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[发明专利]包括超晶格耗尽层堆叠的半导体装置和相关方法-CN201480071521.4有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内秀木;E·特洛特曼 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：衬底上交替的超晶格层和体半导体层的堆叠，每个超晶格层包括多个堆叠的层组，所述超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层所述半导体装置可以进一步包括在所述交替的超晶格层和体半导体层的堆叠的上部体半导体层中的间隔开的源极区和漏极区，以及在间隔开的源极区和漏极区之间，在所述上部体半导体层上的栅极，和延伸穿过体层和超晶格层并进入衬底的
包括晶格耗尽堆叠半导体装置相关方法

[发明专利]半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法-CN200980107412.2无效
发明人：竹中充;高木信一;秦雅彦;市川磨 -专利权人：国立大学法人东京大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。
半导体装置制造方法

[发明专利]随机噪声源及其制作方法-CN201210030705.9无效
发明人：黄寓洋;张耀辉;李文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H03B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种随机噪声源及其制作方法，该随机噪声源包括固定在微波印刷电路板上并与之电连接的二端半导体超晶格器件。该二端半导体超晶格器件包括：半绝缘半导体衬底，依序外延生长在半绝缘半导体衬底上的第一半导体接触层、半导体超晶格层结构及第二半导体接触层，以及第一及第二接触电极。第一半导体接触层、半导体超晶格层结构和第二半导体接触层的材料为Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，并且第一半导体接触层、半导体超晶格层结构中的势阱层和第二半导体接触层分别掺杂有n型杂质。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，可实现真随机性、高质量及高带宽的随机噪声源，实现带宽GHz以上的平坦宽带混沌信号的输出。
随机噪声及其制作方法

[发明专利]包括超晶格与不同的非半导体材料单层的半导体器件和相关方法-CN202180022254.1在审
发明人： K·D·威克斯;N·W·科迪 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：半导体器件可包括半导体衬底(121)和在所述半导体衬底上并包括多个堆叠的层组的超晶格(125)。所述超晶格的每个层组可包括限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层(146a‑146e)，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层(150a‑150f)。第一至少一个非半导体单层(150a‑150c)可被约束在第一对相邻的基础半导体部分的晶格内并包含第一非半导体材料，和第二至少一个非半导体单层(150d‑150e)可被约束在第二对相邻的基础半导体部分的晶格内并包含不同于所述第一非半导体材料的第二非半导体材料
包括晶格不同半导体材料单层半导体器件相关方法

[发明专利]制备包括在其中扩散有氮的超晶格的半导体器件的方法-CN201980079023.7在审
发明人： K·D·威克斯;N·W·科迪;M·海塔;R·J·梅尔斯;R·J·斯蒂芬森;L·N·胡特尔三世 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法可包括形成超晶格层和相邻的半导体层。该超晶格层可包括多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。该方法还可包括将氮扩散至该超晶格层中。
制备包括其中扩散晶格半导体器件方法

[发明专利]半导体结构-CN202180043051.0在审
发明人：彼得·卡林顿;伊万杰利亚·德利 -专利权人：兰卡斯特大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、一个或多个第一III族半导体层、和在基板和所述一个或多个第一层之间的多个超晶格结构。多个超晶格结构包括初始超晶格结构和在初始超晶格结构和所述一个或多个第一层之间的一个或多个另外的超晶格结构。多个超晶格结构被配置为使得一个或多个另外的超晶格结构的每个超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积大于或等于在那个超晶格结构和基板之间的所述多个超晶格结构的一个或多个超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积多个超晶格结构还被配置为使得一个或多个另外的超晶格结构中的至少一个超晶格结构的半导体层对的应变‑厚度乘积大于初始超晶格结构中的半导体层对的应变‑厚度乘积。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN201410347680.4有效
发明人：小谷淳二;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。根据本公开的半导体装置包括在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。
半导体装置

[发明专利]包括与超晶格STI界面相邻的非单晶纵梁的半导体器件和方法-CN201880060161.6在审
发明人： R·J·史蒂芬森;S·A·柯瑞普斯;R·J·梅尔斯;K·V·拉奥 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件可以包括半导体基板以及其中的第一和第二间隔开的浅沟槽隔离(STI)区域，以及在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸的超晶格。超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括第一半导体纵梁和在超晶格上方的栅极，该第一半导体纵梁在超晶格的第一端与第一STI区域之间的界面处包括非单晶主体。
包括晶格 sti 界面相邻非单晶纵梁半导体器件方法

