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- [发明专利]太阳能电池堆叠-CN201810642075.8有效
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L·埃贝尔;W·古特
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2018-06-21
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2021-12-10
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H01L31/0687
- 太阳能电池堆叠，其主要具有III‑V族半导体层，太阳能电池堆叠具有第一部分电池、第二部分电池和中间层序列，第一部分电池具有第一带隙和第一晶格常数，第二部分电池具有第二带隙和第二晶格常数，中间层序列布置在两个部分电池之间，中间层序列具有第一势垒层、隧道二极管和第二势垒层，这些层以所提及的顺序布置。隧道二极管具有退化的n+层和退化的p+层，n+层具有第三晶格常数，p+层具有第四晶格常数，第四晶格常数小于第三晶格常数，第一带隙小于第二带隙，p+层具有与n+层不同的材料成分。p+层包含至少5％的铟且包含碳作为掺杂剂，隧道二极管的这些层和中间层序列的其他层彼此不应力补偿。
- 太阳能电池堆叠
- [发明专利]可扩展的电压源-CN202111000142.4在审
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D·富尔曼;W·古特;V·科伦科
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-05-16
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2021-12-03
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H01L25/16
- 一种可扩展的电压源，具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层和n吸收层；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠；光在上侧处入射到堆叠，并且在堆叠上侧的照射面的尺寸基本上是所述堆叠在上侧处的面的尺寸；在300K的情况下，只要所述第一堆叠被具有特定波长的光子流照射，则第一堆叠具有大于3伏特的电源电压，在从所述堆叠的上侧向着堆叠下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
- 扩展电压
- [发明专利]光电耦合器-CN201780010690.0有效
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W·克斯特勒;D·富尔曼;W·古特;C·韦希特尔;C·佩珀
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2017-02-02
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2021-11-09
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H03K19/14
- 一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，所述发送单元与所述接收单元彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中。所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)。所述接收单元(EM)的能量源(VQ)具有两个部分源(VQ1、VQ2)，其中，该第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，该第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，其中，该第一半导体二极管(D1)具有匹配于第一光波长(L1)的吸收边，该第二半导体二极管(D2)具有匹配于第二光波长(L2)的吸收边，使得该第一部分源(VQ1)在借助第一光波长(L1)照射时产生能量，该第二部分源(VQ2)在借助第二光波长(L2)照射时产生能量。两个部分源(VQ1，VQ2)构成共同的堆叠，并且相继布置的半导体二极管(D1、D2)通过隧道二极管串联连接。
- 光电耦合器
- [发明专利]光学接收器模块-CN201680060939.4有效
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W·古特;D·富尔曼;C·佩珀
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-10-04
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2020-12-08
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H01L31/0687
- 一种光学接收器模块，其中，所述光学接收器模块具有：具有第一吸收边的第一类型的部分电压源以及具有第二吸收边的第二类型的部分电压源，第一吸收边与第二吸收边相比处于更高的能量，只要具有确定的波长的光子流照射到部分电压源上，则这些部分电压电源中的每个就产生一个部分电压，两个部分电压源串联连接，其中，对于第一类型，设置有第一数量N1的彼此串联连接的次级部分电压源，对于第二类型，设置有第二数量N2的彼此串联连接的次级部分电压源，在两种类型情况下，次级部分电压源的源电压彼此的相应偏差小于20％，在各两个彼此相继的次级部分电压源之间构造有隧道二极管，其中，次级部分电压源与每种类型的隧道二极管单片地集成。
- 光学接收器模块
- [发明专利]可调电压源-CN201610829033.6有效
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D·富尔曼;W·古特;其他发明人请求不公开姓名
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-09-18
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2020-11-27
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H01L31/0687
- 一种可调电压源，其具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，部分电压源中的每一个具有一个半导体二极管，半导体二极管具有p‑n结，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层，p吸收层被p掺杂的钝化层钝化，p掺杂的钝化层具有比p吸收层的带隙更大的带隙，半导体二极管具有n吸收层，n吸收层被n掺杂的钝化层钝化，n掺杂的钝化层具有比n吸收层的带隙更大的带隙；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，隧道二极管具有多个半导体层，多个半导体层具有比p/n吸收层的带隙更高的带隙；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠，且部分电压源的数量N大于等于2。
- 可调电压
- [发明专利]多结太阳能电池-CN201611127622.6有效
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L·埃贝尔;W·古特;M·莫伊泽尔
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-12-09
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2019-07-19
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H01L31/0687
- 多结太阳能电池具有第一、第二和第三子电池，第一子电池具有锗，第二子电池具有比第一子电池大的带隙，第三子电池具有比第二子电池大的带隙，每个子电池具有发射极和基极，第二子电池包括化合物层，化合物至少具有GaInAsP，层厚度大于100纳米，层构造为发射极一部分和/或基极一部分和/或发射极与基极之间的空间电荷区一部分，第三子电池包括化合物层，化合物至少具有GaInP，层厚度大于100纳米，并且层构造为发射极一部分和/或基极一部分和/或位于发射极与基极之间的空间电荷区一部分，第二子电池中层的磷含量大于1％且小于45％，铟含量小50％，晶格常数小于5.84埃，第三子电池与第二子电池的层晶格常数差小于0.2％，两个子电池间不构造半导体键合。
