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[发明专利]用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法-CN201410692918.7在审
发明人：江国诚;王志豪;吴志强;卡洛斯·H.·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该器件包括：第一半导体材料的衬底；具有堆叠在衬底上的第一部分、第二部分和第三部分的鳍部件；形成在衬底上并且设置在鳍部件的两侧上的隔离部件；包括所述第二半导体材料、设置在第二部分的凹进的侧壁上、限定位于半导体氧化物部件上面并且位于第三部分下面的凹陷的空隙的半导体氧化物部件；以及设置在鳍部件和隔离部件上的栅极堆叠件。第一和第三部分包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。第二部分包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数不同于第一晶格常数。本发明涉及用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法。
用于具有掩埋 sige 氧化物 finfet 器件结构方法

[发明专利]紫外线发光元件-CN201911375106.9在审
发明人：韩昌锡;郭雨澈;崔孝植;黄晶焕;张彰槿 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：所述紫外线发光元件，包括：第一导电型半导体层；防裂层，位于所述第一导电型半导体层上；活性层，位于所述防裂层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；第一电极，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；其中，所述第一导电型半导体层和所述防裂层的界面的上部的晶格密度大于所述第一导电型半导体层和所述防裂层的所述界面的下部的晶格密度。
紫外线发光元件

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110089181.X在审
发明人：张筱君;沈冠傑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露叙述一种半导体结构的形成方法。半导体结构可包含一个基材、一个位于基材上的鳍状结构、一个位于鳍状结构的第一部位上的栅极结构以及一个形成于鳍状结构的第二部位中的磊晶区域。磊晶区域可包含一个第一半导体层以及形成于第一半导体层上的一个n型第二半导体层。第一半导体层的晶格常数可大于第二半导体层的晶格常数。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201710350908.9有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201480006555.5有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]LED前体-CN202180022870.7在审
发明人： A·皮诺斯;W·S·谭;金峻渊;于翔;S·阿什顿;S·梅佐阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该单片生长堆叠包括包含III族氮化物的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。第二半导体层包括含有施主掺杂剂的第一III族氮化物，使得第二半导体层具有至少5×1018cm‑3的施主密度。第二半导体层具有至少15％的面积孔隙率和第一面内晶格常数。第三半导体层包括不同于第一III族氮化物的第二III族氮化物。单片生长堆叠包括包含第三半导体层的平台结构，使得生长表面包括第三半导体层的平台表面和围绕平台表面的第三半导体层的侧壁表面。第三半导体层的侧壁表面相对于平台表面倾斜。第三半导体层的平台表面具有大于第一面内晶格常数的第二面内晶格常数。
led

[发明专利]应变沟道半导体结构及其制造方法-CN200410070875.5有效
发明人：林俊杰;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是关于一种应变沟道半导体结构及其制造方法，其结构包括：一基底，由具有第一自然晶格常数的一第一半导体材料所构成；一沟道区，设置于基底内；一堆栈栅极，设置于沟道区上，其包含有依序堆栈于沟道区上的一栅极介电层及一栅电极；以及一对源/漏极区，对称地设置于邻近于沟道区的基底中，其中各源/漏极区包括包含具有相异于第一自然晶格常数的第二自然晶格常数的第二半导体材料及具有相对于堆栈栅极的一内部侧及一外部侧的一晶格不相称区，而至少一外部侧横向地接触构成基底的第一半导体材料
应变沟道半导体结构及其制造方法

[实用新型]应变沟道半导体结构-CN200420084432.7无效
发明人：林俊杰;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种应变沟道半导体结构，包括：一基底，由具有第一自然晶格常数的一第一半导体材料所构成；一沟道区，设置于基底内；一堆栈栅极，设置于沟道区上，其包含有依序堆栈于沟道区上的一栅极介电层及一栅电极；以及一对源/漏极区，对称地设置于邻近于沟道区的基底中，其中各源/漏极区包括包含具有相异于第一自然晶格常数的第二自然晶格常数的第二半导体材料及具有相对于堆栈栅极的一内部侧及一外部侧的一晶格不相称区，而至少一外部侧横向地接触构成基底的第一半导体材料
应变沟道半导体结构

