|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 9744734个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体结构-CN202111034193.9在审
-
段志刚;陈京好
-
联发科技(新加坡)私人有限公司
-
2021-09-03
-
2022-05-13
-
H01L23/522
- 本发明公开一种半导体结构，包括：第一基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该第一基板上；以及多端子多电容结构，设置于该第一基板上，该多端子多电容结构包括：第二基板；绝缘层，设置于该第二基板上方；第一多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第一半导体晶粒；以及第二多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器与该第二基板电隔离本发明可以减少电容器所占用的空间，并且可以增加基板上保留的导电结构。因此本发明可以增加设计灵活性，并且可以更容易地设计。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体结构-CN202210610517.7在审
-
刘佑铭;肖德元;苏星松
-
长鑫存储技术有限公司
-
2022-05-31
-
2022-09-06
-
H01L29/08
- 本公开实施例提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决提高半导体结构存储容量小的技术问题，该半导体结构包括基底、设置在基底上的介质层和多个存储单元层，多个存储单元层沿第一方向间隔设置在介质层内，且任意相邻两个存储单元层在基底上投影重合本公开实施例通过将多个存储单元层沿垂直于基底的方向间隔设置在介质层内，且每个存储单元层内具有多个存储单元，每个存储单元中的源极、沟道和漏极沿平行于基底的方向排布，如此，可以将每个存储单元平行于基底放置，进而，可以增加堆叠的存储单元层的个数，提高半导体结构的存储容量
- 半导体结构
- [发明专利]半导体结构-CN202110361612.3在审
-
王路广
-
长鑫存储技术有限公司
-
2021-04-02
-
2022-10-11
-
H01L23/528
- 本发明涉及一种半导体结构，具有第一区、第二区以及第三区，第二区位于第一区与第三区之间，且半导体结构包括：衬底；浅沟槽隔离结构，位于衬底内，且将衬底隔离成多个有源区，第一区的有源区用于形成半导体器件；介质层，位于衬底上；通孔结构，位于第三区，且贯穿介质层与衬底；应力缓冲结构，位于第二区，包括第一缓冲掺杂区，第一缓冲掺杂区位于有源区内，且通过有源区掺杂有第一缓冲杂质形成，第一缓冲杂质的原子半径小于衬底材料的原子半径本申请可以对通孔结构的制造过程中，衬底与连通结构之间的膨胀应力进行缓冲，从而可以有效保护第一区的半导体器件以及结构。
- 半导体结构
|
