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[发明专利]半导体装置-CN201880074284.5在审
发明人：松田时宜;杉本雅裕;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180023374.3在审
发明人：场色正昭 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，该半导体装置能够实现电容元件，该电容元件的电容值的偏置依赖性小，并且在不降低工作电压的情况下该电容元件具有大电容密度。该半导体装置包括：半导体基板；第一电容元件，堆叠在半导体基板上；以及第二电容元件，堆叠在第一电容元件的与半导体基板侧相反的一侧，并且具有与第一电容元件的电容值的偏置特性相反的特性。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201180025311.8有效
发明人：远藤佑太;佐佐木俊成;野田耕生;佐藤瑞穗 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法-CN200410032392.6无效
发明人：濑上雅博 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种制造具有多片芯片安装于其上的半导体集成电路装置的方法，半导体集成电路装置制成组件。该制造方法包括安装包含设有特性调整装置7的芯片101和未设特性调整装置7的芯片在内的多片芯片的过程、把这些芯片制成组件以形成半导体集成电路装置1的过程、以及随后用于通过使用特性调整装置7调整具有特性调整装置7的芯片101的特性和不具有特性调整装置7的芯片102的特性的过程。按照本发明的一种制造半导体集成电路装置的方法可以使模拟特性达到产品技术规范的高精度，并且能减少检验过程所需的时间。
半导体集成电路装置及其制造方法

[发明专利]固态的气体检测传感器的诊断-CN201580000169.X有效
发明人：亨里克·科兹洛;鲁西安·安东尼·奥利西赞克 -专利权人：罗斯蒙特分析公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于金属氧化物半导体的有毒气体探测器(10)。基于金属氧化物半导体的探测器包括基于金属氧化物半导体的气体传感器(30)，该基于金属氧化物半导体的气体传感器具有随着有毒气体的浓度变化的电特性。测量电路(28)连接到基于金属氧化物半导体的气体传感器(30)，并且被配置为测量所述电特性并且提供所测量的电特性的数字指示。控制器(22)还被配置为基于在一段时间上所测量的电特性的波动提供关于基于金属氧化物半导体的传感器(30)的诊断输出。
固态气体检测传感器诊断

[发明专利]一种纳米探针及纳米探针测试仪-CN201611026075.2在审
发明人：张佐兵;张顺勇;谢振;靳磊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米探针及纳米探针测试仪，包括针臂，所述针臂的一端用于连接测试仪，另一端设置有用于同时与待失效分析半导体器件同一极性两个以上钨栓接触的触头。在待失效分析半导体器件电学特性测试中，此纳米探针可同时接触待失效分析半导体器件同一极性多个钨栓，用多个钨栓共同对应的电学特性表征待失效分析半导体器件的实际电学特性，能够有效避免个别纳米探针触头与钨栓接触不良，或个别钨栓下没有硅化物等因素导致的测试误差，从而更精准的反映待失效分析半导体器件的实际电学特性。
一种纳米探针测试仪

[发明专利]一种含半导体物理模型的微波电路特性分析方法-CN201610169924.3有效
发明人：陈如山;朱琦;丁大志;樊振宏;陈士涛 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种含半导体物理模型的微波电路特性分析方法。该方法主要利用时域体面积分方法的场路耦合算法分析含半导体物理模型的微波电路结构。而其中的半导体的物理特性是通过时域谱元方法进行数值求解。因为半导体的内部物理变化过程是通过漂移扩散方程描述的，所以半导体的物理特性是非线性的，微波电路的电特性计算过程需要采用离散的牛顿迭代方法，同时采用改进的严格同步的耦合求解过程，提高了算法的稳定性和高效性
一种半导体物理模型微波电路特性分析方法

