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[发明专利]半导体激光器光、电特性综合测量方法-CN01124618.9无效
发明人：宁永强;刘云;王立军;朱万彬;李丽娜;刘星元 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2001-07-25 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种对半导体激光器光－电特性测试装置及方法的改进。为了解决上述技术结构相对复杂,测量时间长等问题,本发明使取样电阻与待测半导体激光器并联,待测半导体激光器的激光准直平行后经过分光,分别进入到光二极管和探测器其光强信号及光谱信号进入计算机,经过程序处理后即测量得到所需的半导体激光器各参数,则完成半导体激光器光、电特性的综合测量。提供了一种结构紧凑、测试方法简单,可以满足对半导体激光器特性快速分析要求的光－电特性参数结合起来同时进行测量的方法。
半导体激光器特性综合测量方法

[发明专利]半导体装置-CN201980046761.1在审
发明人：杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含镓(例如，氧化镓等)，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202111433944.4在审
发明人：桑玲;杨霏;吴军民;牛喜平;张文婷;安运来 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，其中，该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区，所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内，且所述JFET区具有与栅极交叠的部分，所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3，所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区，该JFET区具有与栅极交叠的部分，其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容，从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]用于半导体缺陷引导预烧及系统级测试的系统及方法-CN202280018257.2在审
发明人： R·J·拉瑟;D·W·普利斯;C·V·伦诺克斯;O·唐泽拉;J·鲁滨逊 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：用于半导体缺陷引导预烧及系统级测试(SLT)的系统及方法经配置以：从线内缺陷部分平均测试(I‑PAT)子系统接收多个线内缺陷部分平均测试(I‑PAT)分数，其中所述多个I‑PAT分数由所述I‑PAT子系统基于多个半导体裸片的半导体裸片数据产生，其中所述半导体裸片数据包含所述多个半导体裸片的特性化测量，其中所述多个I‑PAT分数中的每一I‑PAT分数表示由所述I‑PAT子系统基于所述多个半导体裸片中的对应半导体裸片的特性化测量所确定的缺陷率；在动态决策过程期间将一或多个规则应用于所述多个I‑PAT分数；及基于所述动态决策过程为所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片产生一或多个缺陷引导安置。
用于半导体缺陷引导系统测试方法

[发明专利]使用内嵌缺陷部分平均测试进行半导体自适应测试的系统及方法-CN202280018925.1在审
发明人： R·J·拉瑟;D·W·普利斯;C·伦诺克斯;O·唐泽拉;J·鲁滨逊;K·榭曼 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：使用内嵌缺陷部分平均测试进行半导体自适应测试的系统及方法经配置以：接收来自内嵌缺陷部分平均测试(I‑PAT)系统的多个I‑PAT分数，其中所述多个I‑PAT分数是通过所述I‑PAT系统基于多个半导体裸片的半导体裸片数据而产生，其中所述半导体裸片数据包含所述多个半导体裸片的特性化测量，其中所述多个I‑PAT分数中的每一I‑PAT分数表示通过所述I‑PAT系统基于所述多个半导体裸片中的对应半导体裸片的特性化测量而确定的加权缺陷率；在动态决策过程期间，将一或多个规则应用到所述多个I‑PAT分数；及基于所述动态决策过程来产生所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片的一或多个自适应测试。
使用缺陷部分平均测试进行半导体自适应系统方法

[发明专利]一种含有多级有机半导体异质结的有机发光二极管-CN201810283683.4有效
发明人：马东阁;代岩峰;郭庆勋;孙倩;陈江山 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种含有多级有机半导体异质结的有机发光二极管。所述多级有机半导体异质结的有机发光二极管中空穴传输层、电子传输层和电荷产生层中的至少一种由多级有机半导体异质结构成；所述多级有机半导体异质结是由p型半导体材料层和n型半导体材料层交替组成，其中，p型半导体材料层和n型半导体材料层的层数均大于等于2。本发明采用多级有机半导体异质结结构，具有高效的空穴传输、电子传输以及电荷产生的特性。其高效的空穴和电子传输特性，使之完全可以取代传统p掺杂的空穴传输方式以及n掺杂的电子传输方式。
一种含有多级有机半导体异质结有机发光二极管

