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[发明专利]具有IV族半导体作为底部结的多结光电子器件-CN201780008978.4在审
发明人：布兰登·M·卡耶斯;何甘 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法包括在衬底(212)上提供第一p‑n结构(208)，其中第一p‑n结构包括具有第一带隙的第一半导体的第一基极层，使得第一半导体的晶格常数与衬底的晶格常数匹配，并且其中第一半导体包括III‑V族半导体该方法包括提供第二p‑n结构(206)，其中第二p‑n结构包括具有第二带隙的第二半导体的第二基极层，其中第二半导体的晶格常数与第一半导体的晶格常数匹配，并且其中第二半导体包括IV族半导体。
半导体晶格常数多结光电子器件基极层衬底带隙匹配衬底剥离柔性器件光电器多结子件制造

[发明专利]制造半导体结构或使用具有选择或受控晶格参数的半导体材料层的器件的方法-CN200980128003.0有效
发明人： C·阿雷纳 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种制造半导体器件或结构的方法，包括在一温度下将半导体材料层键合到另一材料，以及随后改变半导体材料层的温度。另一材料可以被选择为具有如下的热膨胀系数，即在半导体材料层的温度改变时，受控的和/或选择的晶格参数被赋予或保持在半导体材料层中。在一些实施例中，半导体材料层可以包括III-V型半导体材料，例如铟镓氮。工程衬底包括半导体材料层，该半导体材料层在室温下具有的平均晶格参数接近之前在高温下得到的半导体材料层的平均晶格参数。
制造半导体结构使用具有选择受控晶格参数半导体材料器件方法

[发明专利]一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺-CN200810093812.X无效
发明人：简永杰;杨茹媛;张育绮 -专利权人：东捷科技股份有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一衬底；一透明导电膜；一非晶硅P型半导体层；一超晶格半导体层；一本征型(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，该超晶格半导体层利用不同材料的薄膜相互堆叠而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池的光电转换效率。
一种具有晶格薄膜太阳能电池结构及其工艺

[发明专利]通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强-CN201510756141.0在审
发明人： R·米恩德鲁;C·E·韦伯;A·阿苏托什;J·黄 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/3215 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括鳍和金属栅极膜。鳍形成在半导体材料的表面上。金属栅极膜形成在鳍上并且包括在该金属栅极膜中注入的离子以形成该金属栅极内的压缩应力。在一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括(100)晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<100>方向。在另一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括(100)晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<110>方向。鳍包括由金属栅极膜内的压缩应力生成的非平面压缩。
通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力 mosfet 实现驱动电流增强

[发明专利]半导体元件-CN201911373209.1在审
发明人：陈孟扬;李荣仁 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含多种元素，且各多种元素中原子半径最大者的原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体化合物具有第二晶格常数，且第一添加物具有第二原子半径。第二晶格常数大于第一晶格常数，且第二原子半径大于第一原子半径。
半导体元件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110156301.3在审
发明人：李培玮;蔡邦彦;赵皇麟;洪宗佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置具有超晶格结构及位于具有埋入式隔离结构的基底上。上述方法包括形成一蚀刻停止层于一基底上；形成一超晶格结构于蚀刻停止层上；沉积一隔离层于超晶格结构上；沉积一半导体层于隔离层上；形成一双层隔离结构于半导体层上、去除基底及蚀刻停止层；蚀刻超晶格结构、隔离层、半导体层及双层隔离结构以形成一鳍部结构；以及形成一全绕式栅极结构于鳍部结构上。
半导体装置制造方法

[发明专利]应变沟道晶体管及其制造方法-CN200610099507.2无效
发明人：丁明镇 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明的应变沟道晶体管包括：半导体基片；半导体层，具有大于所述半导体基片的晶格常数的晶格常数，并且形成在所述半导体基片上；应变沟道层，形成在所述半导体层上；以及一对外延层，形成在所述应变沟道层的两侧上以改变所述应变沟道层的晶格结构由于沟槽区形成在所述应变沟道层中并且所述外延层形成在所述沟槽区中，所述应变沟道层的晶格距离通过来自所述外延层的应力而变宽，并最终提高通过沟道的电荷的迁移率。
应变沟道晶体管及其制造方法

[发明专利]包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法-CN201780059913.2有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。
包含具有晶格电子平均自由程控制共振二极管结构半导体器件相关方法