[发明专利]具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法-CN201110090889.3无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及设置于所述上电极和下电极之间的存储介质层。本发明当具有忆阻器特性的半导体器件在高阻态和低阻态之间发生相互转变时，通过控制转变电压的大小可以得到不同的高阻态或低阻态电阻值，从而实现在每个存储单元中存储多位数据的多值存储，提高了具有忆阻器特性的半导体器件的存储容量，进而降低了具有忆阻器特性的半导体器件的制作成本。
具有忆阻器特性半导体器件及其实现多级存储方法

[发明专利]半导体存储系统-CN201310412411.7在审
发明人：全炳得 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种半导体存储系统包括：半导体存储器，所述半导体存储器被配置成：将多个刷新特性信息提供给外部电路，以及响应于多个自动刷新命令来执行自动刷新操作；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：将根据多个刷新特性信息而产生的多个自动刷新命令提供给半导体存储器
半导体存储系统

[发明专利]电能产生器-CN201210037452.8有效
发明人：金成珉;车承南 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种电能产生器，包括多个纳米线、半导体层和接触层。多个纳米线由具有压电特性的半导体材料形成。每个纳米线的一端设置在半导体层上并与半导体层形成p-n结。每个纳米线的另一端接触由具有金属-绝缘体转变(MIT)特性的材料形成的该接触层。
电能产生器

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN200810213176.X有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供一种可以实现大面积化的半导体装置的制造方法；提供一种效率高的半导体装置的制造方法；在使用含有杂质元素的大面积衬底的情况下，提供一种可靠性高的半导体装置。为了实现半导体装置的大面积化以及制造效率的提高，通过同时处理多个半导体衬底来制造SOI衬底。具体地说，是使用可以同时处理多个半导体衬底的浅盘来进行一系列的工序。在此，在浅盘上设置有用来保持单晶半导体衬底的凹部。此外，通过设置对制造成的半导体元件特性产生影响的杂质元素起到阻挡层作用的绝缘层，以防止半导体元件特性的退化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN200410036680.9无效
发明人：東川誠 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种利用高频等离子体CVD法形成半导体器件的方法，所述半导体器件在衬底上具有由硅系列薄膜构成的多个pin结，其特征在于，按下述顺序进行如下工序：形成第一半导体层的工序；用包含0.01～0.5重量％的水分的部件接触覆盖上述第一半导体层的表面的工序；除掉上述部件的工序；在上述第一半导体层上形成第二半导体层的工序。根据本发明，能够高效率地形成具有层叠了许多硅系列薄膜的结构的半导体器件，能够形成批间特性的偏差少、具有更优良的均匀性和特性的半导体器件，另外，能够提供一种紧密性和耐环境性优良的半导体器件。
半导体器件形成方法

[发明专利]具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法-CN201280073054.X在审
发明人：安熙均;元俊镐 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：更加特别地，本发明涉及具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片通过使用适于在每个半导体基板上形成的传感器特性的基板材料而被制造，以及将半导体芯片堆叠而形成图像传感器根据具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法，由于用于第一半导体芯片中所使用的第一半导体基板的材料与用于第二半导体芯片中所使用的第二半导体基板的材料彼此不同，因而使得每个半导体芯片上形成的传感器的特性可被恰当地展现
具有异质结结构芯片堆栈图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体光敏管动态特性测试方法-CN93104704.8无效
发明人：安毓英;胡波;李晓春 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 1993-04-26 - 公布日： 1995-12-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属电子技术领域，特别是涉及半导体光敏管的动态伏安特性、光电特性的测试方法。本发明利用发光二极管产生线性扫描光强与均匀递增阶梯光强，通过解决光功率信号的动态扫描控制及定标技术，从而实现半导体光敏管动态特性的快速、直观的定量测试，可以给出光敏管完整的伏安特性及光电特性曲线，所给的曲线可以反映出采用静态测试方法而不能发现的半导体光敏管的一些交流特性参数
半导体光敏动态特性测试方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN201110352602.X有效
发明人：多木俊裕;远藤浩 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中根据本发明的半导体装置可获得常关特性，并且可提高半导体装置的产量并且实现稳定操作特性。
半导体装置以及制造方法