“杨士亿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果38个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210003421.4在审
发明人：吴杰翰;朱慧捷;余安棣;魏慈慧;蔡政勋;李忠儒;杨士亿;请求不公布姓名 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体结构的方法，包括于介电结构中形成沟槽；在由所述沟槽所暴露的所述介电结构的侧表面上形成间隔层；在形成所述间隔层之后，在所述沟槽中形成第一导电特征件；移除所述介电结构的至少部分以形成凹槽；在所述凹槽中及所述第一导电特征件之上形成蚀刻停止层；以及在形成所述蚀刻停止层后，于所述凹槽中且于所述第一导电特征件之上沉积介电层。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]半导体结构-CN202210007264.4在审
发明人：郭子骏;杨士亿;詹佑晨;李书玮;卢孟佩;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文揭示一种半导体结构，包括一基板、一介电层及一石墨烯导电结构。所述介电层设置于该基板上，且具有垂直于所述基板的一内侧面。所述石墨烯导电结构形成于所述介电层中并且具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一平行所述介电层的内侧面的方向延伸。
半导体结构

[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210011779.1在审
发明人：叶菁馥;钟进龙;李书玮;詹佑晨;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在一基板上设置一接触特征件；在所述基板上形成一介电层；蚀刻所述介电层以形成露出所述接触特征件的一互连通道；在所述介电层上及所述接触特征件以外区域上形成一金属层；以及在所述金属层上形成一石墨烯导电结构，所述石墨烯导电结构填入所述互连通道且与所述接触特征件电连接，所述石墨烯导电结构具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一实质垂直于所述基板的方向延伸。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]互连结构-CN202210956750.0在审
发明人：李书玮;詹佑晨;杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供一种互连结构。在一些实施例中，上述结构包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中，其中一或多个第一导电部件包括第一金属；以及多个石墨烯层，设置在每个所述第一导电部件上，其中石墨烯层包括插入其中的第二金属，且第二金属不同于第一金属。
互连结构

[发明专利]集成芯片-CN202210824968.0在审
发明人： 杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实施例提供一种集成芯片，其包括一半导体装置。半导体装置包括一第一源极/漏极结构、一第二源极/漏极结构、一通道结构的堆叠及一栅极结构。通道结构的堆叠及栅极结构位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间。栅极结构环绕通道结构的堆叠。一第一导电接线位于半导体装置上方并与其隔开。第一导电接线包括一第一导电层堆叠。第一导电接点从第一导电接线延伸穿过介电层至第一源极/漏极结构。第一导电接点位于第一源极/漏极结构的背侧。
集成芯片

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210158269.7在审
发明人：李书玮;詹佑晨;卢孟佩;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本公开提供一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包括：至少一个二维2D导电结构；电介质层，其放置于所述2D导电结构上；及至少一个互连结构，其放置于所述电介质层中且延伸到所述2D导电结构中，其中所述互连结构横向连接到所述2D导电结构的至少一个边缘。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成芯片-CN202210609741.4在审
发明人：李书玮;杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例关于集成芯片，其包括下侧导电线路于基板上的第一介电层中。第二介电层位于第一介电层上。导电通孔，位于下侧导电线路之上与第二介电层之中。导电衬垫层，衬垫导电通孔的侧壁。阻障层衬垫导电衬垫层的侧壁与第二介电层的侧壁。导电衬垫层与第二介电层横向隔有阻障层。导电衬垫层自导电通孔的下表面至下侧导电线路的上表面垂直延伸于阻障层的侧壁之间。
集成芯片

[发明专利]半导体封装体-CN202210523139.9在审
发明人：洪汉堂;杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体封装体。在一个实施例中，半导体封装包括具有第一电路设计的第一集成电路晶粒，且第一集成电路晶粒包括第一装置层和第一内连线结构。半导体封装体亦包括第二集成电路晶粒，具有不同于第一电路设计的第二电路设计，且第二集成电路晶粒包括第二装置层和第二内连线结构，第二内连线结构具有与第一装置层接触的第一侧以及与第一集成电路晶粒的第一内连线结构直接接触的第二侧。半导体封装体还包括基底，具有接合到第一内连线结构的第一侧，其中第二集成电路晶粒被基底的至少一部分围绕。
半导体封装