[发明专利]发光二极管元件-CN202180094583.7在审
发明人：三嶋飞鸟;饭田大辅 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明的发光二极管元件(1)具备：半导体基板(10)，其具有第1面(10a)、和第1面(10a)的相反侧的第2面(10b)；半导体层叠部(20)，其形成于半导体基板(10)的第1面(10a)上；第1电极(51)，其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)侧的一部分连接；以及第2电极(52)，其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)的相反侧的一部分连接，半导体层叠部(20)包括：n型半导体层(20A)；活性层(25)，其具有p型的导电型，层叠于n型半导体层(20A)；以及p型半导体层(20B)，其在与n型半导体层(20A)的相反侧，层叠于活性层(25)，活性层具有包含AlInAs的势垒层和包括InAsSb的阱层交替地层叠而构成的多量子阱结构，势垒层的晶格常数小于n型半导体层(20A)的晶格常数，阱层的晶格常数大于n型半导体层(20A)的晶格常数。
发光二极管元件

[发明专利]太阳能电池叠堆-CN201510763317.5有效
发明人： D·富尔曼;W·古特 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：太阳能电池叠堆具有第一半导体太阳能电池，其中，第一半导体太阳能电池具有由具有第一晶格常数的第一材料构成的pn结，并且该太阳能电池叠堆具有第二半导体太阳能电池，其中，第二半导体太阳能电池具有由具有第二晶格常数的第二材料构成的pn结，并且所述第一晶格常数比所述第二晶格常数小至少并且太阳能电池叠堆具有变质缓冲部，其中，变质缓冲部构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且变质缓冲部包括三个层的序列并且晶格常数在该序列中沿第二半导体太阳能电池的方向增加，并且变质缓冲部的层的晶格常数大于第一晶格常数，其中
太阳能电池

[发明专利]半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途-CN201911139127.0有效
发明人：王哲明;范亚明;陈扶;黄宏娟;赵佳豪;云小凡;张晓东;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应
半导体制冷结构及其 smar 校正领域用途

[实用新型]一种发光二极管芯片-CN201320879857.6有效
发明人：谢春林 -专利权人：惠州比亚迪实业有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管芯片，包括：衬底、在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层，及依次形成在发光层之上的电子阻挡层和和P型半导体层，在所述N型半导体层上形成N电极区；超晶格反射层，包括形成在P型半导体层上的P电极超晶格反射层和形成在N电极区内、N型半导体层上的N电极超晶格反射层；导电层，所述导电层覆盖在P型半导体层和P电极超晶格反射层上；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层上，并且位于P电极超晶格反射层上方，所述N电极形成在N电极超晶格反射层上。
一种发光二极管芯片

[发明专利]半导体衬底管芯锯切切单系统和方法-CN201910341335.2在审
发明人： M·J·塞登 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体衬底管芯锯切切单系统和方法。切割半导体衬底的方法的实施方式可包括：使锯片与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直地对准，并且以与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿过所述半导体衬底。
半导体衬底衬底管芯立方晶格单系统晶面角度切割垂直的垂直地锯片切割对准穿过申请

[发明专利]用于制备包括在凹陷蚀刻内的超晶格的半导体装置的方法-CN202180024994.9在审
发明人： N·W·科迪;K·D·威克斯;R·J·斯蒂芬森;R·伯顿;陈仪安;D·筹托夫;武内英树;Y-H·杨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种制备半导体装置的方法可以包括：在半导体衬底中，形成与有源区相邻的隔离区；以及选择性蚀刻所述有源区，使得所述有源区的上表面在所述隔离区的相邻表面之下并与其限定台阶边缘。所述方法还可以包括形成覆盖在所述有源区上的超晶格。所述超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层以及约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
用于制备包括凹陷蚀刻晶格半导体装置方法

[发明专利]具有超晶格结构有源层的发光器件-CN201010219112.8有效
发明人：苏喜林;谢春林;胡红坡;张旺 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有超晶格结构有源层的发光器件。该具有超晶格结构有源层的发光器件，包括基体和形成于所述基体上的多层Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体结构，所述半导体结构包括依次形成于所述基体上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层包括超晶格量子阱层，所述超晶格量子阱层包括势垒层和超晶格势阱层。超晶格结构可以降低有源层的晶体缺陷密度和有源层由于晶格不匹配而产生的压电极化效应，提高有源层的晶体质量和发光效率，也提高了发光器件的稳定性和可靠性。
具有晶格结构有源发光器件