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[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710009742.4有效
发明人：内山博幸;藤崎寿美子;森塚翼 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680088616.6有效
发明人：加地考男;吉浦康博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于简便地进行电气特性试验，该电气特性试验是为了相对于电极的图案缺陷或者缺损而保证半导体装置的品质。本发明涉及的半导体装置的制造方法，针对具有半导体衬底(1)、在半导体衬底(1)的第1主面(1a)侧形成的第1半导体层(2)、在第1半导体层(2)之上与其接触地形成的第1电极膜(5)的半导体装置，从第1电极膜(5)之上，进行与第1电极膜(5)的材料相比针对第1半导体层(2)的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将第1半导体层(2)的位于第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)之下的区域至少部分地去除
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210684155.6在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。外延区可形成于半导体晶圆上的特定位置中并具有特定的不对称特性，诸如斜率或倾斜的方向、斜率或倾斜的角度、及/或其他的不对称特性。特定的不对称特性可增加位于半导体晶圆上的特定位置中(例如，半导体基板上优选的特定位置)的金属着陆覆盖面积，以减少外延区与形成至外延区的相关导电结构之间的接触电阻。这能增加半导体装置的性能、减少缺陷形成的速率及/或可能性、及/或增加半导体装置的良率等其他示例。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种有机电子器件-CN201210129781.5有效
发明人：刘云圻;张磊;吴倜;赵岩;孙向南;温雨耕;郭云龙;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；所述有机存储层由有机共轭分子组成；所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物本发明通过引入具备电荷存储特性的有机存储层，与具备场效应半导体特性和光电导特性的有机半导体层组成多层结构，在写入电压的影响下，将光生载流子吸收到有机存储层中保留起来；存储的光生载流子在有机半导体层诱导出同等密度电荷，这样通过测量有机半导体的电导性，无损的读出光信号强弱。
一种有机电子器件

[发明专利]功率转换装置及功率半导体元件控制方法-CN201711033874.7有效
发明人：三间彬;森和久;松元大辅;上妻央 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明解决因功率转换装置所具备的并联连接的功率半导体元件的偏差而引起的问题。本发明的功率转换装置包括：判别功率半导体元件的栅极信号的导通状态持续的时间的判别部；存储各个功率半导体元件的功率转换元件特性的存储部；以及进行各个功率半导体元件的开关速度的均等化控制与导通电流的均等化控制的控制部控制部基于存储于存储部的功率转换元件特性进行各个功率半导体元件的开关速度的均等化控制，并且在判别部判别为导通状态持续规定时间以上的情况下，基于存储于存储部的功率转换元件特性，进行各个功率半导体元件的导通电流的均等化控制
功率转换装置半导体元件控制方法

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200910006486.9无效
发明人：涂丽淑 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该相变化存储装置包括：半导体基底具有第一导电半导体层设置于其上，该第一导电半导体层具有第一导电特性；第一介电层，设置该半导体基底上；第二导电半导体层，设置于该第一介电层内，具有与该第一导电特性相异的第二导电特性；加热电极，设置于该第一介电层内并堆叠于该第二导电半导体层之上，该加热电极包括金属硅化物且具有拔锥状剖面；第二介电层，设置该第一介电层上；相变化材料层，位于该第二介电层内；以及电极设置于该第二介电层之上
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]主链中含有喹喔啉环的用于有机薄膜晶体管的有机半导体聚合物-CN200410098365.9无效
发明人：李芳璘;郑银贞;姜仁男;韩国珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C08G75/00 文献下载
摘要：本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。
主链中含有喹喔啉环用于有机薄膜晶体管有机半导体聚合物

[发明专利]TFT器件及其制备方法-CN202110144103.5有效
发明人：翟玉浩 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT器件及其制备方法，该TFT器件制备方法先采用在半导体层上分散设置阻挡颗粒，相邻阻挡颗粒间具有间隙，然后对半导体层进行等离子体处理，半导体层对应间隙的区域被导体化，半导体层对应阻挡颗粒的区域保留半导体特性，构成具有分散导体区的半导体层，其次去除阻挡颗粒，对半导体层进行图案化处理以形成所需要的有源层图案，由于有源层图案具有分散导体区的半导体层的结构，从而提高有源层的开态电流和电子迁移率，提高TFT器件充电和切换的频率，可满足大尺寸显示面板充电和刷新的频率的要求，另外局部导体区形成的过程中无需光刻技术，成本较低，同时避免了整个沟道区成为导体而失去开关特性的现象发生。
tft 器件及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其特性的评价方法-CN200710149962.3无效
发明人：安井孝俊;柁谷敦宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能使得到的特性偏差更接近半导体装置整体的特性偏差的评价部的半导体装置及其特性评价方法。如果一个评价部的有效栅宽度超过某一值，就接近半导体装置整体的特性偏差，因此使用这样的评价部能够提高半导体装置特性评价的精度。
半导体装置及其特性评价方法

[发明专利]半导体装置及其特性的评价方法-CN200410036986.4无效
发明人：安井孝俊;柁谷敦宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能使得到的特性偏差更接近半导体装置整体的特性偏差的评价部的半导体装置及其特性评价方法。如果一个评价部的有效栅宽度超过某一值，就接近半导体装置整体的特性偏差，因此使用这样的评价部能够提高半导体装置特性评价的精度。
半导体装置及其特性评价方法

[发明专利]一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法-CN201310483402.7有效
发明人：李斌成;王谦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法，基于半导体材料对强度周期性调制的聚焦激励光束吸收后产生的红外辐射，通过收集和测量光载流子辐射信号测量半导体材料特性参数；通过改变聚焦透镜和样品之间的间距，得到不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过分析不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线，得到测量装置的频率响应函数并消除其对半导体材料特性测量的影响本发明弥补了传统方法测量误差较大对测量精度的影响，提高了半导体材料特性参数的测量精度。
一种消除载流子辐射技术半导体材料特性测量装置系统频率响应影响方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201310040124.8有效
发明人：砂村润;井上尚也;金子贵昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种容易地可制造的半导体器件，其包括具有彼此不同的特性的两个晶体管。该半导体器件包括：衬底；多层布线层，该多层布线层被设置在衬底上；第一晶体管，该第一晶体管被设置在多层布线层中；以及第二晶体管，该第二晶体管被设置在多层布线层的与包括被设置在其中的第一晶体管的层不同的层中，并且具有与第一晶体管的特性不同的特性。这能够提供容易制造的半导体器件，其包括具有彼此不同特性的两个晶体管。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法-CN201910308935.9有效
发明人：江斌;渠开放;吉娜;李桂华;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
一种单层二硫化钼结构半导体器件仿真方法

[发明专利]结晶性层叠结构体以及半导体装置-CN201510233704.8有效
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体
结晶层叠结构以及半导体装置

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