芯片设于承载盘的第一表面且具有一有源面。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201210238365.9有效
发明人：郑兆升;邱凯翎;曾志裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，其包含有一第一电容与一第二电容。该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元包含多个第一指状电极。该第二电容包含有多个第二单元，各该第二单元包含多个第二指状电极。该半导体结构还包含有多个彼此平行的第一连接线与第二连接线，该等第一连接线电连接该等第一指状电极，且该等第一指状电极及其相邻的该等第一连接线形成一直线；该等第二连接线电连接该等第二指状电极，且该等第二指状电极及其相邻的该等第二连接线形成一直线
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201410247121.6有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括一堆叠电容结构。堆叠电容结构包括一第一内金属层、一第一绝缘层、一第二内金属层、一第二绝缘层及一第三内金属层。第一内金属层包括一第一衬垫区邻近第一内金属层的一边缘。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201510095710.1有效
发明人：洪海涵;郭炳宏;庄弋纬 -专利权人：华亚科技股份有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构包括其上具有至少一个导电区域的基底、多个设置在基底上的筒状容器电极,其中,每个筒状容器电极具有一个与导电区域直接接触的水平部和连接该水平部的垂直侧部,以及一支撑结构,包含有多个条形部
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201410401581.X有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括：导电条纹、导电层、第一介电层与一第二介电层。第一介电层介于交错配置的导电条纹与导电层之间。本发明提供的半导体结构，具有较稳定的结构特征，不容易发生形变的问题，且产品可靠性高。
介电层半导体结构导电条纹导电层产品可靠性交错配置邻接形变

[发明专利]半导体结构-CN201410424367.6有效
发明人：朴哲秀;江明崇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低接触电阻的半导体结构，至少包括基板、埋入式字线、隔离层、多晶硅间隙壁以及接触窗插塞。基板内具有数个沟道。埋入式字线则位于沟道内，其中埋入式字线的顶面低于基板的表面一第一距离。
基板接触窗插塞埋入式字线多晶硅间隙壁隔离层沟道半导体结构顶面降低接触电阻接触电阻侧壁

[发明专利]半导体结构-CN201010299252.0有效
发明人：叶秋显;吴俊元;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含有基底、栅极结构、源/漏极区域、凹槽以及外延层。基底包含上表面。栅极结构位于基底的上表面上。源/漏极区域位于栅极结构侧边的基底中。凹槽位于源/漏极区域中。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201510657183.9有效
发明人：陈圣白 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，其包含一半导体基板、一绝缘层以及多个布线。绝缘层设置于半导体基板之上。布线设置于半导体基板与绝缘层之间。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201510577374.4有效
发明人：洪庆文;黄志森;陈意维;林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包含一基底，一层间介电层位于基底上，一栅极结构位于层间介电层中。栅极结构包含一栅极电极，具有一栅极凸出部，以及一栅极介电层位于栅极电极与基底之间。一间隙壁，位于层间介电层与栅极结构之间。一绝缘盖层，位于栅极电极上方并且包围栅极凸出部，其中绝缘盖层具有内凹的弧形顶面。
半导体结构

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