[发明专利]集成芯片-CN202210409108.0在审
发明人： 杨士亿;卢孟珮;锺进龙;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例关于一种集成芯片。上述集成芯片包括一基底。一第一导电部件在上述基底的上方。一第二导电部件在上述基底的上方，并横向邻近上述第一导电部件。一凹孔将上述第一导电部件与上述第二导电部件横向分离。一介电衬层沿着上述凹孔的底部从上述第一导电部件延伸至上述第二导电部件且进一步沿着上述第一导电部件与上述第二导电部件的对向侧壁延伸。一介电盖覆盖并密封上述凹孔。上述介电盖具有一顶表面，其与上述第一导电部件及上述第二导电部件的顶表面共平面。上述第一导电部件与上述第二导电部件包括夹入一或多种金属的石墨烯。
集成芯片

[发明专利]内连线结构-CN202210492483.6在审
发明人：李书玮;詹佑晨;杨士亿;李明翰;睦晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括导电层的第一部分，且导电层包括一或多个石墨烯层。导电层的第一部分包括对向的第一界面部分与第二界面部分，且第一界面部分与第二界面部分的每一个包括金属位于相邻的石墨烯层之间。结构还包括导电层的第二部分与导电层的第一部分相邻，且导电层的第二部分包括对向的第三界面部分与第四界面部分。第三界面部分与第四界面部分的每一个包括金属位于相邻的石墨烯层之间。内连线结构还包括介电材料位于导电层的第一部分与第二部分之间。
连线结构

[发明专利]半导体封装体-CN202210430523.4在审
发明人：洪汉堂;杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体封装体。半导体封装体包括第一集成电路裸片、第二集成电路裸片以及整合后端结构。第一集成电路裸片具有第一后端结构，且第二集成电路裸片具有第二后端结构。整合后端结构具有与第一后端结构和第二后端结构直接接触的第一侧。在一些实施例中，基底设置在整合后端结构的第二侧，以支撑第一集成电路裸片和第二集成电路裸片。
半导体封装

[发明专利]半导体封装-CN202210306507.4在审
发明人： 杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体封装。本公开的一些实施例提供一种堆叠的边缘互连小芯片。半导体封装包括一第一集成电路裸片。第一集成电路裸片包括一第一装置层、一第一互连结构、一第二互连结构。第一装置层具有一第一侧以及与第一侧相对的一第二侧。第一互连结构设置在第一装置层的第一侧上。第二互连结构设置在第一装置层的第二侧上。半导体装置亦包括一电力线以及一第二集成电路裸片。电力线延伸穿过第一装置层，并接触第一互连结构以及第二互连结构。第二集成电路裸片设置在第一集成电路裸片的上方。第二集成电路裸片包括一第三互连结构。第三互连结构接触第一集成电路裸片的第二互连结构。
半导体封装

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210088498.6在审
发明人：锺进龙;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括提供基板，介电层位于基板上，且两个金属结构位于介电层上。形成有机阻挡层于介电层之上与金属结构的下侧部分之间。有机阻挡层覆盖金属结构的下侧部分的侧壁表面，而不覆盖金属结构的上侧部分的侧壁表面。沉积介电阻障层于金属结构的上表面以及上侧部分的侧壁表面上，其中介电阻障层不覆盖有机阻挡层的上表面的至少一部分；形成金属间介电层，其横向地位于金属结构之间与有机阻挡层之上；以及移除有机阻挡层以留下气隙位于介电层之上、位于介电阻障层与金属间介电层之下、以及横向地位于金属结构的下侧部分之间。
半导体结构制造方法

[发明专利]互连结构-CN202210328949.9在审
发明人：李书玮;骆冠宇;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提出一种互连结构，互连结构包含介电材料以及延伸通过介电材料的导电部件。导电部件包含导电材料且具有第一顶表面。此结构还包含设置于介电材料中且相邻于导电部件的虚设导电部件，且虚设导电部件具有与第一顶表面大致共平面的第二顶表面。空气间隙形成于虚设导电部件中。
互连结构

[发明专利]半导体结构-CN202210271007.1在审
发明人：李书玮;骆冠宇;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括互连级介电层，包含介电材料并覆盖于基板上，以及金属互连结构，嵌入至互连级介电层中并包括渐变金属合金层以及金属填充材料部分。渐变金属合金层包含第一金属材料与第二金属材料的渐变金属合金。第二金属材料的原子浓度随着渐变金属合金与互连级介电层之间的界面的距离而增加。可通过同时进行或者周期性进行第一金属材料及第二金属材料的沉积来形成渐变金属合金层。第一金属材料可提供阻隔特性，而第二金属材料可提供粘合特性。
半导体结构

1
2
3
下一页»
尾页
共 38 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top