[发明专利]包括具有氧和碳单层的超晶格的半导体器件及相关方法-CN202180046995.3在审
发明人： K·D·威克斯;N·W·科迪;M·海塔;R·J·米尔斯;R·J·斯蒂芬森;武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件(120)可以包括半导体层(121)和与半导体层相邻的超晶格(125)。超晶格可以包括堆叠的层组(145a，145b)，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层(146a，146b)，以及限制在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层(150a，150b超晶格的第一层组中的至少一个非半导体单层(150a)可以包含氧并且不含碳，并且超晶格的第二层组中的至少一个非半导体单层(150b)可以包含碳。
包括有氧单层晶格半导体器件相关方法

[发明专利]制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层-CN202010402533.8在审
发明人：杨孝东;张静;王学毅;杜明锋;李果 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层，所述方法包括：提供半导体衬底；形成多层超晶格层，所述多层超晶格层覆盖所述半导体衬底；其中，每层超晶格层包含单层超晶格SixGe1‑x材料层以及单层超晶格Ge材料层，其中，所述多层超晶格中的超晶格SixGe1‑x材料层以及超晶格Ge材料层交替形成；0＜x≤0.2。本发明可以降低了锗硅半导体材料层中的位错密度。
制备半导体材料方法

[发明专利]具有含隔开的超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法-CN202080058848.3在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的第一超晶格层、在第一超晶格层上且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第二超晶格层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。第一超晶格和第二超晶格可以各自包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
具有隔开晶格突变区域变容二极管相关方法

[发明专利]UV发光装置-CN201680020506.6有效
发明人：韩昌锡;郭雨澈;崔孝植;黄晶焕;张彰槿 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：所述UV发光装置包括：第一导电型半导体层；防裂层，设置在第一导电型半导体层上；活性层，设置在防裂层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，防裂层包括设置在第一导电型半导体层与防裂层之间的界面处的第一晶格点和第二晶格点，第一晶格点连接到第一导电型半导体层的晶格，第二晶格点不连接到第一导电型半导体层的晶格。
uv 发光装置

[发明专利]具有提供晕圈注入峰值限制的超晶格层的半导体装置和相关方法-CN201680036083.7有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置可以包括半导体衬底和在半导体衬底上的多个场效应晶体管(FET)。每个FET可以包括：栅极；在栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区；垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在源极区和漏极区之间的上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层；以及晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度
具有提供注入峰值限制晶格半导体装置相关方法

[发明专利]具有通过对超晶格退火形成的包埋绝缘层的半导体器件的制造方法-CN201880062180.2在审
发明人： R·J·米尔斯;R·J·史蒂芬森;K·D·维克斯;N·W·科迪;M·赫塔 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，可包括在半导体衬底上形成超晶格，所述超晶格包括各自的多个堆叠的层组。每个层组可包括多个堆叠的基础半导体单层，其限定出基础半导体部分，以及约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。另外，来自相对的基础半导体部分的至少一些半导体原子可通过其间的至少一个非半导体单层化学健合在一起。该方法可以进一步包括在超晶格上外延形成半导体层，和对所述超晶格退火以便形成包埋绝缘层，在所述包埋绝缘层中至少一些半导体原子不再通过其间的至少一个非半导体单层化学键合在一起。
具有通过晶格退火形成包埋绝缘半导体器件制造方法

[发明专利]包括作为吸收层的超晶格的半导体装置和方法-CN201880042877.3有效
发明人：武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：半导体装置可以包括：半导体衬底(102)，具有正面和与正面相对的背面；以及在半导体衬底的正面上的超晶格吸收层(104)。所述超晶格吸收层可以包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。装置可以进一步包括：在与所述半导体衬底(102)相对的所述超晶格吸收层(104)上的有源半导体层(106)；在所述有源半导体层中的至少一个半导体电路(108)；在有源层上的至少一个金属互连层(113、114)，以及从所述至少一个金属互连层延伸到所述半导体衬底的背面的至少一个金属通孔(112)。所述超晶格吸收层还可以包含吸收的金属离子。
包括作为吸收晶格半导体装置方法