首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9744734个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体结构-CN202211559831.3在审
  • 谢贺捷;池其辉;蔡行易 - 联发科技股份有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-06-09 - H01L27/118
  • 本发明公开一种半导体结构，包括：半导体基板；第一阱区；第二阱区；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管；第二闸电极和第三闸电极；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。采用这种方式，电线源/接地线无需设置的过宽，因此相较于先前技术中的电源线，本发明实施例中的电源线/接地线的宽度更小，并且面积也更小，这样也就降低了逻辑单元的高度和面积，也降低了半导体结构的整体高度和整体的面积
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202111442007.5在审
  • 王晓光;李辉辉;张强;吴敏敏;汪珊 - 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
  • 2021-11-30 - 2023-06-02 - H10B61/00
  • 本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构。本申请实施例提供的半导体结构包括衬底，衬底包括第一存储区、第二存储区和外围区；外围区设在第一存储区和第二存储区的外围；第一存储区设在第二存储区的外围，且第二存储区至少有一侧与外围区相邻。相比于相关技术中，将半导体结构中两种存储单元在垂直于衬底的方向上层叠设置，本申请实施例将第一存储区和第二存储区设置在同一平面内，能够简化工艺流程，提高器件的集成性。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202080102512.2在审
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-07-21 - 2023-03-21 - H01L29/15
  • 本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括沟道层和设于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层包括层叠设置的多层子势垒层，多层所述子势垒层中至少存在三层所述子势垒层，且多层所述子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化本申请通过设置至少三层的多层子势垒层，多层子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化，而使所述半导体结构形成的能带在势垒层形成一个或者多个量子阱，避免正向漏电。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202210319240.2在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2023-05-26 - H01L23/525
  • 一种半导体结构包括基板、第一及第二晶体管、第一及第二熔丝、接触结构以及介电层。基板具有第一及第二元件区域，以及熔丝区域。第一晶体管与第二晶体管分别位于第一元件区域与第二元件区域上。接触结构互连第二部分与第三部分，其中第一部分与第四部分位于接触结构的相对侧上。介电层位于接触结构与基板的熔丝区域之间。借此，本揭露的半导体结构，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202111073572.9在审
  • 陶波;王黎;温晋炀;马瑞吉;周志飙;殷栋;任刚;谢健 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-09-14 - 2023-03-17 - H10B20/25
  • 本发明公开一种半导体结构，包括绝缘体上半导体基底、第一导电结构以及第二导电结构。绝缘体上半导体基底包括底部基底、设置在埋入式绝缘层上的埋入式绝缘层、设置在埋入式绝缘层上的半导体层以及设置在底部基底与埋入式绝缘层之间的高捕捉层。第一导电结构的至少一部分以及第二导电结构的至少一部分设置在高捕捉层中。高捕捉层的一部分设置在第一导电结构与第二导电结构之间，且第一导电结构、第二导电结构以及设置在第一导电结构与第二导电结构之间的高捕捉层为一反熔丝结构的至少一部分。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202110885325.2在审
  • 陈志谚;卢钒达;王端玮;陈俊扬 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2021-08-03 - 2023-04-04 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体结构，包括：基板、缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层、以及复合阻挡层。缓冲层位于基板上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。掺杂化合物半导体层位于阻障层上。复合阻挡层位于掺杂化合物半导体层上，复合阻挡层与阻障层包含相同的第三族元素，且在复合阻挡层中的所述相同的第三族元素的原子百分比随着远离掺杂化合物半导体层而增加。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202180043051.0在审
  • 彼得·卡林顿;伊万杰利亚·德利 - 兰卡斯特大学
  • 2021-06-15 - 2023-02-03 - H01L21/20
  • 一种半导体装置，包括基板、一个或多个第一III族半导体层、和在基板和所述一个或多个第一层之间的多个超晶格结构。多个超晶格结构包括初始超晶格结构和在初始超晶格结构和所述一个或多个第一层之间的一个或多个另外的超晶格结构。多个超晶格结构被配置为使得一个或多个另外的超晶格结构的每个超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积大于或等于在那个超晶格结构和基板之间的所述多个超晶格结构的一个或多个超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积多个超晶格结构还被配置为使得一个或多个另外的超晶格结构中的至少一个超晶格结构的半导体层对的应变‑厚度乘积大于初始超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202110821475.7在审
  • 卢宗正 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-20 - 2023-01-24 - H01L23/48
  • 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置，且第一保护结构与第二保护结构相互间隔，第一保护结构与过孔结构之间具有第一间隔，第一保护结构至少部分区域与至少一层地层电连接，第二保护结构至少部分区域与过孔结构之间具有第二间隔，且第二保护结构与至少一层电源层电连接本申请实施例有利于优化过孔结构的回流路径和降低过孔结构和周围电路间的串扰，以提高过孔结构传递电信号的传输质量。
  • 半导体结构
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top