[发明专利]半导体集成电路器件和电子器件-CN201610832644.6有效
发明人：鹤丸诚;贞方健太 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体集成电路器件和电子器件。所述电子器件具有功率半导体器件、第一半导体集成电路器件和第二半导体集成电路器件。所述功率半导体器件具有输出感测电流的端子。所述第一半导体集成电路器件具有基于感测电流来检测过电流的过电流检测电路和检测功率半导体器件的温度的温度检测电路。所述第二半导体集成电路器件具有存储器件，其存储所述功率半导体器件的电流镜比率的温度特性；温度检测单元，其基于所述温度检测电路的输出来计算温度；以及过电流检测控制单元，其基于由所述温度检测单元检测到的温度和所述存储器件中存储的所述电流镜比率的温度特性来控制所述过电流检测电路
半导体集成电路器件电子器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01124759.2有效
发明人：池谷浩司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2001-08-03 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法,可以克服在通过以往的传递模塑制造单独的半导体器件的方法中,由于在传递模塑以后凌乱地分离为一个个半导体器件,因此需要使各个半导体器件对准一定的方向单独地进行特性的测定,增加多余的工艺并且浪费时间的缺点本发明在粘贴在粘合片的状态下测定一个个半导体器件40的特性。这时,一个个半导体器件40沿一定方向对准并排列,进而,用照相机视野53捕捉半导体器件40a进行位置识别,省略与半导体器件40a相邻接的半导体器件40b、40c、40d、40e的位置识别工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610066109.0有效
发明人：西乡薰;永井孝一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件及其制造方法，其能实现微型化且高度集成的FeRAM超薄半导体芯片，其中尽管为薄型封装结构，但铁电电容器的特性退化能够得到抑制。利用其填充剂含量值设定在重量百分比90％－ 93％的范围内的密封树脂，将该半导体芯片塑封起来，从而形成封装结构。本发明的半导体器件包括：半导体芯片，包含通过排列多个半导体元件构成的存储器单元，每个半导体元件包含铁电电容器结构，该铁电电容器结构通过将具有铁电特性的铁电膜夹在两个电极之间构成；以及密封树脂，用以覆盖并密封上述半导体芯片，该半导体器件形成具有1.27mm或更低的安装高度的薄型封装结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200810215389.6无效
发明人：及川慎 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。为实现高耐压及大电流容量，一般需要确保增加晶体管单元数量，增大衬底尺寸。至少难以在维持现有特性的状态下实现半导体装置的小型化。本发明的半导体装置通过将具有两个安装区域的矩形头部对折而将两个半导体芯片与相对的安装区域固定，由此，在封装的安装面积维持以往的一个半导体芯片的面积的同时，可实现半导体芯片的积层结构，得到与两个半导体芯片相应的特性因此，与半导体芯片是一个的情况相比，通过增加晶体管数量，能降低接通电阻，实现低电压驱动。另外，能够谋求增大电流。与将两个半导体芯片并排安装在头部上的情况相比，能够实现封装外形的安装面积的小型化。
半导体装置

[发明专利]包括沟道层的半导体器件的制造方法-CN200710169154.3无效
发明人：林钟欣;洪昌基;尹普彦;尹煋圭;崔锡宪;韩相晔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含沟道层的半导体器件的制造方法，其包括在半导体衬底上形成单晶半导体层。该单晶半导体层具有从其表面延伸的突起。对单晶半导体层执行第一抛光工艺以除去部分突起，使得单晶半导体层包括突起的保留部分。执行不同于第一抛光工艺的第二抛光工艺以除去突起的保留部分并定义具有基本均匀厚度的大致平坦的单晶半导体层。在单晶半导体层上形成牺牲层并用作第一抛光工艺的抛光停止以定义牺牲层图案，该牺牲层图案可以在第二抛光工艺之前移除。也论述了堆叠半导体存储器件的相关制造方法。根据本发明，形成具有改善表面粗糙特性和大致均匀厚度的硅沟道层，因而，形成在硅沟道层上的晶体管可以具有改善的特性。
包括沟道半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580051335.5有效
发明人：田中琢尔 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明的课题为，涉及一种适合于半导体器件的稳定特性的半导体器件及其制造方法，提供一种谋求具有三阱结构的半导体器件三阱内的晶体管的稳定特性的半导体器件及其制造方法。为了解决上述课题，本发明的半导体器件在半导体器件内具有，第一阱区域和第二阱区域、及形成在所述第二阱区域的多个晶体管。而且，半导体器件具有贯通口区域，该贯通口区域贯通所述第一阱区域而形成，而且在所述第二阱的底部，使所述第二阱区域和所述半导体衬底电性导通。而且，所述半导体器件的特征在于，所述贯通口区域的边界配置在所述晶体管之间，而且在平面上观察时，所述贯通口区域的边界从所述晶体管分离而被配置。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置-CN201611033986.8有效
发明人：黄智方;李坤彦;郑家慧;王圣中 -专利权人：聚积科技股份有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体形成于基板上并包括主动部、环围主动部的边缘终端部，及绝缘氧化层，主动部具有多个相互并联的电晶体，边缘终端部具有呈第一型半导体特性的第一半导体区、呈第二型半导体特性的第二半导体区，及远离基板的顶面，绝缘氧化层与基板相间隔地形成于边缘终端部，第一型半导体特性的浓度由顶面往基板方向递减。借此，使该边缘终端部施加电压时，能延伸该第一半导体区与该第二半导体区之间的空乏区并具有均匀的电力线，从而能承受较高的崩溃电压。
具有渐变浓度边缘终端结构功率半导体装置

[发明专利]一种用于光源制备的装置-CN202110875081.X有效
发明人：李成宇;韩松林;王朝伟;张洪杰 -专利权人：中科稀土（长春）有限责任公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F21V9/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光源制备的装置，至少包括：分配模块，其用于将荧光胶体分配至具有360～490nm发射峰值波长的第一半导体芯片和/或700‑800nm发射峰值波长的第二半导体芯片上，和/或获取分配至第一半导体芯片和/或第二半导体芯片上的对应胶点的面积和/或尺寸；用于测量由多个分配有荧光胶体的第一半导体芯片和/或第二半导体芯片所发射光的发光特性的检测模块，控制模块，用于根据检测模块测量的发光特性来计算关于至少一个所述第一半导体芯片和/或第二半导体芯片发光特性的示意值，并基于示意值调整分配模块对荧光胶体的分配量，和/或基于分配模块所获取的胶点面积和/或尺寸来调整分配模块对荧光胶体的分配量以及控制分配模块的移动从而调节点胶间隙。
一种用于光源制备装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911367935.2在审
发明人：平田竜也;坂田勇男;清水建树 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。
半导体装置及其制造方法