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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210271116.3在审
  • 马瑞吉;邢溯 - 联华电子股份有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-09-29 - H01L25/18
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括以下构件。第一基底具有彼此相对的第一面与第二面。异质结双极晶体管器件位于第一基底上，且包括集电极、基极与发射极。第一互连线结构电连接至基极。第一互连线结构位于第一面上且延伸至第二面。第二互连线结构电连接至发射极。第二互连线结构位于第一面上且延伸至第二面。第三互连线结构位于第二面上，且电连接至集电极。金属氧化物半导体晶体管器件位于第二基底上，且包括栅极、第一源极与漏极区与第二源极与漏极区。位于第二基底上的多个互连线结构将基极电连接至第一源极与漏极区且将发射极电连接至栅极。上述半导体结构可具有较佳整体效能。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]集成电路元件及其制作方法-CN202010447437.5有效
  • 马瑞吉;杨国裕;林家辉;张竹君 - 联华电子股份有限公司
  • 2020-05-25 - 2023-08-15 - H01L23/00
  • 本发明公开一种集成电路元件及其制作方法，其中该集成电路元件包含：一基底；一集成电路区域，位于所述基底上，所述集成电路区域包含一介电堆叠；一密封环，设于所述介电堆叠中，并环绕于所述集成电路区域周围；一沟槽，环绕所述密封环，并显露出所述介电堆叠的一侧壁；一湿气阻隔层，连续的覆盖所述集成电路区域，并延伸至所述介电堆叠的所述侧壁，从而密封所述介电堆叠中的两个相邻介电膜之间的交界；以及一钝化层，位于所述湿气阻隔层上。
  • 集成电路元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体元件-CN202110275091.X有效
  • 马瑞吉;林家辉;杨国裕 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-01-15 - 2023-07-18 - H01L23/528
  • 本发明公开一种半导体元件，其包含第一栅极线与第二栅极线仅沿着第一方向延伸、第三栅极线与第四栅极线沿着第一方向延伸并设于第一栅极线与第二栅极线之间，第五栅极线与第六栅极线沿着第二方向延伸，以及多个第一接触插塞设于第一栅极线上。其中第五栅极线以及第六栅极线设于第一栅极线以及第二栅极线之间并交错第三栅极线及第四栅极线，第一方向垂直于第二方向且第一栅极线与第二栅极线接触第五栅极线与第六栅极线。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810784990.0有效
  • 马瑞吉;苏治维;温哲民 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-07-17 - 2023-04-07 - H01L29/06
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，该基底包含一第一半导体层、一绝缘层设于第一半导体层上以及一第二半导体层设于绝缘层上，然后形成一金属氧化物半导体晶体管于基底上，形成一层间介电层于金属氧化物半导体晶体管上，去除部分层间介电层以形成一第一开口暴露出绝缘层，再进行一湿蚀刻制作工艺经由该第一开口去除部分绝缘层以形成一第一气孔于金属氧化物半导体晶体管下方。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构-CN202111073572.9在审
  • 陶波;王黎;温晋炀;马瑞吉;周志飙;殷栋;任刚;谢健 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-09-14 - 2023-03-17 - H10B20/25
  • 本发明公开一种半导体结构，包括绝缘体上半导体基底、第一导电结构以及第二导电结构。绝缘体上半导体基底包括底部基底、设置在埋入式绝缘层上的埋入式绝缘层、设置在埋入式绝缘层上的半导体层以及设置在底部基底与埋入式绝缘层之间的高捕捉层。第一导电结构的至少一部分以及第二导电结构的至少一部分设置在高捕捉层中。高捕捉层的一部分设置在第一导电结构与第二导电结构之间，且第一导电结构、第二导电结构以及设置在第一导电结构与第二导电结构之间的高捕捉层为一反熔丝结构的至少一部分。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110724211.X在审
  • 马瑞吉;邢溯 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-06-29 - 2022-12-30 - H01L27/02
  • 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括多个芯片。多个芯片堆叠排列。每个芯片包括射频元件。相邻两个芯片彼此接合。多个芯片中的多个射频元件并联连接。每个射频元件包括栅极、源极区与漏极区。并联连接的多个射频元件中的多个栅极具有相同的形状与相同的尺寸。并联连接的多个射频元件中的多个源极区具有相同的形状与相同的尺寸。并联连接的多个射频元件中的多个漏极区具有相同的形状与相同的尺寸。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]接合半导体结构及其制作方法-CN202110198259.1在审
  • 马瑞吉;邢溯;夏姆.珀斯萨拉蒂 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-02-22 - 2022-08-30 - H01L23/552
  • 本发明公开一种接合半导体结构及其制作方法，其中该接合半导体结构包括一第一元件晶片以及一第二元件晶片。第一元件晶片包括一第一绝缘层、一第一元件层位于第一绝缘层上，并且包括一第一元件区以及设置在第一元件区内的一第一晶体管，以及一第一接合层位于第一元件层上。第二元件晶片包括一第二绝缘层、一第二元件层位于第二绝缘层的一第一侧上，并且包括一第二元件区以及设置在第二元件区内的一第二晶体管，以及一第二接合层位于第二元件层上，其中第二元件晶片通过将第二接合层接合至第一接合层而接合在第一元件晶片上。一第一屏蔽结构位于第二绝缘层相对于第一侧的一第二侧上，并且与第二元件区在垂直方向上互相重叠。
  • 接合半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201810151286.1有效
  • 马瑞吉;邢溯;温晋炀 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-02-14 - 2022-06-21 - H01L29/786
  • 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置包括埋入式绝缘层、半导体层、栅极结构、源极掺杂区与漏极掺杂区。半导体层设置于埋入式绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。半导体层包括体区设置于栅极结构与埋入式绝缘层之间。源极掺杂区与漏极掺杂区设置于半导体层中。第一接触结构贯穿埋入式绝缘层并接触体区。第二接触结构贯穿埋入式绝缘层并与源极掺杂区电连接。至少部分的第一接触结构于埋入式绝缘层的厚度方向上与体区重叠。体区通过第一接触结构与第二接触结构而与源极掺杂区电连接。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810686366.7有效
  • 马瑞吉;杨国裕 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-06-28 - 2022-05-17 - H01L21/8222
  • 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、双极结晶体管、第一内连线结构与第二内连线结构。基底具有彼此相对的第一面与第二面。双极结晶体管位于基底的第一面。双极结晶体管包括集极、基极与射极。集极设置在基底中。基极设置在基底上。射极设置在基极上。第一内连线结构位于基底的第一面，且电连接至基极。第二内连线结构位于基底的第二面，且电连接至集极。第一内连线结构更延伸至基底的第二面。第一内连线结构与第二内连线结构分别在基底的第二面电连接至外部电路。上述半导体结构可具有较佳的整体效能。
  • 半导体结构及其制造方法
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