[发明专利]太阳能电池组-CN201510243852.8有效
发明人： W·古特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种太阳能电池组，其具有第一半导体太阳能电池，其中所述第一半导体太阳能电池具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数，并且具有第二半导体太阳能电池，其中所述第二半导体电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数，并且所述太阳能电池组具有变质缓冲器，其中所述变质缓冲器包括第一下层和第二中层以及第三上层的序列，并且所述变质缓冲器包括InGaAs化合物或者AlInGaAs化合物或者InGaP化合物或者AlInGaP化合物，并且所述变质缓冲器构造在所述第一半导体太阳能电池和所述第二半导体太阳能电池之间，并且在所述变质缓冲器中晶格常数沿着所述变质缓冲器的厚度延伸变化，并且其中所述第二层具有比所述第一层和所述第三层更高的Al含量和/或所述第二层具有砷化物而所述第一层和所述第三层具有磷化物，并且所述第三层的晶格常数大于所述第二层的晶格常数而所述第二层的晶格常数大于所述第一层的晶格常数
太阳能电池组

[发明专利]制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法-CN200510055793.8无效
发明人：里泰雄;日野智公;成井启修 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造化合物半导体以及制造半导体器件的方法，该半导体包括衬底和相对于该衬底的晶格失配比为2％或更多的化合物半导体层，该制造半导体的方法包括：在所述衬底上形成缓冲层的第一外延生长步骤，该缓冲层在厚度方向上具有预定分布的晶格失配比来减小应变；和在缓冲层上形成化合物半导体层的第二外延生长步骤。
制造化合物半导体方法半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010626680.3在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一具有一第一晶格常数的基底、一第一字元线设置于该基底和多个应力区域相邻设置于该第一字元线的侧壁的下部部分。所述多个应力区域具有一第二晶格常数，且该第二晶格常数和该基底的第一晶格常数不同。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体异质结构-CN200710199698.4有效
发明人： C·奥尔奈特;C·菲盖 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体异质结构，其包括具有第一面内晶格常数的支撑衬底、在衬底上形成的顶部具有第二面内晶格常数且处于松弛状态的缓冲结构以及在缓冲结构上形成的非渐变层的多层堆叠。本发明的目的在于提供一种上述类型的具有较小表面粗糙度的半导体异质结构。一种上述类型的异质结构实现了这一目的，其中上述的非渐变层为应变层，该应变层包括至少一个半导体材料的处于松弛状态并具有第三面内晶格常数的应变平滑层，其中该第三面内晶格常数介于第一晶格常数与第二晶格常数之间
半导体结构

[发明专利]转移应变半导体材料层的方法-CN03816211.3有效
发明人： B·吉瑟伦;D·邦萨埃尔;T·斯科特尼茨基 -专利权人： S·O·I·TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供一种制造电子结构的方法，该电子结构包括来自施主晶片的薄层，该施主晶片包括晶格参数匹配层(2)，晶格参数匹配层(2)包括具有第一晶格参数的半导体材料的上层和具有第二、标称晶格参数并被匹配层(2)应变的半导体材料的膜(3)，第二标称晶格参数基本上不同于第一晶格参数，该工艺包括将膜(3)向接收衬底(4)的转移。
转移应变半导体材料方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410195598.4有效
发明人：张正训 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：一硅衬底；一初始缓冲层，布置在硅衬底上并包括氮化铝(AlN)，以及一器件层，布置在初始缓冲层上并包括一半导体化合物，其中，在初始缓冲层和硅衬底之间不存在SiN，并且硅衬底的硅晶格直接接触初始缓冲层的晶格
半导体器件及其制造方法

[发明专利]外延衬底及其制备方法、半导体晶圆-CN202080107580.8在审
发明人：赫然;丁瑶;刘静遐;焦慧芳 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供一种外延衬底及其制备方法、半导体晶圆及半导体器件的制备方法，能够解决外延材料因其与外延衬底之间晶格失配和/或热失配而产生缺陷的问题，并有利于降低半导体器件的成本。外延衬底的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底，其中，第二衬底的晶格常数与待生长的外延材料的晶格常数相匹配。在第二衬底的内部形成损伤层，使得第二衬底被损伤层分隔为基底和晶格匹配层。在第一衬底上形成剥离层，将第二衬底的晶格匹配层键合在剥离层的背离第一衬底的一侧；或，在晶格匹配层上形成剥离层，将第一衬底键合在剥离层的背离晶格匹配层的一侧。去除损伤层和基底，并抛光晶格匹配层的背离剥离层的表面。晶格匹配层的抛光表面用于生长外延材料。
外延衬底及其制备方法半导体