- 太阳能电池
- [发明专利]堆叠状的多结太阳能电池-CN201611216712.2有效
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W·古特;M·莫伊泽尔;T·勒泽纳
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-12-26
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2019-06-07
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H01L31/0725
- 堆叠状的多结太阳能电池，其包括至少三个子电池以及变质的缓冲区，所述三个子电池中的每一个具有发射极和基极，第一子电池包括由具有至少元素GaInP的化合物制成的第一层，第一层的能带隙大于1.75eV，第一层的晶格常数位于
![]() 和![]() 之间的范围内，第二子电池包括由具有至少元素GaAs的化合物制成的第二层，第二层的能带隙位于1.35eV和1.70eV之间的范围内，第二层的晶格常数位于![]() 和![]() 之间的范围内，第三子电池包括由具有至少元素GaInAs的化合物制成的第三层，第三层的能带隙小于1.25eV，第三层的晶格常数大于![]() 第二子电池或者第三子电池中的至少一个由具有至少元素GaInAsP的化合物制成并且具有大于1％的磷含量和大于1％的铟含量，在两个子电池之间不构造有半导体键合。
- 堆叠太阳能电池
- [发明专利]光电耦合器-CN201610405239.6有效
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W·古特;D·富尔曼;V·科伦科
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2016-06-08
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2019-05-14
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H01L25/16
- 一种光电耦合器，具有发送器部件和接收器部件，其中，发送器部件和接收器部件互相电流隔离并且互相光学耦合，并且这两个部件集成在共同的壳体中，接收器部件包括电压源，其中，电压源包括数量为N的互相串联连接的部分电压源，所述部分电压源构造为半导体二极管，其中，这些部分电压源中的每一个具有一个半导体二极管，所述半导体二极管具有p‑n结，各个部分电压源的部分电源电压互相具有小于20％的偏差，在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起，并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠，部分电压源的数量N大于等于3，光在上侧处入射到堆叠上，并且在堆叠上侧处的照射面的尺寸基本上是所述堆叠在上侧处的面的尺寸，第一堆叠具有小于12μm的总厚度，在300K的情况下，只要第一堆叠被具有确定波长的光子流照射，则第一堆叠具有大于3伏的电源电压，其中，在从堆叠的上侧向所述堆叠的下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
- 光电耦合器
- [发明专利]堆叠状的多结太阳能电池-CN201780010620.5在审
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W·古特;C·佩珀
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2017-02-02
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2018-10-23
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H01L31/0687
- 堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其包括：具有第一带隙(Eg1a)和第一厚度(SD1a)的第一部分电池(SC1a)以及具有另外的第一带隙(Eg1b)和另外的第一厚度(SD1b)的另外的第一部分电池(SC1b)，其中，所述部分电池(SC1a，SC1b)中的每个具有发射极和基极，并且在所述部分电池(SC1a，SC1b)之间构造有隧道二极管(TD)，其中，光射束在进入所述另外的第一部分电池(SC1b)之前进入所述第一部分电池(SC1a)，其中，所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.1eV，或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.07eV，或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.04eV，或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.02eV，或所述第一带隙(Eg1a)与所述另外的第一带隙(Eg1b)一样大。
- 带隙电池多结太阳能电池堆叠状隧道二极管发射极射束
- [发明专利]太阳能电池叠堆-CN201510763317.5有效
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D·富尔曼;W·古特
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2015-11-10
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2018-10-16
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H01L31/0687
- 太阳能电池叠堆具有第一半导体太阳能电池，其中，第一半导体太阳能电池具有由具有第一晶格常数的第一材料构成的pn结，并且该太阳能电池叠堆具有第二半导体太阳能电池，其中，第二半导体太阳能电池具有由具有第二晶格常数的第二材料构成的pn结，并且所述第一晶格常数比所述第二晶格常数小至少
![]() 并且太阳能电池叠堆具有变质缓冲部，其中，变质缓冲部构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且变质缓冲部包括三个层的序列并且晶格常数在该序列中沿第二半导体太阳能电池的方向增加，并且变质缓冲部的层的晶格常数大于第一晶格常数，其中，缓冲部的两个层具有掺杂，并且其中，这些层之间的掺杂物浓度方面的差别大于4E17cm‑3。
- 太阳能电池
- [发明专利]太阳能电池堆叠-CN201380019501.8有效
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W·古特
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阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
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2013-04-12
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2018-08-28
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H01L31/18
- 太阳能电池堆叠(10)，其具有多个由Ge和/或Ge化合物和/或III‑V族化合物构成的半导体太阳能电池，其中，所述太阳能电池堆叠具有：具有第一晶格常数的第一太阳能部分和具有第二晶格常数的第二太阳能电池部分，其中，所述第一和第二太阳能电池部分力锁合地相叠布置，其中，在所述第一和第二太阳能电池部分之间构造有在所述第一晶格常数与所述第二晶格常数之间的至少为0.5％的差或者构造有非晶层，其中，所述第一太阳能电池部分和/或第二太阳能电池部分包括另一半导体太阳能电池，其中，所述第一太阳能电池部分和/或所述第二太阳能电池部分包括变质中间层，其中，所述变质中间层包括第一层厚度并且所述变质中间层沿着所述中间层的厚度延伸将晶格常数改变至少0.5％。
- 太阳能电池堆叠
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