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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN202211080941.1在审
发明人：邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：位线沿第一方向延伸，字线沿第二方向延伸，第一方向为垂直基底表面的方向或平行于基底表面的方向中的一者，第二方向为垂直于基底表面的方向或平行于基底表面的方向中的另一者；第一有源柱包括沿第三方向依次排布的第一区以及第二区，第二有源柱包括沿第三方向依次排布的第三区以及第四区，第二区与第三区沿平行于基底表面的方向正对；部分存储结构环绕第一有源柱的第一区，部分位线与第二区远离存储结构的一端电连接；部分存储结构环绕第二有源柱的第四区，部分位线与第三区远离存储结构的一端电连接。本公开实施例提供的半导体结构至少可以降低寄生电容以及提高集成度。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210713151.6在审
发明人：苏怡年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。包括在制作工艺时形成凹陷于金属层中，以改善制成并降低导电通孔的接点电阻。半导体结构包括介电层、金属层、蚀刻停止层、与导电通孔。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210729704.7在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、从基板突出的半导体鳍片，其中半导体鳍片包括在垂直方向上堆叠的多个半导体层、与半导体鳍片的多个通道区接合的栅极堆叠以及设置相邻于栅极堆叠并且在半导体鳍片的多个源极/漏极(S/D)在本实施例中，栅极堆叠包括设置在半导体层上方的第一部分和在上述半导体层之间的第二部分，其中第一部分包括功函数金属(WFM)层和设置在WFM层上方的金属填充层，并且第二部分包括WFM层但不具有金属填充层。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210247045.3在审
发明人：蔡行易;蔡辅桓;陈家忠;李孝纯;黄崎峰;吕卓颖;梁其翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述源极区及所述漏极区被所述栅极结构分开。所述隔离结构环绕所述栅极结构、所述源极区及所述漏极区。所述第一部分具有第一侧壁，所述第二部分具有第二侧壁，且所述第三部分具有第三侧壁。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210916073.X在审
发明人：黄心岩;李劭宽;眭晓林;张孝慷;蔡承孝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有与后侧表面相对的前侧表面的装置层。第一散热层沿着装置层的后侧表面设置。第二散热层位于装置层的前侧表面下方。第二散热层的热导率低于第一散热层的热导率。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210916084.8在审
发明人：彭羽筠;颜甫庭;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。涉及用于在纳米结构晶体管中的源极/漏极(S/D)外延结构及金属栅极结构之间制造间隔物结构的方法。方法包括在基板上形成具有交替的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构。方法也包括蚀刻鳍片结构中的第一纳米结构元件的边缘部分以形成空腔。再者，在鳍片结构上沉积间隔物材料以填充空腔并移除空腔中的一部分间隔物材料，以在间隔物材料中形成开口。此外，方法包括在基板上形成S/D外延结构以邻接鳍片结构及间隔物材料，使得S/D外延结构的侧壁部分密封间隔物材料中的开口，以在间隔物材料中形成气隙。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210937879.7在审
发明人：张旭凯;朱家宏;梁顺鑫;林耕竹;林斌彦;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开描述了一种半导体结构。半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源/漏极接触结构和栅极结构的沟槽导体层。有机金属材料层可位于介电材料层和沟槽导体层之间。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210937904.1在审
发明人：林斌彦;林经祥;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板、形成在基板上方的第一鳍片结构及第二鳍片结构、以及位于第一鳍片结构及第二鳍片结构之间的隔离结构。隔离结构可包括下部及上部。隔离结构的下部可包括无金属介电材料。隔离结构的上部可包括金属元素及硅。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210947781.X在审
发明人：邱德洋;颜甫庭;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有含碳的第一储存层的第一晶片、具有含碳的第二储存层的第二晶片以及介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触的结合层。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210945046.5在审
发明人：朱家宏;梁顺鑫;张旭凯;陈姿蓓;林侃儒;张阡;黄鸿仪;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开说明了一种半导体结构。半导体结构可包括一基底，位于基底上的一栅极结构，位于栅极结构上的一介电材料层，穿过栅极结构形成并与之相邻的一源极/漏极(S/D)接触层，以及位于源极/漏极(S/D)接触层上并与之接触的一沟槽导电层。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202310194218.4在审
发明人：耿世奎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：基底，基底包括相邻的第一阱区和第二阱区；第一晶体管，第一晶体管包括位于第一阱区的部分基底上的第一栅极以及位于第一栅极相对两侧的第一掺杂区，第一掺杂区位于第一阱区内本公开实施例提供的半导体结构至少有利于提高半导体结构的稳定性。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202211559646.4在审
发明人：池其辉;谢贺捷;蔡行易 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括：单元阵列，具有多个行，并且该单元阵列包括：第一逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第一行中，其中多个该第一逻辑单元共享第一有源区；以及第二逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第二行中，其中每个该第二逻辑单元具有第二有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的该第二有源区通过隔离结构彼此隔开，其中，该第一行的该第一逻辑单元与该第二行的该第二逻辑单元接触。本发明的半导体结构可以结合不连续有源区的更小的泄漏和更小的面积的优势，以及连续有源区的速度更快的优势；因此本发明将两者的优势进行结合，以满足不同的功率和速度的要求，从而得到设计所需的半导体结构，并且满足不同的需求
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202211363787.9在审
发明人：庄晴凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种具有围绕位元线下部的气隙的半导体结构。该半导体结构包括一基底；设置在该基底上的一位元线结构；围绕该位元线结构的一第一介电质层；围绕该第一介电质层的一下部的一第二介电质层，其中该第二介电质层借由一第一气隙与该第一介电质层分开；以及围绕该第一介电质层的一上部并密封该第一气隙的一第三介电质层
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202310445493.9在审
发明人：薛东;李宗翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：基底结构，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；停止层，位于基底结构上方且至少覆盖第一区域；第一对准标记，位于停止层上方且在基底结构顶面的投影位于第一区域；介质层，位于基底结构上方且在基底结构顶面的投影覆盖第二区域；再分布层，共形地覆盖部分停止层、第一对准标记和介质层，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记的上方。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202211311890.9在审
发明人：林伯融;施英汝;曹正翰 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、第一氮化物层、极性反转层、第二氮化物层以及第三氮化物层。第一氮化物层位于基板上。本发明的半导体结构抑制具有寄生通道产生的功效。
半导体结构

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